文章分類: 氮化鎵GaN

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息,愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底,園區(qū)全部結(jié)頂竣工,爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工,項目計劃打造臨安首個集芯片設(shè)計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園,占地118畝,建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

這家破產(chǎn)的GaN工廠,被全球三大公司競購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日,一場圍繞氮化鎵(GaN)技術(shù)的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽為歐洲GaN技術(shù)先驅(qū)的BelGaN工廠,因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產(chǎn),其440名員工的命運與價值1.3億歐元的資產(chǎn)標(biāo)的,成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落,BelGaN花落誰家 B...  [詳內(nèi)文]

聚焦三代半等領(lǐng)域,江蘇首只高??萍汲晒D(zhuǎn)化基金完成注冊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)江蘇金融湃消息,近日江蘇首只高??萍汲晒D(zhuǎn)化基金——南京高??萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金,將重點投向第三代半導(dǎo)體、前沿新材料等戰(zhàn)略領(lǐng)域,為高??蒲谐晒D(zhuǎn)化注入”耐心資本”。 據(jù)悉,該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

國家隊再投一家化合物半導(dǎo)體大廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息顯示,3月13日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期(以下簡稱“大基金二期”)投資入股了昂坤視覺(北京)科技有限公司。 source:集邦化合物半導(dǎo)體截圖 此前,昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機電等知名產(chǎn)業(yè)方,金浦投資、招商致遠、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國聯(lián)盟,第三代半導(dǎo)體劃重點

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日,德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議,組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”(Semicon Coalition),旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力,并強化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向,將重點...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度,在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢,吸引業(yè)界關(guān)注。近期,市場傳來納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài),涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。 01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān) 3月12日,納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進展:涉及碳化硅、氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:23 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后,香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進展。 近期,明報新聞網(wǎng)報道,香港微電子研發(fā)院(MRDI)正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線,分別負責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn),預(yù)計在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月,香港立法會批準28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 9:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日,CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù),目標(biāo)瞄準規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 13 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast??氮化鎵功率芯片進入長城電源供應(yīng)鏈,成功助力其打造AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求,為了容納更多的GPUs進行計算,400V獨立機柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科納入港股通

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 12 日 16:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今年3月10日,國內(nèi)氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科正式納入港股通,將吸引全球資金,有望進一步鞏固氮化鎵產(chǎn)業(yè)地位。港股通是內(nèi)地投資港股的便捷通道,連接滬深與港交所股票市場。企業(yè)納入港股通后,能吸引更多資金,提升知名度,并促進股票流動性。 官方資料顯示,英諾賽科是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)...  [詳內(nèi)文]