source：英飛凌

受國際形勢影響，英飛凌2025年的同比增速將略有下降。英飛凌預(yù)計(jì)第三財(cái)季營收37億歐元，市場預(yù)估38.4億歐元。

同日，英飛凌發(fā)布新一代750V 碳化硅MOSFET——750V CoolSiC MOSFET車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻范圍7mΩ至140mΩ。該產(chǎn)品適用于對可靠性、功率密度和效率有嚴(yán)格要求的應(yīng)用，包括車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-AC轉(zhuǎn)換器，以及AI服務(wù)器、太陽能逆變器和電動(dòng)汽車充電設(shè)備。

稍早之前，英飛凌還宣布德國政府已給予公司德累斯頓新芯片工廠最終融資批準(zhǔn)。英飛凌將自行投資50億歐元，創(chuàng)造至多1000個(gè)新工作崗位。此外，英飛凌還通過參與合資企業(yè) “歐洲半導(dǎo)體制造公司”（ESMC）在德累斯頓進(jìn)行投資。

歐盟委員會(huì)于今年2月批準(zhǔn)德國政府向英飛凌提供9.2億歐元財(cái)政支持，用于德累斯頓工廠的建設(shè)。該廠于2023年5月動(dòng)工，建設(shè)正按計(jì)劃進(jìn)行，建筑主體已基本完工，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

除已推向市場的第一代碳化硅離子注入機(jī)外，艾恩半導(dǎo)體對標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的第二代碳化硅離子注入機(jī)目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中，有望于今年9月面市。今年6月，該公司還將推出一款硅基中束流離子注入機(jī)。

除此之外，由艾恩半導(dǎo)體自主研發(fā)制造的碳化硅大束流離子注入機(jī)，預(yù)計(jì)將于今年年底推向市場，有望填補(bǔ)國產(chǎn)設(shè)備在這一領(lǐng)域的空白。

資料顯示，離子注入機(jī)是芯片制造領(lǐng)域僅次于光刻工藝的重要環(huán)節(jié)，其注入效果決定了芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件最基本、最核心的電學(xué)性能，對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。

由于技術(shù)復(fù)雜度高、驗(yàn)證周期長的特點(diǎn)，長期以來離子注入機(jī)被國外大廠壟斷，國產(chǎn)化率極低，國內(nèi)半導(dǎo)體廠商極易被“卡脖子”。這一背景下，近年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極瞄準(zhǔn)該領(lǐng)域發(fā)展。

艾恩半導(dǎo)體專注于芯片制造核心設(shè)備——離子注入機(jī)研發(fā)、制造，2024年年底，在其天使投資人——魯信集團(tuán)直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的“牽線搭橋”下，艾恩半導(dǎo)體將公司總部遷入山東、落地濟(jì)南高新區(qū)。

source：艾恩半導(dǎo)體

據(jù)悉，魯信創(chuàng)投在艾恩半導(dǎo)體成立之初便進(jìn)行投資孵化，積極通過招商引資助其落戶山東，將有效補(bǔ)強(qiáng)山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，充分發(fā)揮承上啟下作用，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，助力國產(chǎn)離子注入機(jī)供應(yīng)鏈自主可控盡快成為現(xiàn)實(shí)。

山東作為中國工業(yè)大省，正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。山東已將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)納入新材料產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃核心板塊，明確提出實(shí)施“標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略材料攻堅(jiān)行動(dòng)”。

目前，山東已形成涵蓋襯底材料、外延生長、芯片設(shè)計(jì)、器件制造到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈，涌現(xiàn)出山東天岳、山東晶鎵、艾恩半導(dǎo)體等眾多知名企業(yè)。

區(qū)域布局上，濟(jì)南依托國家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地，聚焦碳化硅基功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)，打造國際先進(jìn)產(chǎn)業(yè)基地；青島發(fā)揮整機(jī)應(yīng)用優(yōu)勢，形成從材料到封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈；濟(jì)寧強(qiáng)化上游材料基礎(chǔ)，濰坊布局研發(fā)創(chuàng)新，其他地市差異化協(xié)同發(fā)展。

其中，濟(jì)南近期發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。

01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)

近期，南京日報(bào)深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)始人袁振洲，揭秘我國8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)背后的“晶體種植術(shù)”。

袁振洲指出，“種”晶體的主要材料就是籽晶和高純度碳化硅粉料。籽晶是形成晶體的‘種子’，當(dāng)溫度升至2300℃以上時(shí)，高純度碳化粉料升華，傳輸至籽晶附近，達(dá)到過飽和狀態(tài)后重新結(jié)晶，逐漸形成完美的晶體。隨后通過精細(xì)的切割、研磨和拋光工序，這些晶體被轉(zhuǎn)化為光滑的單晶襯底，襯底尺寸越大，所能產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多。

