碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表,正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局,吸引各國(guó)爭(zhēng)相投入研發(fā)。中國(guó)碳化硅技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利,近期,兩項(xiàng)碳化硅技術(shù)迎來(lái)新突破。
1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平
“連城數(shù)控”官微消息,近期,中...  [詳內(nèi)文]
無(wú)錫:全力搶占“三代半”制高點(diǎn) |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分類(lèi) 企業(yè) |