文章分類(lèi)： 企業(yè)

芯干線(xiàn)第三代半導(dǎo)體打入多個(gè)全球一線(xiàn)品牌供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:43 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線(xiàn)科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個(gè)全球一線(xiàn)品牌供應(yīng)鏈。 source：芯干線(xiàn)科技 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線(xiàn)自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內(nèi)文]

投資3.1億元，英飛凌無(wú)錫功率半導(dǎo)體項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:40 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 功率
4月15日，上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)（環(huán)評(píng)）公告。此次擴(kuò)建項(xiàng)目擬新增總投資3.1億元人民幣，旨在進(jìn)一步提升其在汽車(chē)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 根據(jù)公告，計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司，...  [詳內(nèi)文]

兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:34 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。 01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái) 4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（Si...  [詳內(nèi)文]

電網(wǎng)領(lǐng)域開(kāi)啟碳化硅產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用新藍(lán)海，天岳先進(jìn)助力行業(yè)新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:10 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)電力系統(tǒng)電力電子器件專(zhuān)委會(huì)主任委員邱宇峰在接受央媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》采訪(fǎng)時(shí)表示，“作為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢(shì)。碳化硅產(chǎn)業(yè)會(huì)有兩波應(yīng)用浪潮，第一波在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，第二波在電網(wǎng)領(lǐng)域。可以肯定的是，碳化硅在電網(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車(chē)?！?..  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、拉普拉斯2024年報(bào)出爐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:08 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，拉普拉斯、晶盛機(jī)電兩家碳化硅領(lǐng)域相關(guān)公司相繼公布2024年報(bào)。   1、拉普拉斯?fàn)I收同比增長(zhǎng)93.12% 拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入57.28億元，同比增長(zhǎng)93.12%；歸屬凈利潤(rùn)7.29億元，同比增長(zhǎng)77.53%。 2024年，拉普拉斯研發(fā)費(fèi)用為2.96億元，同比增...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新一批專(zhuān)利曝光

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:06 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 功率
隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等產(chǎn)業(yè)對(duì)高性能功率器件需求的激增，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局顯示，國(guó)內(nèi)一些企業(yè)在功率器件散熱設(shè)計(jì)、封裝工藝及晶圓處理等關(guān)鍵領(lǐng)域取得系列專(zhuān)利。 1、寧德時(shí)代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專(zhuān)...  [詳內(nèi)文]

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 18 日 13:36 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月16日，美國(guó)Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)授權(quán)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 Polar Semiconductor 作為美國(guó)唯一一家專(zhuān)門(mén)從事傳感器、電...  [詳內(nèi)文]

碳化硅液冷超充模塊助力，致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 18 日 13:36 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長(zhǎng)期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客戶(hù)在超充領(lǐng)域的核心供應(yīng)商，將以確定性產(chǎn)能鎖定方式在未來(lái)數(shù)年內(nèi)持續(xù)供應(yīng)價(jià)值數(shù)億元的碳化硅液冷超充模塊。 source：致瞻科技 據(jù)悉，致瞻科技（上海）有限公司是一家聚...  [詳內(nèi)文]

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬(wàn)片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 17 日 14:11 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，全國(guó)建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境信息公示平臺(tái)發(fā)布了“河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬(wàn)片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收公示”。 該項(xiàng)目總投資38863.5萬(wàn)元，環(huán)保投資390萬(wàn)元，占投資的1.00%。 資料顯示，河北同光科技發(fā)展有限公司成立于2020年4月，位于保定市淶源縣河北淶源經(jīng)...  [詳內(nèi)文]

南京新增一家碳化硅相關(guān)設(shè)備公司，注冊(cè)資本1000萬(wàn)元

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 17 日 14:10 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
企查查顯示，4月上旬，南京晶逸半導(dǎo)體科技有限公司成立，法定代表人為張小潞，注冊(cè)資本1000萬(wàn)元，經(jīng)營(yíng)范圍包含：半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備制造；電子專(zhuān)用設(shè)備制造；電子專(zhuān)用材料制造；石墨及碳素制品制造等。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 企查查股權(quán)穿透顯示，該公司由晶升股份等共同持...  [詳內(nèi)文]