文章分類： 氮化鎵GaN

氮矽科技攜手Ulike打造首款超聲炮美容儀產(chǎn)品，加速GaN元件導(dǎo)入消費(fèi)市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 30 日 16:42 |
| 分類: 氮化鎵GaN
致力于引領(lǐng)全球氮化鎵(GaN)革命的解決方案供應(yīng)商氮矽科技近日宣布，氮矽科技先進(jìn)低壓氮化鎵集成方案DXC3510S2CA產(chǎn)品成功應(yīng)用于由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10。依靠其超高頻、高效能等性能優(yōu)勢，該技術(shù)方案強(qiáng)力支持產(chǎn)品超聲聚能和能...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科多款氮化鎵產(chǎn)品集中亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 29 日 15:35 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE）上展出的氮化鎵產(chǎn)品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。 其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V ...  [詳內(nèi)文]

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺展示自研產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 15:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖實(shí)驗(yàn)室”官微消息，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)期間，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺對外全面展示科研平臺、設(shè)計(jì)仿真平臺、中試平臺、分析檢測中心能力，同時(shí)帶來了8吋 SiC激光剝離襯底及復(fù)合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [詳內(nèi)文]

聞泰科技、三安光電財(cái)報(bào)出爐，聚焦SiC與GaN進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財(cái)務(wù)報(bào)告，這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢，在車規(guī)級碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目建設(shè)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:10 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術(shù)路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導(dǎo)體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

芯干線第三代半導(dǎo)體打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:43 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈。 source：芯干線科技 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內(nèi)文]

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 18 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱“瑞薩電子”）達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)授權(quán)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電...  [詳內(nèi)文]

實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)！英諾賽科發(fā)布氮化鎵新產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 16 日 12:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢，有助于進(jìn)一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)機(jī)器人“黑豹2.0”搭載GaN

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 15 日 13:07 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，中國“黑豹2.0”四足機(jī)器人搭載GaN電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)，在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)了革命性突破。該機(jī)器人由中國浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心人形機(jī)器人創(chuàng)新研究院聯(lián)合鏡識科技有限公司、杭州凱達(dá)爾焊接機(jī)器人股份有限公司共同發(fā)布，被稱為是全球速度最快的四足機(jī)器人。 核心技術(shù)突破：氮化鎵（GaN）...  [詳內(nèi)文]