山東離子注入機(jī)迎突破,助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展!

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 09 日 16:07 | 分類 企業(yè)

近期,大眾日報(bào)報(bào)道#艾恩半導(dǎo)體?自主研發(fā)制造的第一代碳化硅離子注入機(jī)已經(jīng)推向市場,正由芯片制造廠商進(jìn)行驗(yàn)證。

除已推向市場的第一代碳化硅離子注入機(jī)外,艾恩半導(dǎo)體對標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的第二代碳化硅離子注入機(jī)目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中,有望于今年9月面市。今年6月,該公司還將推出一款硅基中束流離子注入機(jī)。

除此之外,由艾恩半導(dǎo)體自主研發(fā)制造的碳化硅大束流離子注入機(jī),預(yù)計(jì)將于今年年底推向市場,有望填補(bǔ)國產(chǎn)設(shè)備在這一領(lǐng)域的空白。

資料顯示,離子注入機(jī)是芯片制造領(lǐng)域僅次于光刻工藝的重要環(huán)節(jié),其注入效果決定了芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件最基本、最核心的電學(xué)性能,對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。

由于技術(shù)復(fù)雜度高、驗(yàn)證周期長的特點(diǎn),長期以來離子注入機(jī)被國外大廠壟斷,國產(chǎn)化率極低,國內(nèi)半導(dǎo)體廠商極易被“卡脖子”。這一背景下,近年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極瞄準(zhǔn)該領(lǐng)域發(fā)展。

艾恩半導(dǎo)體專注于芯片制造核心設(shè)備——離子注入機(jī)研發(fā)、制造,2024年年底,在其天使投資人——魯信集團(tuán)直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的“牽線搭橋”下,艾恩半導(dǎo)體將公司總部遷入山東、落地濟(jì)南高新區(qū)。

source:艾恩半導(dǎo)體

據(jù)悉,魯信創(chuàng)投在艾恩半導(dǎo)體成立之初便進(jìn)行投資孵化,積極通過招商引資助其落戶山東,將有效補(bǔ)強(qiáng)山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,充分發(fā)揮承上啟下作用,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展,打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,助力國產(chǎn)離子注入機(jī)供應(yīng)鏈自主可控盡快成為現(xiàn)實(shí)。

山東作為中國工業(yè)大省,正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。山東已將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)納入新材料產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃核心板塊,明確提出實(shí)施“標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略材料攻堅(jiān)行動(dòng)”。

目前,山東已形成涵蓋襯底材料、外延生長、芯片設(shè)計(jì)、器件制造到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈,涌現(xiàn)出山東天岳、山東晶鎵、艾恩半導(dǎo)體等眾多知名企業(yè)。

區(qū)域布局上,濟(jì)南依托國家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地,聚焦碳化硅基功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn),打造國際先進(jìn)產(chǎn)業(yè)基地;青島發(fā)揮整機(jī)應(yīng)用優(yōu)勢,形成從材料到封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈;濟(jì)寧強(qiáng)化上游材料基礎(chǔ),濰坊布局研發(fā)創(chuàng)新,其他地市差異化協(xié)同發(fā)展。

其中,濟(jì)南近期發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》,提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能,打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地,加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè),加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度,爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。