日前，國星光電公布了MiniLED產(chǎn)品的最新規(guī)劃，隨后，該公司在行業(yè)論壇上也透露了Micro LED技術研發(fā)的最新進展。
今年6月，國星推出第一代Micro LED顯示新品 nStarⅠ，采用玻璃基板工藝、RGB芯片巨量轉移技術以及一體式超薄封裝技術，有助于實現(xiàn)被動式驅動Micro LED全彩顯示屏。
國星Micro LED顯示新品 nStarⅠ（圖片來源：國星）
目前，國星光電在Micro LED領域已實現(xiàn)了較大的技術突破，在第一代Micro LED顯示屏的基礎上，已與面板廠合作開發(fā)出基于TFT玻璃背板的主動式驅動Micro LED全彩顯示屏。
近日，國星采用自主研發(fā)的巨量轉移技術，已經(jīng)初步實現(xiàn)250PPI以上紅/綠/藍單色轉移鍵合點亮。預計明年將實現(xiàn)P0.1以下的主動式驅動全彩顯示及P0.0x以下的被動式驅動單色顯示，未來可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設備顯示設備、AR/VR等應用市場。
MiniLED芯片方面，早前公開消息顯示，國星半導體的Mini芯片已通過客戶驗證規(guī)格，可供應直顯與背光產(chǎn)品，目前實現(xiàn)小批量出貨。
本月底，國星RGB事業(yè)部將推出高性價比國星MiniLED IMD-M09標準版，預計在2021年做到0.015元/像素點。在承接了SMD 1010在規(guī)?；蛢r格上的優(yōu)勢的基礎上，MiniLED IMD-M09標準版未來價格有望低于SMD 1010。
產(chǎn)能方面，國星現(xiàn)有IMD產(chǎn)能是1000KK/月，預計2021年Q1將顯著提升。值得注意的是，19億的新基地擴產(chǎn)項目將于明年開始啟用。（LEDinside整理）
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