文章分類： 碳化硅SiC

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機(jī)專利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 15:44 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司成功獲得了一項(xiàng)名為”兩用碳化硅晶片倒角機(jī)”的專利，根據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的消息顯示，該專利的申請日期為2024年5月，授權(quán)公告號(hào)為CN222493441U。 專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)，包括：轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體設(shè)備廠商思銳智能擬A股IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:09 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月19日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡稱“思銳智能”）擬沖擊A股IPO的消息引發(fā)市場廣泛關(guān)注。 官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部位于青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。公司主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)項(xiàng)目落地成都高新區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:04 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，2月18日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。 中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲(chǔ)芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)一第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約杭州

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:41 |
| 分類: 碳化硅SiC
2月14日，浙江杭州西湖區(qū)成功舉辦2025年一季度重大項(xiàng)目集中推進(jìn)暨重點(diǎn)招商項(xiàng)目集中簽約活動(dòng)。 本次活動(dòng)中，19個(gè)重大項(xiàng)目集中推進(jìn)，總投資規(guī)模達(dá)約107億元，年度計(jì)劃投資約23億元，涵蓋多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，為區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。 其中，杭州高裕電子科技股份有限公司的第三代半導(dǎo)體可...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科重磅新品，大功率氮化鎵來襲

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:37 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC： 采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。 ISG612xTD SolidGaN IC ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [詳內(nèi)文]

深圳/香港，碳化硅技術(shù)研究迎來新進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:30 |
| 分類: 射頻 , 碳化硅SiC
近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其卓越的高溫、高頻、高電壓性能，在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場價(jià)值。隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅技術(shù)不斷取得突破。近期，深圳與香港碳化硅研究新進(jìn)展曝光。 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室SiC襯底激...  [詳內(nèi)文]

晶升股份：公司現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 11:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，晶升股份在接待機(jī)構(gòu)投資者調(diào)研時(shí)表示，由于碳化硅盲盒生長的特點(diǎn)，晶體生長過程中無法進(jìn)行實(shí)時(shí)觀測，因此也缺乏大量的數(shù)據(jù)積累供人工智能進(jìn)行分析和學(xué)習(xí)。 晶升股份現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸，通過引入可視化檢測系統(tǒng)可使長晶過程看得見，為數(shù)據(jù)采集提供了扎實(shí)的設(shè)備基礎(chǔ)，也意味著公司已...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機(jī)專利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 11:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，近期江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司取得一項(xiàng)名為“兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)”的專利。 專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)，包括：轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸內(nèi)設(shè)有抽氣管道；打磨臺(tái)本體，打磨臺(tái)本體與轉(zhuǎn)軸可拆卸地相連，打磨臺(tái)本體具有第一氣道和支氣體通道，支氣體通道設(shè)...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報(bào)道，印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時(shí)，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

中國電科、三安光電、中瓷電子碳化硅產(chǎn)品順利供貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:33 |
| 分類: 功率 , 碳化硅SiC
近日，碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳，中國電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務(wù)上取得關(guān)鍵突破，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。 中國電科：30臺(tái)套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨 近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計(jì)30臺(tái)套。截至目前，中...  [詳內(nèi)文]