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應用材料將建下一代半導體設備研發(fā)中心

作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 23 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN
日前,應用材料宣布,計劃在美國的創(chuàng)新基礎設施上投資數十億美元,并從現在到2030年擴大其全球制造能力。 該公司計劃在加州森尼維爾建立下一代基礎半導體技術和工藝設備研發(fā)中心,其規(guī)模將取決于政府的支持。這項投資計劃于2023年初在硅谷啟動。 此外,該公司還在對其全球各地的基礎設施進行...  [詳內文]