近日，松山湖材料實驗室第三代半導體團隊與西安電子科技大學郝躍院士課題組張進成教授、李祥東教授團隊，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關，成功基于2~6英寸AlN單晶復合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。
得益于AlN單晶復合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯密度居于2×108 cm-2數(shù)量級... [詳內文]
國內實現(xiàn)6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分類 企業(yè) |