近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布啟動(dòng)全球首條200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工業(yè)級開放研發(fā)生產(chǎn)線。
圖片來源：A-STAR圖為A-STAR首席執(zhí)行官 Beh Kian Teik?
該生產(chǎn)線由ASTAR微電子研究所（IME）運(yùn)營，整合了從材料生長、缺陷分析到器件制造與測試的完整流程，旨在解決SiC技術(shù)開發(fā)中高成本、技術(shù)分散等挑戰(zhàn)，加速其在電動(dòng)汽車、電網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的商業(yè)化進(jìn)程。
新加坡貿(mào)易和工業(yè)部第二部長陳詩龍透露，該生產(chǎn)線可供新加坡本地公司使用，特別是那些服務(wù)于電力電子終端市場的公司。它為本地企業(yè)提供了一個(gè)先進(jìn)的研發(fā)和生產(chǎn)平臺，使企業(yè)能夠更便捷地開展碳化硅相關(guān)技術(shù)的研究和產(chǎn)品開發(fā)，提升自身的技術(shù)水平和市場競爭力。
另據(jù)媒體報(bào)道，該產(chǎn)線將與ASM、centrotherm、Soite等公司合作，其中centrotherm提供高溫退火與氧化設(shè)備，IME將與Soite聯(lián)合開發(fā)SmartSiC?技術(shù)，結(jié)合Soitec的SmartCut?工藝與IME的中試線，目標(biāo)生產(chǎn)節(jié)能型高質(zhì)量SiC晶圓。
未來，A-STAR還將與意法半導(dǎo)體、ULVAC和新加坡國立大學(xué)等達(dá)成合作。其中，與意法半導(dǎo)體的合作聚焦研發(fā)SiC功率器件及封裝模塊，優(yōu)化汽車與工業(yè)應(yīng)用性能，加速綠色出行及能效提升。
作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要樞紐，新加坡正加速布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。
政策與資金方面，新加坡政府宣布投入10億新元（約7.45億美元）設(shè)立全新半導(dǎo)體研發(fā)中心，聚焦先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體材料等前沿領(lǐng)域。
生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，除了上述8英寸產(chǎn)線外，Soitec新加坡工廠也在積極擴(kuò)產(chǎn)。Soitec計(jì)劃到2026年將全球年產(chǎn)能提升至450萬片，其新加坡工廠擴(kuò)產(chǎn)300mm SOI晶圓，并涵蓋SiC材料生產(chǎn)。
近年，全球爭相發(fā)力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，亞洲國家表現(xiàn)活躍，新加坡是代表之一，此外，中國、日本、韓國同樣在大力布局。
中國“十四五”規(guī)劃明確提出將第三代半導(dǎo)體列為重點(diǎn)發(fā)展方向，通過國家科技重大專項(xiàng)、產(chǎn)業(yè)基金等推動(dòng)技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)業(yè)鏈布局上，天科合達(dá)、山東天岳等公司聚焦SiC襯底生產(chǎn)，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張；比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)等公司積極開發(fā)車規(guī)級SiC功率模塊，應(yīng)用于新能源汽車；英諾賽科全球首個(gè)8英寸GaN芯片量產(chǎn)，覆蓋消費(fèi)電子與數(shù)據(jù)中心；蔚來、小鵬等車企加速SiC電機(jī)控制器滲透。
日本第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表企業(yè)包括羅姆、住友電工、三菱電機(jī)等，該國通過“半導(dǎo)體·數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”提供研發(fā)補(bǔ)貼，強(qiáng)化材料與設(shè)備優(yōu)勢。
韓國“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略”提出投資4500億美元建設(shè)全球最大半導(dǎo)體集群，第三代半導(dǎo)體為重點(diǎn)方向。此外，三星電子等半導(dǎo)體大廠也在積極研發(fā)SiC模塊，韓國還與Soitec合作，引入法國SmartSiC?技術(shù)，提升本地SiC晶圓質(zhì)量。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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