3月20日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內(nèi)文]
國(guó)內(nèi)首個(gè)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化公司誕生 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2024 年 03 月 21 日 11:21
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關(guān)鍵字:
氧化鎵, 鎵仁半導(dǎo)體
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