相關(guān)資訊：英飛凌

英飛凌正式并購GaN Systems
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 25 日 13:58 | 分類 企業(yè)
上半年轟動(dòng)SiC/GaN第三代半導(dǎo)體及功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的大型收購案——英飛凌收購GaN Systems——終于在昨日（10/24）畫上了圓滿的句號(hào)。 英飛凌完成收購GaN Systems 2023年3月2日，功率半導(dǎo)體龍頭廠商——英飛凌宣布擬以8.3億美元（按今日匯率計(jì)算，約合人...  [詳內(nèi)文]

英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署多年期功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 18 日 17:54 | 分類 企業(yè)
英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車10月18日發(fā)布聲明稱，三方已簽署一項(xiàng)多年期SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。 根據(jù)協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代起亞供應(yīng)SiC和Si功率模塊與芯片，現(xiàn)代起亞則會(huì)出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備。 SiC等功率器件隨著新能源車的需求增加而爆火，作為業(yè)內(nèi)龍...  [詳內(nèi)文]

英飛凌與深圳英飛源技術(shù)（Infypower）達(dá)成合作
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 22 日 17:45 | 分類 功率
北京時(shí)間9月20日，英飛凌宣布與深圳英飛源（Infypower）合作，其將為 INFY 提供業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V CoolSiC?MOSFET 功率半導(dǎo)體器件，以提高電動(dòng)汽車充電站的效率。 據(jù)介紹，通過集成英飛凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower...  [詳內(nèi)文]

功率器件雙雄，激戰(zhàn)SiC
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 10 日 17:25 | 分類 功率
SiC，一顆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中冉冉升起的新星。 如今我們提起它，就離不開特斯拉和意法半導(dǎo)體，第一個(gè)吃螃蟹的特斯拉用SiC MOSFET敲開了新世界的大門，而意法的SiC也因?yàn)樘厮估璏odel 3這股東風(fēng)扶搖直上，超越英飛凌成為了SiC領(lǐng)域里說一不二的新霸主。 特斯拉憑借Model...  [詳內(nèi)文]

集邦咨詢：2023年SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值估將突破22億美元
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 04 日 14:45 | 分類 數(shù)據(jù)
第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)汽車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計(jì)，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

再投資50億歐元，英飛凌建全球最大8英寸SiC晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 04 日 11:20 | 分類 碳化硅SiC
根據(jù)外媒報(bào)道，英飛凌在周四的一份聲明中表示，計(jì)劃在未來五年內(nèi)投資高達(dá)50億歐元，用于在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。 此外，其還將對(duì)位于奧地利菲拉赫以及馬來西亞居林的現(xiàn)有工廠進(jìn)行8英寸改造。根據(jù)英飛凌的估計(jì)，這些基于SiC的投資將在2025年為英飛凌帶來10億歐元...  [詳內(nèi)文]

兩巨頭簽訂電動(dòng)汽車芯片供貨協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 14 日 17:11 | 分類 碳化硅SiC
英飛凌在本周表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車的主驅(qū)動(dòng)。 根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來西亞居林...  [詳內(nèi)文]