據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子正在加速進(jìn)軍下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng),在組建與SiC和GaN器件開發(fā)相關(guān)的功率半導(dǎo)體TF后,目前正積極投資研發(fā)和原型生產(chǎn)所需的設(shè)施。
報(bào)道稱,三星電子正試圖引進(jìn)更先進(jìn)的8英寸碳化硅工藝設(shè)備。據(jù)了解,迄今為止完成的投資約在1000億至2000億韓元(6-12億人民幣...  [詳內(nèi)文]
超千億韓元投資,三星加速進(jìn)軍SiC產(chǎn)業(yè) |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2023 年 03 月 31 日 17:35
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