據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，湖南三安半導體有限公司（下文簡稱湖南三安半導體）獲得名為“半導體器件”專利授權(quán)，授權(quán)公告日為9月15日，授權(quán)公告號為CN219696448U。 source:國家知識產(chǎn)權(quán)局 根據(jù)摘要可知，該申請公開了一種半導體器件，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。 半導體器件包括芯片...  [詳內(nèi)文]

9月19日，三安集成官方公眾號發(fā)文稱，公司基于自研鍵合多層壓電襯底技術(shù)，在新材料及新建模的基礎(chǔ)上，推出HP-SAW濾波器系列產(chǎn)品。 濾波器通過電容、電阻、電感等元件組合來濾除特定頻率外的信號，起到保留特定頻率的功能。其作為選頻過濾功能實現(xiàn)的重要器件，可以保障通訊鏈路在“特定工作頻...  [詳內(nèi)文]

拓荊科技作為國內(nèi)薄膜沉積行業(yè)領(lǐng)軍者，其產(chǎn)品線包括離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。 近期接受調(diào)研表示，公...  [詳內(nèi)文]

東科半導體官方公眾號發(fā)文稱，9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。 source:東科半導體 北京大學集成電路學科作為我國第一個半導體...  [詳內(nèi)文]

9月15日，長電科技在互動平臺表示，公司封裝的第三代半導體器件，已經(jīng)應用于汽車，工業(yè)儲能等領(lǐng)域并進入產(chǎn)能擴充階段。 預計2024年起相關(guān)產(chǎn)品營收規(guī)模有望大幅增長，并在未來幾年顯著成長，將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場上的快速上量。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 根據(jù)Tren...  [詳內(nèi)文]

近日，中國科學院深圳先進技術(shù)研究院（下文簡稱“深圳先進院”）光子信息與能源材料研究中心（下文簡稱“研究中心”）與深圳市納設(shè)智能裝備有限公司（下文簡稱“納設(shè)智能”）成立了先進材料聯(lián)合實驗室，推進產(chǎn)學研深度融合。 院企強強聯(lián)合 據(jù)了解，研究中心成立于2008年，專注于高性能多元化合物...  [詳內(nèi)文]

9月12日，比亞迪股份有限公司獲得“一種溝槽型半導體器件及其制造方法”專利授權(quán)，其授權(quán)公號為CN114122122B。 根據(jù)專利摘要可知，此發(fā)明屬于電氣元件領(lǐng)域，特別是涉及一種溝槽型半導體器件及其制造方法。 溝槽型半導體器件包括半導體基板、漏電極區(qū)、柵電極區(qū)、源電極區(qū)和絕緣柵介質(zhì)...  [詳內(nèi)文]