文章分類： 碳化硅SiC

SiC再現(xiàn)135億元訂單，安森美贏麻！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 01 日 17:28 |
| 分類: 碳化硅SiC
今天上午十點(diǎn)，安森美公眾號發(fā)文表示，公司已經(jīng)與緯湃科技（Vitesco）簽署價(jià)值19億美元（135億元）的SiC供應(yīng)協(xié)議，安森美將在未來十年為緯湃科技供應(yīng)SiC產(chǎn)品。緯湃科技也將導(dǎo)入安森美高效EliteSiC MOSFET來制造逆變器和電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)器項(xiàng)目。 此外，緯湃科技還將向安森...  [詳內(nèi)文]

碳化硅與氮化鎵，誰擁有更廣闊的星辰大海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)下，低碳化和數(shù)字化齊頭并進(jìn)的發(fā)展，帶來了萬物互聯(lián)、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個(gè)突飛猛進(jìn)的過程中，第三代半導(dǎo)體則發(fā)揮著重要作用。 同屬第三代半導(dǎo)體，碳化硅和氮化鎵近年來不斷發(fā)光發(fā)熱，成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的“流量明星”。那么，這兩種材料，誰的市場前景更大呢？ 碳化硅和氮化鎵：在...  [詳內(nèi)文]

第一季全球新能源車銷量達(dá)265.6萬輛，特斯拉市占回升

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2023年第一季全球新能源車（NEV；包含純電動(dòng)車、插電混合式電動(dòng)車、氫燃料電池車）銷售總量為265.6萬輛，年增28%。其中純電動(dòng)車（BEV）銷量為194.2萬輛，年成長26%；插電混合式電動(dòng)車（PHEV）銷量71.1萬輛，年增34%。 ...  [詳內(nèi)文]

納微啟動(dòng)SiC外延片產(chǎn)能建設(shè)計(jì)劃

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:20 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)外媒報(bào)道，納微半導(dǎo)體日前宣布了SiC外延片產(chǎn)能建設(shè)計(jì)劃，以加強(qiáng)對產(chǎn)業(yè)鏈控制、減少成本并提高其GeneSiC碳化硅業(yè)務(wù)的營收能力。 根據(jù)規(guī)劃，公司將投資2000萬美元，在位于加利福尼亞州托倫斯的總部建立一個(gè)三反應(yīng)腔的SiC外延生長設(shè)施，第一臺具有6、8英寸晶圓處理能力的AIXTR...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】天域半導(dǎo)體：碳化硅外延淺析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 30 日 17:26 |
| 分類: 碳化硅SiC
SiC屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，也稱為第三代半導(dǎo)體。憑借其禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢，適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。 SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶片制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統(tǒng)應(yīng)用等部分。其中外延是承上啟下的重要環(huán)節(jié)，具有非常關(guān)鍵的作用。 天域半...  [詳內(nèi)文]

小米再投一家SiC企業(yè)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 30 日 17:24 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)生工商變更，新增北京小米智造股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等為股東，同時(shí)公司注冊資本由約5628.57萬人民幣增至約8175.49萬人民幣。 杰平方半導(dǎo)體是一家聚焦車載芯片研發(fā)的芯片設(shè)計(jì)公司，成立于2021年10月，法定代表人為俎永熙。業(yè)務(wù)主...  [詳內(nèi)文]

又一輛SiC列車實(shí)現(xiàn)載客運(yùn)營

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 30 日 17:22 |
| 分類: 碳化硅SiC
SiC屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是衛(wèi)星通信、電動(dòng)汽車、高壓輸變電、軌道交通等重要領(lǐng)域的核心材料。 軌道交通牽引系統(tǒng)功率容量超過兆瓦級，需要功率半導(dǎo)體器件具備更大容量的電流輸出能力，目前Si基功率器件性能逐漸逼近理論極限，SiC功率器件成為重點(diǎn)發(fā)...  [詳內(nèi)文]

總投資18億，6個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約北京

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇舉辦。現(xiàn)場，國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期、晶格領(lǐng)域液相法碳化硅襯底生產(chǎn)、特思迪減薄-拋光-CMP設(shè)備生產(chǎn)二期、銘鎵半導(dǎo)體氧化鎵襯底及外延片等6個(gè)簽約落地，預(yù)計(jì)總投資近18億元。 據(jù)報(bào)道，順義區(qū)規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平米的三代半標(biāo)廠，目前一期...  [詳內(nèi)文]

全球InP產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
作為化合物半導(dǎo)體材料，InP（磷化銦）半導(dǎo)體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領(lǐng)域具...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)與Coherent達(dá)成合作，SiC產(chǎn)能之爭加速

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:24 |
| 分類: 碳化硅SiC
5月26日，三菱電機(jī)官網(wǎng)宣布已與Coherent（前 II-VI ）達(dá)成合作，雙方將共同致力于擴(kuò)大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。在未來Coherent將為三菱電機(jī)在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件供應(yīng)8英寸n型4H SiC襯底，以滿足新能源汽車對SiC的需求。 隨著新能源汽車需求量的提升...  [詳內(nèi)文]