文章分類： 碳化硅SiC

中國臺灣首顆8英寸SiC襯底問世，富士康版圖再擴大

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 06 日 17:23 |
| 分類: 碳化硅SiC
根據(jù)相關(guān)媒體報道，富士康旗下的子公司Taisic Materials（盛新材料科技）成功制造出了中國臺灣的首片8英寸SiC襯底，該公司此前僅有制造6英寸SiC襯底的能力。 盛新材料成立于2020年，是中國臺灣為數(shù)不多可同時生產(chǎn)6英寸導電型和半絕緣型SiC襯底的廠商，其在高品質(zhì)長晶...  [詳內(nèi)文]

硅光，顛覆未來的關(guān)鍵技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 05 日 17:19 |
| 分類: 碳化硅SiC
隨著AI、通訊、自駕車等領(lǐng)域?qū)Ａ窟\算的需求漸增，在摩爾定律的前提下，集成電路的技術(shù)演進已面臨物理極限，該如何突破？那就是走向光，目前許多國內(nèi)外廠商正積極布局「硅光子」（Silicon Photonics）技術(shù)，當電子結(jié)合光子，不只解決原本訊號傳輸?shù)暮膿p問題，甚至視為開啟摩爾定律...  [詳內(nèi)文]

納微半導體SiC產(chǎn)品再獲訂單，預計全年營收翻倍

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 05 日 17:15 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，納微半導體宣布，該公司的GeneSiC碳化硅功率半導體器件已經(jīng)被用于?？巳驴萍技瘓F(Exide Technologies)的下一代高頻快速充電樁。該高頻充電樁將220伏交流電轉(zhuǎn)換為24至80伏的直流電，為搭載了鉛酸電池和鋰電池的工業(yè)車輛充電。 圖片來源：納微半導體 本次...  [詳內(nèi)文]

官宣！2023集邦咨詢半導體峰會暨產(chǎn)業(yè)高層論壇定檔6月

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 02 日 17:25 |
| 分類: 碳化硅SiC
當前，半導體行業(yè)正呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化的特點： 一方面，受高通貨膨脹、經(jīng)濟逆風等因素影響，消費電子市場需求自2022年以來持續(xù)滑落，消費類芯片供過于求態(tài)勢明顯，調(diào)整庫存成為行業(yè)發(fā)展主旋律； 另一方面，在消費電子需求下滑的同時，AI、HBM、第三代半導體等技術(shù)異軍突起，服務器、汽車市場發(fā)...  [詳內(nèi)文]

大基金成第二大股東，成都士蘭30億加碼汽車半導體

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 02 日 17:21 |
| 分類: 碳化硅SiC
今年3月底，士蘭微宣布擬與關(guān)聯(lián)方國家大基金二期共同出資21億元增資子公司成都士蘭，其中，士蘭微出資11億元，大基金二期出資10億元；5月19日，雙方簽署了相關(guān)的增資協(xié)議，并于5月29日迎來新進展。 根據(jù)天眼查數(shù)據(jù)顯示，成都士蘭發(fā)生工商變更，大基金二期成為成都士蘭的第二大股東，持股...  [詳內(nèi)文]

訂單激增！這個SiC設(shè)備廠產(chǎn)品交付量再創(chuàng)新高

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 02 日 17:17 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，北京爍科中科信表示5月接連交付了8臺高品質(zhì)設(shè)備，再創(chuàng)新高。截至今年5月底，離子注入機交付總臺數(shù)同比增長175%。 4月，公司宣布北京總公司和長沙分公司實現(xiàn)12臺離子注入機先后順利交付，同比增長300%。一季度新簽合同再創(chuàng)新高，合同總額突破3.5億元，同比增長21%。 5月，...  [詳內(nèi)文]

最新議程出爐！第三代半導體前沿趨勢研討會匯集行業(yè)大咖

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 02 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢將在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導體前沿趨勢研討會”。 目前，最新議程出爐！會議匯集華燦光電、英諾賽科、納設(shè)智能、國星光電、天科合達、芯聚能、Wolfspeed、爍科晶體、AIXTRON、泰科天潤、珠海鎵未來、三菱電機、天域...  [詳內(nèi)文]

【會議預告】納設(shè)智能：SiC外延生長裝備的創(chuàng)新發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 02 日 14:50 |
| 分類: 碳化硅SiC
近年來，隨著SiC應用領(lǐng)域的擴展，需求的激增，產(chǎn)業(yè)對于SiC外延片品質(zhì)和產(chǎn)能要求不斷提高，SiC外延設(shè)備也就占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)。 SiC外延層的制備方法主要有：化學氣相沉積（CVD）；液相外延生長（LPE）；分子束外延生長（MBE）等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度...  [詳內(nèi)文]

2023年全球IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)綜整研析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 01 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年第一季Top10 IC設(shè)計廠商營收表現(xiàn)皆走弱，第一～三名排名出現(xiàn)變動。 Broadcom超車NVIDIA奪下第二名位置，不過Broadcom與NVIDIA尚未公布營收，此處采用財測數(shù)字，且差距極小，因此實際排名狀況或有不同，其他排名則略有變動。 由于整體供應鏈庫存持續(xù)修...  [詳內(nèi)文]

鴻海收購國創(chuàng)半導體 SiC 部門，加速交車進程

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 01 日 17:29 |
| 分類: 碳化硅SiC
今日，鴻海與國巨集團共同宣布，雙方合資成立的國創(chuàng)半導體將分拆旗下的IC、SiC元件/模組產(chǎn)品業(yè)務，以2.04億元新臺幣，讓予鴻海集團新設(shè)立的IC設(shè)計子公司。 兩集團調(diào)整國創(chuàng)半導體股權(quán)結(jié)構(gòu)，國巨集團將持有該公司55%股權(quán)，國巨集團董事長陳泰銘出任該公司董事長，通過MOSFET布局主...  [詳內(nèi)文]