文章分類： 氮化鎵GaN

英諾賽科與思銳智能簽訂ALD設(shè)備采購協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 26 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，思銳智能官微發(fā)布消息，英諾賽科與公司簽訂了一項新的ALD設(shè)備的采購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，思銳智能將為英諾賽科供應(yīng)用于GaN晶圓制造前道工藝的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備，支持其8英寸硅基GaN晶圓產(chǎn)線的擴(kuò)充。 01、英諾賽科深化GaN布局 英諾賽科8英寸晶圓產(chǎn)線...  [詳內(nèi)文]

又3家化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲融資！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 24 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，芯百特、愛矽科技、時代速信三家化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲超億元融資。 芯百特 芯百特微電子（無錫）有限公司（以下簡稱“芯百特”）宣布于近日完成新一輪近億元融資，投資方包括揚州啟正、無錫惠開、惠之成等，融資資金將用于研發(fā)投入和設(shè)備采購等。芯百特聚焦高性能射頻芯片，目前已具備CMO...  [詳內(nèi)文]

擬募212億元！今年最大IPO啟動申購

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 24 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布《華虹半導(dǎo)體有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行公告》，表示其計劃在上海證券交易所上市，籌集至多212億元人民幣資金。 華虹半導(dǎo)體在向交易所提交的一份聲明中表示，將以每股52元的價格出售40775萬股。 華虹半導(dǎo)體稱，華虹半導(dǎo)體首次公開發(fā)行40775萬股...  [詳內(nèi)文]

車規(guī)級功率器件需求擴(kuò)增，氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 21 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
根據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 報導(dǎo)，三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 （GaN）市場，目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。 報導(dǎo)引用知情人士的說法指出，三星電子近期在韓國、美國舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動宣布，將在2025年起，為消費級、資料中心和汽車應(yīng)用提供8...  [詳內(nèi)文]

總投資12億元，這個GaN項目投入使用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)馬鞍山經(jīng)開區(qū)消息，7月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司新廠區(qū)正式揭牌投用。此次投入使用的新廠區(qū)占地52畝，新建廠房5.1萬平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。 此前公開消息顯示，東科半導(dǎo)體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科再推兩款GaN器件，在工業(yè)市場挖掘新藍(lán)海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，為了推進(jìn)GaN在高頻市場的應(yīng)用，英諾賽科基于150V電壓平臺推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。 其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量...  [詳內(nèi)文]

鎵、鍺出口管制，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 19 日 15:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
7月3日，中國商務(wù)部和海關(guān)總署宣布，為維護(hù)國家安全和利益，決定自2023年8月1日起對鎵和鍺相關(guān)物項實施出口管制。其中，鎵相關(guān)物項包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵等8項，鍺相關(guān)物項包括金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅等6項，具體如下兩個表： 作為新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，鎵、鍺均已被列入國家戰(zhàn)...  [詳內(nèi)文]

中芯國際換帥

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，中芯國際在港交所發(fā)布公告稱，高永崗因工作調(diào)整，辭任公司董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會主席職務(wù)，自2023年7月17日起生效。 公司副董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會委員劉訓(xùn)峰獲委任為公司董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會主席，自2023年7月17日起生效。 據(jù)公告內(nèi)容...  [詳內(nèi)文]

不要把800V的高成本妖魔化，這些主機(jī)廠和Tier 1正在卷技術(shù)卷規(guī)模

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
小鵬G6上市熱潮再度掀起800V的適用性和適配性討論。同樣電驅(qū)Tier 1在近兩年陸續(xù)發(fā)布了許多800V新品。 在這個過程中，整個行業(yè)提出了幾大問題：800V電驅(qū)該怎么降本，面臨著哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？外資Tier 1能否在800V時代超車？ 為什么800V？ 800V的興起源于對超快充...  [詳內(nèi)文]