文章分類(lèi): 氮化鎵GaN

銘鎵半導(dǎo)體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近期,北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):銘鎵半導(dǎo)體)使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸(001)主面氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破,并且進(jìn)行了多次重復(fù)性實(shí)驗(yàn),成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸(001)相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。 銘...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)氮化鎵外延龍頭晶湛半導(dǎo)體再獲數(shù)億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:05 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日,第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資,這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來(lái)的又一輪融資。 本輪增資由蔚來(lái)資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投,華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯資本等跟投,老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。 晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示...  [詳內(nèi)文]

EPC公司攜手世界先進(jìn),發(fā)力8英寸GaN功率半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
12月6日,GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布與特殊芯片代工廠世界先進(jìn)(VIS)簽訂了一項(xiàng)GaN功率半導(dǎo)體多年生產(chǎn)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,EPC公司將從2023年初開(kāi)始使用世界先進(jìn)的8英寸晶圓制造平臺(tái),生產(chǎn)高性能GaN晶體管和GaN功率IC。 據(jù)介紹,EPC的GaN器件...  [詳內(nèi)文]

搶攻GaN功率器件市場(chǎng),GaN Systems成立深圳辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 17:23 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
今日,GaN Systems 氮化鎵系統(tǒng)公司宣布成立深圳辦事處,與中國(guó)臺(tái)灣辦事處共享設(shè)計(jì)研發(fā)資源,為亞太地區(qū)客戶(hù)提供最及時(shí)且符合市場(chǎng)需求的GaN氮化鎵解決方案,包括65W/100W/140W/250W的手機(jī)及筆電充電器參考設(shè)計(jì),高功率數(shù)據(jù)中心及車(chē)用PFC、DC/DC轉(zhuǎn)換器及逆變器...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體聯(lián)合北京大學(xué)在GaN襯底研發(fā)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:51 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日,中鎵半導(dǎo)體與北京大學(xué)、波蘭國(guó)家高壓實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展了合作,使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。 實(shí)驗(yàn)使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底,并對(duì)制備得到的GaN材料進(jìn)行了表征,證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測(cè)試溫度下比較了現(xiàn)有報(bào)道的半絕...  [詳內(nèi)文]

長(zhǎng)光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:49 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
11月29日,蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在蘇州長(zhǎng)光華芯正式揭牌成立。 氮化鎵是第三代半導(dǎo)體中具有代表性的材料體系,氮化鎵藍(lán)綠光激光器未來(lái)在激光顯示、有色金屬加工等諸多領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)以及不可替代的作用。基于氮化鎵的藍(lán)綠光激光器是第三...  [詳內(nèi)文]

國(guó)際GaN器件廠Transphorm在深圳設(shè)立辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:45 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體之后,美國(guó)GaN FETs高壓電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm也在深圳設(shè)立了辦事處,全球GaN器件廠商在中國(guó)市場(chǎng)的角逐日趨激烈。 昨(1)日,Transphorm宣布,已在中國(guó)深圳開(kāi)設(shè)辦事處/GaN應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,深圳辦事處的團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)提升本土客戶(hù)支持、銷(xiāo)售及市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體企業(yè)固立得獲5000萬(wàn)元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:36 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日,江蘇固立得精密光電有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“固立得”)宣布獲得5000萬(wàn)元A+輪融資。 據(jù)悉,本輪融資由福滿(mǎn)鑫資本、鑫濤資本領(lǐng)投,常州本土知名投資 人和企業(yè)家跟投。融資資金將用于芯片產(chǎn)能的擴(kuò)大,以滿(mǎn)足更大的市場(chǎng)需求。 資料顯示,固立得成立于2005年,是一家專(zhuān)業(yè)從事第三代化合物(...  [詳內(nèi)文]