北方華創(chuàng):兩款化合物外延設備通過龍頭客戶驗收

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 07 月 02 日 14:37 | 分類 企業(yè)

7月1日,北方華創(chuàng)披露,其自主研發(fā)的兩款MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積)外延設備——Satur N800和Satur V700順利通過行業(yè)龍頭客戶驗收,并獲得批量重復訂單。

MOCVD設備是一種以金屬有機化合物為原料,通過氣相外延生長技術來制備高質量薄膜材料的先進設備。其核心優(yōu)勢在于能夠在原子級別對復雜材料進行精準操控,實現(xiàn)納米級別的精度控制以及量子級別的界面調控。為了保障生長過程中材料的純度和生長的穩(wěn)定性,該設備配備了高真空環(huán)境以及高精度的溫控系統(tǒng),從而確保薄膜材料的高質量生長。

圖片來源:北方華創(chuàng)——圖為北方華創(chuàng)化合物半導體設備布局

北方華創(chuàng)自2010年啟動外延裝備研發(fā)以來,已積累了十余年的技術沉淀與創(chuàng)新突破。公司在硅薄膜外延設備領域實現(xiàn)了從4英寸到12英寸的全覆蓋,產品涵蓋8英寸及以下的單片及多片大產能硅外延設備、12英寸硅外延設備,并累計銷售突破千腔,取得了多項技術創(chuàng)新和產業(yè)化成果。

憑借在硅外延設備領域的深厚積累,北方華創(chuàng)積極拓展化合物半導體外延設備研發(fā),形成了GaN(氮化鎵)、GaAs(砷化鎵)、SiC(碳化硅)等化合物半導體材料外延設備的系列化產品,為寬禁帶半導體產業(yè)的快速發(fā)展提供了關鍵的國產化裝備支持。

北方華創(chuàng)的GaN MOCVD外延設備Satur N800,專為8英寸硅基氮化鎵功率器件設計,具備大面積均勻溫度場、穩(wěn)定氣流場、多片式大產能和自動化配置,滿足外延層高要求,已在國內多家客戶穩(wěn)定運行并批量出貨。

圖片來源:北方華創(chuàng)——圖為Satur系列MOCVD設備

GaAs MOCVD外延設備Satur V700,突破關鍵技術,具備高均勻性、大產能、低成本優(yōu)勢,適用于Micro LED、射頻、光電子等領域,已批量出貨并獲客戶重復訂單。

SiC外延設備MARS iCE115/120S,工藝調試簡單,維護便捷,迅速占領市場。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延,具備C2C能力,為SiC產業(yè)過渡期提供良好選擇。

根據(jù)北方華創(chuàng)2024年年度報告及2025年一季度財報顯示,北方華創(chuàng)半導體設備收入持續(xù)強勁增長。其中,SiC外延設備作為公司重要增長點之一,受益于新能源汽車和工業(yè)電源對SiC器件的強勁需求,其市場份額進一步擴大,獲得了多家頭部SiC制造企業(yè)的訂單及重復采購。公司產品,特別是MARS iCE120S在兼容6/8英寸SiC外延方面的優(yōu)勢,持續(xù)助力客戶產能升級。

(集邦化合物半導體 EMMA 整理)

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