隨著尺寸的增大，內(nèi)部晶體缺陷的風(fēng)險(xiǎn)也相應(yīng)增加。面對這些挑戰(zhàn)，袁振洲帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)不斷攻克難關(guān)，先后突破了低應(yīng)力晶體生長、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)，形成了一整套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工藝。如今，超芯星已成為國內(nèi)少數(shù)幾家能夠批量供應(yīng)碳化硅襯底片的企業(yè)之一，同時(shí)也是江蘇省內(nèi)唯一一家覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的碳化硅材料公司。

展望未來，袁振洲表示公司近期目標(biāo)是推動(dòng)8英寸碳化硅襯底的大規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)，致力于打造品牌影響力，為南京的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)力量。

02、重投天科6&8吋產(chǎn)品已推向市場

深圳特區(qū)報(bào)消息，深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱：“北京天科合達(dá)”）和市屬國企深重投集團(tuán)兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導(dǎo)體企業(yè)。

該公司位于深圳市寶安區(qū)石巖街道，這里曾經(jīng)是一片荒蕪的土地，經(jīng)過五年的發(fā)展，如今已建起大片廠房，總建筑面積達(dá)到179045平方米，深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園從藍(lán)圖變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

source：深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

報(bào)道指出，重投天科高質(zhì)量的6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場。據(jù)悉，按照正常設(shè)計(jì)、施工工期，產(chǎn)業(yè)園建設(shè)工期需要約28個(gè)月，面對市場對于產(chǎn)能的迫切需求，重投天科最終僅用了19個(gè)月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線順利投產(chǎn)。

03、晶升股份8英寸設(shè)備持續(xù)推進(jìn)

近期，晶升股份發(fā)布2024年報(bào)和2025年一季報(bào)，公司2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入4.25億元，同比增長4.78%；2025Q1實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入0.71億元，同比減少12.69%。

晶升股份是國內(nèi)晶體生長設(shè)備領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一，碳化硅單晶爐領(lǐng)域，晶升股份是國內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)的企業(yè)。

此外，該公司還前瞻性布局8英寸碳化硅長晶設(shè)備，自主研發(fā)的SCMP系列單晶爐已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，為未來3年至5年碳化硅襯底向大尺寸迭代提供設(shè)備保障。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

近期，基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)多場景需求；英飛凌則將基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)（TSJ）引入其CoolSiC產(chǎn)品線，實(shí)現(xiàn)器件性能與能效的雙重躍升。兩項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展顯示，碳化硅功率器件正朝著提升集成度和降低損耗的方向發(fā)展，有助于下游應(yīng)用實(shí)現(xiàn)能效提升。

1、基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

5月6日，#基本半導(dǎo)體?官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲(chǔ)逆變器等領(lǐng)域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。

據(jù)基本半導(dǎo)體介紹，其中的650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級(jí)下實(shí)現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。

這一系列新品將顯著提升終端應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高效、更經(jīng)濟(jì)的功率器件解決方案。

source：基本半導(dǎo)體（圖為新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表）

2、英飛凌推出基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)

5月6日，#英飛凌?科技股份公司宣布，其CoolSiC產(chǎn)品線正式引入基于溝槽的碳化硅超結(jié)技術(shù)（TSJ），將電壓覆蓋范圍擴(kuò)展至400V至3.3kV，全面覆蓋汽車電驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、光伏逆變、儲(chǔ)能系統(tǒng)及工業(yè)牽引等核心領(lǐng)域。

英飛凌此次技術(shù)升級(jí)延續(xù)了其在硅基超結(jié)技術(shù)（CoolMOS）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，通過將溝槽柵極結(jié)構(gòu)與超結(jié)電荷平衡原理結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了器件性能的突破性提升。

英飛凌表示，英飛凌正在利用 SiC TSJ 技術(shù)逐步擴(kuò)展其 CoolSiC 產(chǎn)品組合。此次擴(kuò)展將涵蓋多種封裝類型，包括分立器件、模制和基于框架的模塊，以及裸片。擴(kuò)展后的產(chǎn)品組合將滿足廣泛的應(yīng)用需求，同時(shí)針對汽車和工業(yè)領(lǐng)域。

3、結(jié)語

當(dāng)前碳化硅技術(shù)突破正推動(dòng)器件性能與能效持續(xù)提升，基本半導(dǎo)體與英飛凌的技術(shù)進(jìn)展為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等場景提供了更優(yōu)的功率解決方案。隨著工藝成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同深化，碳化硅器件的規(guī)?；瘧?yīng)用進(jìn)程有望進(jìn)一步加速。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

相關(guān)論文以《4H-SiC 超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)》（4H-SiC Metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation）為題發(fā)表在 Advanced Materials 上 。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

