文章分類： 氮化鎵GaN

英飛凌預(yù)測(cè)2025年GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用趨勢(shì)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 27 日 10:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》，針對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、儲(chǔ)能、移動(dòng)出行、電信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域的應(yīng)用以及未來(lái)前景展望做出了詳細(xì)解讀。 英飛凌指出，氮化鎵功率半導(dǎo)體正處于高速增長(zhǎng)軌道，并在多個(gè)行業(yè)逐步邁向關(guān)鍵拐點(diǎn)。目前消費(fèi)類充電器和適配器已率先...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技：碳化硅等先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目將于2025年建成投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 15:55 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，珂瑪科技在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司先進(jìn)陶瓷材料零部件在泛半導(dǎo)體等多個(gè)下游領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，客戶需求增長(zhǎng)迅速，訂單資源充足。公司位于蘇州的募投項(xiàng)目“先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目”將于本年建成投產(chǎn)，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后將大幅度增加模塊化產(chǎn)品的產(chǎn)能。 資料顯示，珂瑪科技于2024年8月16日登陸深...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體設(shè)備廠商思銳智能擬A股IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:09 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月19日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“思銳智能”）擬沖擊A股IPO的消息引發(fā)市場(chǎng)廣泛關(guān)注。 官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部位于青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。公司主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)項(xiàng)目落地成都高新區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:04 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，2月18日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”）與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。 中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲(chǔ)芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科重磅新品，大功率氮化鎵來(lái)襲

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:37 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC： 采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。 ISG612xTD SolidGaN IC ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [詳內(nèi)文]

HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 11:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。 基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進(jìn)一步微縮，縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲得3200萬(wàn)美元C輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 11:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵廠商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200萬(wàn)美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國(guó)耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國(guó)企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國(guó)展望集團(tuán)（Foresi...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報(bào)道，印度信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時(shí)，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

江蘇再添一碳化硅項(xiàng)目！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:15 |
| 分類: 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對(duì)“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬(wàn)噸碳化硅高級(jí)研磨材料及年產(chǎn)10萬(wàn)件碳化硅陶瓷制品項(xiàng)目”環(huán)評(píng)文件擬審批意見。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項(xiàng)目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 10:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細(xì)分領(lǐng)域，近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場(chǎng)關(guān)注。近期，市場(chǎng)傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]