文章分類： 企業(yè)

超高壓碳化硅大功率芯片項目簽約

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 18:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)普州大地消息，近期，四川普州大地城市產(chǎn)銀科技發(fā)展有限公司與新加坡拓譜電子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功簽署合作協(xié)議，標志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要的合作步伐。 source：普州大地 根據(jù)協(xié)議，雙方將共同成立一家專注于超高壓...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技、悉智科技碳化硅新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 18:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，小米Su7 Ultra新能源汽車引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注，據(jù)媒體披露，小米SU7 Ultra全車預(yù)計使用172顆SiC芯片，覆蓋電驅(qū)系統(tǒng)、車載電源和空調(diào)壓縮機控制器等核心部件。這種全域應(yīng)用不僅強化了車輛的動力性能，還通過減小系統(tǒng)體積和重量，助力車身輕量化設(shè)計。 碳化硅（SiC）作為...  [詳內(nèi)文]

最新，安森美/比亞迪在碳化硅功率取得進展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，安森美和比亞迪相繼推出了碳化硅技術(shù)/新品，引起市場諸多關(guān)注。 01 安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模塊 3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。 s...  [詳內(nèi)文]

EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:19 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 氮化鎵GaN
3月19日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）宣布，其在與美國宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）發(fā)起的專利侵權(quán)案中取得決定性勝利。 3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專...  [詳內(nèi)文]

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設(shè)計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

180萬片，斯達半導(dǎo)重慶車規(guī)級功率模塊項目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:01 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)西部重慶科學(xué)城最新消息，3月17日，斯達半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地正式封頂，標志著國內(nèi)首條年產(chǎn)能達180萬片的車規(guī)級IGBT與碳化硅（SiC）模塊產(chǎn)線進入投產(chǎn)倒計時。 公開資料顯示，這一項目由長安汽車旗下深藍汽車與斯達半導(dǎo)體聯(lián)合打造。斯達半導(dǎo)體與深藍汽車的合作始于2023年，...  [詳內(nèi)文]

這家破產(chǎn)的GaN工廠，被全球三大公司競購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，一場圍繞氮化鎵（GaN）技術(shù)的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽為歐洲GaN技術(shù)先驅(qū)的BelGaN工廠，因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產(chǎn)，其440名員工的命運與價值1.3億歐元的資產(chǎn)標的，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落，BelGaN花落誰家 B...  [詳內(nèi)文]

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:02 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導(dǎo)體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時間的技術(shù)研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時，...  [詳內(nèi)文]

聚焦三代半等領(lǐng)域，江蘇首只高?？萍汲晒D(zhuǎn)化基金完成注冊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)江蘇金融湃消息，近日江蘇首只高?？萍汲晒D(zhuǎn)化基金——南京高校科技成果轉(zhuǎn)化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金，將重點投向第三代半導(dǎo)體、前沿新材料等戰(zhàn)略領(lǐng)域，為高?？蒲谐晒D(zhuǎn)化注入”耐心資本”。 據(jù)悉，該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

國家隊再投一家化合物半導(dǎo)體大廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息顯示，3月13日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（以下簡稱“大基金二期”）投資入股了昂坤視覺（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 此前，昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機電等知名產(chǎn)業(yè)方，金浦投資、招商致遠、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清...  [詳內(nèi)文]