近日，德州儀器宣布推出全新集成式氮化鎵（GaN）功率級系列，包括LMG3650R035、LMG3650R025和LMG3650R070。
該系列采用行業(yè)標準TOLL（晶體管外形無引線）封裝，結合高性能柵極驅(qū)動器與650V GaN場效應晶體管（FET），可顯著提升電源設計的功率密度和效率，適用于數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源及可再生能源等高需求應用場景。
source：德州儀器
德州儀器工業(yè)電源設計服務總經(jīng)理Robert Taylor表示：隨著數(shù)據(jù)中心對能源的需求日益增加，全球數(shù)字基礎設施供電領域開始使用更智能、更高效的半導體，先進的芯片驅(qū)動著人工智能的計算能力，而模擬半導體則是提高能源效率的關鍵。我們創(chuàng)新的電源管理技術使數(shù)據(jù)中心能夠減少其對環(huán)境的影響，同時幫助我們滿足數(shù)字世界日益增長的需求。
新的功率級集成了高性能柵極驅(qū)動器與 650V GaN 場效應晶體管 (FET)，同時實現(xiàn)了高效率 (>98%) 和高功率密度 (>100W/in3)。這些器件還集成了先進的保護功能，包括過電流保護、短路保護和過溫保護。這對于服務器電源等交流/直流應用尤為重要，因為設計人員面臨著在更小空間內(nèi)提供更大功率的挑戰(zhàn)。
此前， 德州儀器基于氮化鎵（GaN）的功率半導體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)，加上已有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍，大幅增強了其供應鏈穩(wěn)定性。
隨著AI、云計算及5G技術的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對高能效電源的需求激增。德州儀器的GaN功率級系列可助力服務器電源、儲能系統(tǒng)及電動汽車充電設備實現(xiàn)更高功率密度和更低能耗，從而降低運營成本并減少碳足跡。（集邦化合物半導體妮蔻整理）