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東京大學研發(fā)摻鎵氧化銦晶體管獲新突破

作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 30 日 14:12 | 分類 氧化銦
近日,東京大學的科研團隊在微電子技術領域取得重大突破,成功研制出一種采用摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新成果有望突破傳統(tǒng)硅材料的限制,顯著提升人工智能(AI)與大數據處理的運算性能,為后硅時代延續(xù)摩爾定律帶來了新的可能。 自20世紀晶體管誕生以來,作為現(xiàn)代...  [詳內文]