近期，時代電氣、三安光電兩家公司在投資者互動平臺答復投資者關心的問題，涉及碳化硅產(chǎn)能、技術等新進展。
時代電氣表示，公司擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。
當前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設計定型，達行業(yè)先進水平，第五代SiC技術也已完成布局。目前SiC重點產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiCMOSFET、1200V精細平面柵SiCMOSFET，1200VSBD等，1200V溝槽柵SiCMOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。
公司SiCMOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，可廣泛應用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領域。
株洲三期于2024年11月份啟動建設，2025年5月主體廠房封頂，預計2025年下半年啟動設備搬入，2025年底有望實現(xiàn)產(chǎn)線拉通，該項目為8英寸SiC晶圓。
圖片來源：時代電氣
三安光電在投資者互動平臺披露多項業(yè)務進展。
12英寸碳化硅襯底正在開發(fā)中；湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已實現(xiàn)向通合、科士達、致瞻等充電樁客戶批量供貨，以及臺達、光寶、長城、維諦技術等數(shù)據(jù)中心及AI服務器電源客戶供貨。
湖南三安的主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內(nèi)頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗證已完成。此外，湖南三安已布局氧化鎵、金剛石等第四代半導體材料的研發(fā)。
產(chǎn)能方面，三安光電介紹，湖南三安已擁有6吋碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8吋碳化硅襯底產(chǎn)能1,000片/月、外延產(chǎn)能2,000片/月，8吋碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設中。安意法已于2025年2月實現(xiàn)通線，首次建設產(chǎn)能2,000片/月；重慶三安首次建設產(chǎn)能2,000片/月，已開始逐步釋放產(chǎn)能。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
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