近期,北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):銘鎵半導(dǎo)體)使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸(001)主面氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破,并且進(jìn)行了多次重復(fù)性實(shí)驗(yàn),成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸(001)相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
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銘鎵半導(dǎo)體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)領(lǐng)域獲突破 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2022 年 12 月 08 日 17:09
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