相較于常規(guī)商用物鏡，該超透鏡在保持衍射極限聚焦性能的同時(shí)，展現(xiàn)出卓越的熱穩(wěn)定性，能夠在長時(shí)間高功率激光輻照下維持性能穩(wěn)定，幾乎不受熱吸收影響。這一成果得益于4H-SiC材料的優(yōu)異特性，包括高光學(xué)透過率與折射率、高熱導(dǎo)率以及高硬度和抗劃傷能力，使其成為高性能光學(xué)器件的理想材料。

新型超透鏡充分利用了4H-SiC的高熱導(dǎo)率和低損耗特性，有效抑制了熱漂移效應(yīng)，從而擺脫了對復(fù)雜冷卻系統(tǒng)的依賴。該技術(shù)突破不僅為高功率激光系統(tǒng)提供了關(guān)鍵支持，還為精密儀器制造、極地探險(xiǎn)、航空航天等多個(gè)領(lǐng)域帶來了新的可能性，特別是在對加工精度和表面質(zhì)量要求極高的領(lǐng)域，4H-SiC超透鏡 將發(fā)揮重要作用，為高功率激光應(yīng)用提供更加高效、緊湊的解決方案。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

圖為4H-SiC超透鏡（左）與傳統(tǒng)物鏡（右）的熱漂移效應(yīng)示意圖

稍早之前，西湖大學(xué)還公布了另一項(xiàng)碳化硅技術(shù)突破：由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功開發(fā)12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù)，解決超大尺寸碳化硅襯底切片難題。通過激光在材料內(nèi)部形成數(shù)億個(gè)極細(xì)小“爆破點(diǎn)”，實(shí)現(xiàn)晶錠逐層自動(dòng)剝離，出片速度較傳統(tǒng)切割提升顯著，材料損耗降低50%。

這兩項(xiàng)突破標(biāo)志著西湖大學(xué)在碳化硅材料應(yīng)用與技術(shù)研發(fā)方面處于國際領(lǐng)先地位，為高功率激光系統(tǒng)、精密制造、航空航天及新能源產(chǎn)業(yè)提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

調(diào)整后每股盈利方面，安森美半導(dǎo)體表現(xiàn)尚可，為0.55美元，高于市場預(yù)期的0.5美元。同時(shí)，公司對當(dāng)前季度（2025年第二財(cái)季）的業(yè)績展望相對樂觀，預(yù)計(jì)調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元，營收為14億至15億美元，其中值略高于市場預(yù)期的14.1億美元。

2025財(cái)年第一季度，各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)如下：電源方案部（PSG）營收6.451億美元，同比下降26%；模擬與混合信號(hào)部（AMG）營收5.664億美元，同比下降19%；智能感知部（ISG）營收2.342億美元，同比下降20%。這表明公司各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)不一，部分業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

安森美半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 表示，盡管面臨經(jīng)濟(jì)下行和市場需求疲軟的挑戰(zhàn)，公司仍保持財(cái)務(wù)紀(jì)律并推進(jìn)長期戰(zhàn)略。他認(rèn)為，當(dāng)前的財(cái)報(bào)體現(xiàn)了公司穩(wěn)健的執(zhí)行力。

盡管首財(cái)季業(yè)績不佳，安森美半導(dǎo)體仍在積極采取措施應(yīng)對挑戰(zhàn)，尋求新的增長機(jī)遇。公司計(jì)劃在2025年將股份回購增至自由現(xiàn)金流的100%，顯示其對自身業(yè)務(wù)的信心。此外，安森美半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)強(qiáng)勁勢頭，尤其在中國電動(dòng)汽車市場，其碳化硅技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。公司預(yù)計(jì)，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)一步推廣和應(yīng)用，這將為公司帶來新的收入增長點(diǎn)。

據(jù)悉，近期安森美推出了基于碳化硅的智能功率模塊，旨在降低能耗和整體系統(tǒng)成本。公司在捷克的碳化硅工廠擴(kuò)建項(xiàng)目也在穩(wěn)步推進(jìn)中，預(yù)計(jì)將顯著提升其碳化硅晶圓的產(chǎn)能。

對于2025財(cái)年第二季度，安森美半導(dǎo)體預(yù)計(jì)營收為14億至15億美元，經(jīng)調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元。這一預(yù)期反映了公司對市場環(huán)境的謹(jǐn)慎態(tài)度，并表明公司正努力調(diào)整業(yè)務(wù)策略以適應(yīng)不斷變化的市場需求。

此外，公司上月終止了對小型競爭對手Allegro MicroSystems高達(dá)69億美元的收購案，原因是對方董事會(huì)未能充分回應(yīng)其并購提案。

