相關(guān)資訊：氧化鎵

中國(guó)第一，韓媒發(fā)布氧化鎵有效專利持有量排名
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)韓媒報(bào)道，日前，韓國(guó)舉辦了“氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖研討會(huì)”，會(huì)上公布了氧化鎵專利申請(qǐng)情況。 根據(jù)AnA Patent對(duì)韓國(guó)、中國(guó)、美國(guó)、歐洲、日本等6個(gè)主要PCT國(guó)家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導(dǎo)體元件有效專利分析，截至2021年9月共有1011件專利，其中中國(guó)擁有328件，...  [詳內(nèi)文]

西安郵電大學(xué)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著我校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。 圖片來源：西郵新聞網(wǎng) 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)第一，這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分類 氮化鎵GaN
昨（27）日，中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（中國(guó)電科）宣布，近日，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 01、中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶 氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以β-Ga2O...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)科大研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分類 氮化鎵GaN
近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 相關(guān)研究成果分別以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [詳內(nèi)文]