Author Archives: KikiWang

強強聯(lián)合，華潤微和美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 24 日 13:44 | 分類 企業(yè)
近日，華潤微電子與美的集團(tuán)在美的總部（廣東佛山）全球創(chuàng)新中心正式簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)、行業(yè)智能化升級應(yīng)用、供應(yīng)鏈完善等多個關(guān)鍵領(lǐng)域展開深度合作。 source：華潤微電子 據(jù)悉，雙方將共同探索半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用，特別是在智能功率模塊、功率器件和功率集成電...  [詳內(nèi)文]

2025 AI風(fēng)口解碼，集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇定檔
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:23 | 分類 研討會
TSS2025 在全球科技競爭白熱化與AI算力革命交織的當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加速重構(gòu)，晶圓代工、先進(jìn)封裝、IC設(shè)計、存儲器以及第三代半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的發(fā)展，受到前所未有的關(guān)注。 DeepSeek等AI大模型點燃高性能芯片需求，晶圓代工廠商2nm、1nm先進(jìn)制程競爭愈演愈烈，成熟制...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項目建設(shè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:10 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展計劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項目獲得國家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術(shù)路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導(dǎo)體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

芯干線第三代半導(dǎo)體打入多個全球一線品牌供應(yīng)鏈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:43 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個全球一線品牌供應(yīng)鏈。 source：芯干線科技 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內(nèi)文]

投資3.1億元，英飛凌無錫功率半導(dǎo)體項目擴(kuò)產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:40 | 分類 企業(yè) , 功率
4月15日，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項目的環(huán)境影響評價（環(huán)評）公告。此次擴(kuò)建項目擬新增總投資3.1億元人民幣，旨在進(jìn)一步提升其在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 根據(jù)公告，計劃選址于無錫分公司，...  [詳內(nèi)文]

兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:34 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。 01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺 4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（Si...  [詳內(nèi)文]

電網(wǎng)領(lǐng)域開啟碳化硅產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用新藍(lán)海，天岳先進(jìn)助力行業(yè)新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:10 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，中國電機(jī)工程學(xué)會電力系統(tǒng)電力電子器件專委會主任委員邱宇峰在接受央媒《經(jīng)濟(jì)日報》采訪時表示，“作為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢。碳化硅產(chǎn)業(yè)會有兩波應(yīng)用浪潮，第一波在電動汽車領(lǐng)域，第二波在電網(wǎng)領(lǐng)域?？梢钥隙ǖ氖牵蓟柙陔娋W(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車?！?..  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、拉普拉斯2024年報出爐
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，拉普拉斯、晶盛機(jī)電兩家碳化硅領(lǐng)域相關(guān)公司相繼公布2024年報。   1、拉普拉斯?fàn)I收同比增長93.12% 拉普拉斯實現(xiàn)營業(yè)總收入57.28億元，同比增長93.12%；歸屬凈利潤7.29億元，同比增長77.53%。 2024年，拉普拉斯研發(fā)費用為2.96億元，同比增...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新一批專利曝光
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:06 | 分類 企業(yè) , 功率
隨著新能源汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)對高性能功率器件需求的激增，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)迎來新的發(fā)展機(jī)遇。近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局顯示，國內(nèi)一些企業(yè)在功率器件散熱設(shè)計、封裝工藝及晶圓處理等關(guān)鍵領(lǐng)域取得系列專利。 1、寧德時代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專...  [詳內(nèi)文]