三家企業(yè)聯(lián)合,攻關8英寸外延片功率器件工藝

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:42 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

據(jù)深圳國資消息,3月18日,重投天科與鵬進高科、尚陽通科技正式簽署合作協(xié)議,共同聚焦于8英寸外延片功率器件工藝的聯(lián)合攻關。這一合作標志著國內(nèi)半導體企業(yè)在關鍵材料技術領域的深度協(xié)同,旨在突破高端功率器件制造中的關鍵技術瓶頸。

source:深重投集團

8英寸外延片是半導體制造中的重要基礎材料,其性能直接影響功率器件的效率和可靠性。當前,高端外延片市場仍被國外企業(yè)占據(jù)較大份額,國內(nèi)企業(yè)在該領域的突破對于實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控具有重大意義。

公開資料顯示,重投天科憑借其在產(chǎn)業(yè)投資和資源整合方面的優(yōu)勢,為合作項目提供了堅實的資金支持和戰(zhàn)略規(guī)劃。鵬進高科在功率器件設計和制造工藝上擁有深厚的技術積累,而尚陽通科技則在半導體材料研發(fā)和生產(chǎn)方面具備強大實力。三方優(yōu)勢互補,形成了從材料研發(fā)到器件制造的完整技術鏈條。

此次合作不僅有助于突破外延片功率器件的關鍵技術瓶頸,還將推動國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。通過聯(lián)合攻關,三家企業(yè)有望加速技術轉(zhuǎn)化,提升我國在高端功率器件領域的自給率,減少對進口產(chǎn)品的依賴,為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展奠定堅實基礎。

活動當日,深圳國資委重點推介了深重投集團的“國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺。據(jù)悉,深重投集團的“國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺”聚焦打造具有全國重要影響力的第三代及第四代半導體技術創(chuàng)新中心、中試轉(zhuǎn)化集聚中心、產(chǎn)業(yè)合作促進中心,支撐國家重大戰(zhàn)略需求,服務行業(yè)高質(zhì)量可持續(xù)發(fā)展。

2024年11月中旬,深重投集團投建的國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺正式亮相。據(jù)介紹,建成發(fā)布的深圳綜合平臺具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設計及試制能力。

據(jù)悉,深圳綜合平臺主要由三部分組成:

一、8英寸中試工藝平臺,可覆蓋第三代功率半導體襯底、外延、器件制備、封裝測試、失效分析、可靠性驗證全鏈條,具備研發(fā)、中試與產(chǎn)業(yè)化能力;

二、功率半導體分析檢測中心,將為產(chǎn)業(yè)提供全面、細致且高效的服務和解決方案,幫助合作伙伴加速技術創(chuàng)新;

三、自主可控的第三代半導體工程服務平臺,提供復雜的計算機仿真、驗證、培訓、成果轉(zhuǎn)化服務。

在更早的2024年2月,由重投天科建設運營的第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳啟動。項目總投資32.7億元,重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線。(集邦化合物半導體 王奇 整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。