文章分類： 碳化硅SiC

碳化硅IDM企業(yè)芯片，成功上車！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 17 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月13日，芯聚能半導(dǎo)體官微宣布，其在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵性飛躍，公司自主設(shè)計(jì)的車規(guī)級(jí)SiC芯片已正式規(guī)?；瘜?dǎo)入主驅(qū)動(dòng)模塊產(chǎn)線，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)首次成功實(shí)現(xiàn)“芯片設(shè)計(jì)-模塊制造-整車驗(yàn)證”全鏈條自主可控，并已批量上車應(yīng)用。 圖片來源：芯粵能 這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能...  [詳內(nèi)文]

復(fù)旦碳化硅器件新突破：成功制備兩種布局 1.7kV MOSFET

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 16 日 13:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，在行業(yè)會(huì)議上，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)宣布，其基于電荷平衡理論，通過對(duì)離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計(jì)并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種不同布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。這一創(chuàng)新成果，相較于傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)構(gòu)，在保障器件性能的同時(shí)，不僅大幅降低了制造成本...  [詳內(nèi)文]

聚焦AI和HPC應(yīng)用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問題已成為限制性能和可靠性的關(guān)鍵瓶頸。6月13日，美國(guó)Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復(fù)合材料，旨在徹底改變?nèi)斯ぶ悄芎透咝阅苡?jì)算HPC應(yīng)用中的熱管理...  [詳內(nèi)文]

清華大學(xué)在碳化硅領(lǐng)域最新研究成果公布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 16:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
“清華電機(jī)”消息，近日，第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD)舉辦，電機(jī)系先進(jìn)電能變換與電氣化交通系統(tǒng)團(tuán)隊(duì)的研究論文“The Lates...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體“朋友圈”+1，碳化硅助力重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導(dǎo)體正式宣布與BrightLoop達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞新一代氫燃料電池充電系統(tǒng)，運(yùn)用先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，致力于推動(dòng)高效、高可靠性的能源管理方案在農(nóng)業(yè)與重型運(yùn)輸領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化落地。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目刷新進(jìn)度：封頂、試運(yùn)行、沖刺生產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)項(xiàng)目取得重要進(jìn)展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨項(xiàng)目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號(hào)消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

格力電器：已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺(tái)，董明珠卸任零邊界董事長(zhǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:16 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，格力電器在芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局迎來關(guān)鍵性人事調(diào)整與技術(shù)突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺(tái)，部分產(chǎn)品不僅實(shí)現(xiàn)內(nèi)部批量使用，更已為多家芯片設(shè)計(jì)公司提供晶圓流片制造服務(wù)，這標(biāo)志著格力在第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。 與此同時(shí)，格...  [詳內(nèi)文]

東芝公布碳化硅新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設(shè)計(jì)技術(shù)”和“基于AI設(shè)計(jì)優(yōu)化技術(shù)”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導(dǎo)體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內(nèi)文]

繼武漢碳化硅基地投產(chǎn)后，長(zhǎng)飛先進(jìn)再獲進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官微消息，近日，北京經(jīng)緯恒潤(rùn)科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱 “經(jīng)緯恒潤(rùn)”）與安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱 “長(zhǎng)飛先進(jìn)”）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動(dòng)力及碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的資源優(yōu)勢(shì)，共同推進(jìn)國(guó)產(chǎn)碳化硅模塊的車規(guī)認(rèn)證進(jìn)程及批量生產(chǎn)、交付，助...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學(xué)在一場(chǎng)行業(yè)會(huì)議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級(jí)SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關(guān)注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)地位。 10kV等級(jí)SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。但...  [詳內(nèi)文]