總體而言，安森美半導(dǎo)體首財(cái)季業(yè)績不佳，收入下滑并由盈轉(zhuǎn)虧，反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)，尤其是在汽車需求疲軟和關(guān)稅政策變化的影響下。盡管公司對下一季度的業(yè)績展望相對樂觀，但其能否在復(fù)雜的市場環(huán)境中持續(xù)復(fù)蘇仍有待觀察。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

羅姆開發(fā)新型碳化硅半導(dǎo)體

日本半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社最新公布了其面向電動(dòng)汽車（EV）生態(tài)體系研發(fā)的新一代功率半導(dǎo)體器件。

source：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

該產(chǎn)品采用第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）技術(shù)，通過創(chuàng)新型電路架構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了相較傳統(tǒng)同類產(chǎn)品50%的能效躍升，為純電動(dòng)車型帶來充電速度與續(xù)航能力的雙重突破。

羅姆研發(fā)團(tuán)隊(duì)在此產(chǎn)品上將之前銷售的功率半導(dǎo)體以4~6個(gè)一組組合為模塊，以便應(yīng)對車載充電器輸出功率為22千瓦級(jí)的大型純電動(dòng)汽車。并計(jì)劃推出耐壓程度等不同的13種模塊，全面覆蓋不同類型純電動(dòng)車需求。

與單獨(dú)使用半導(dǎo)體時(shí)相比，該產(chǎn)品合計(jì)安裝面積可減少50%，不僅可以實(shí)現(xiàn)輕量化，還有助于延長純電動(dòng)汽車的續(xù)航里程，同時(shí)提高電池的使用效率。

在應(yīng)用場景方面，羅姆此次開發(fā)的新型半導(dǎo)體不僅可用于純電動(dòng)汽車的車載充電器，還可應(yīng)用于充電站。

在生產(chǎn)上，羅姆此次采用跨國制造方式，福岡縣和宮崎縣的工廠將會(huì)完成在基板上形成電路的前工序，其泰國工廠將會(huì)進(jìn)行零件組裝的后工序。
此外，對于該新型功率半導(dǎo)體，羅姆計(jì)劃當(dāng)前力爭月產(chǎn)10萬個(gè)，并將年銷售額目標(biāo)定為100億日元。

三菱電機(jī)推出全碳化硅和混合碳化硅IPM模塊SLIMDIP

4月22日，日本三菱電機(jī)株式會(huì)社開始提供用于室內(nèi)空調(diào)和其它家用電器的兩款新型SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊的樣品：全碳化硅型號(hào)PSF15SG1G6與混合碳化硅型號(hào)PSH15SG1G6。并計(jì)劃于5月6日至8日在德國紐倫堡舉行的2025年P(guān)CIM博覽會(huì)和會(huì)議上展出，同時(shí)也將在日本、中國和其它國家舉辦貿(mào)易展覽。

source：三菱電機(jī)半導(dǎo)體

這兩款模塊作為三菱電機(jī)SLIMDIP系列緊湊型端子優(yōu)化模塊中的第一款 SiC版本，具有出色的輸出和功率損耗降低優(yōu)勢，可以在小容量到大容量電器中實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

三菱電機(jī)新開發(fā)的SiC MOSFET芯片被集成到兩種新的SLIMDIP封裝中，通過優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高輸出與低功耗。與硅基組件相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%，可適用于各類容量家電節(jié)能場景。

三菱電機(jī)在碳化硅領(lǐng)域積累深厚：2010年首次將SiC功率模塊應(yīng)用于空調(diào)；2011年開發(fā)的1200A/1700V混合SiC模塊已用于地鐵逆變系統(tǒng)；2013年實(shí)現(xiàn)3.3kV全SiC模塊商業(yè)化；2016年推出搭載SiC-MOSFET的超小型DIPIPM模塊。此次新品進(jìn)一步豐富了SLIMDIP系列的技術(shù)矩陣，為家電能效升級(jí)提供更多選擇。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

碳化硅材料：高折射率助力實(shí)現(xiàn)廣闊視場角FOV

碳化硅材料折射率可達(dá)2.6以上，對比樹脂和玻璃等優(yōu)勢明顯，單層鏡片即可實(shí)現(xiàn)80度以上FOV。常用材料折射率方面，普通樹脂約1.51，高折射率樹脂約1.74；普通玻璃約1.5，高折射率玻璃約1.9。

而SiC材料可達(dá)2.6以上。光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中，基底材料的折射率越高，AR鏡片的視場角FOV就更大。傳統(tǒng)玻璃經(jīng)過三層堆疊后僅為40度左右，單層SiC鏡片即可實(shí)現(xiàn)80度以上FOV，可以提供更輕薄的尺寸和更大更清晰的視覺效果。

碳化硅材料：有效解決光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的彩虹紋問題

碳化硅的高折射率使光柵周期可以設(shè)計(jì)的很小，而小光柵周期會(huì)增大環(huán)境光的衍射角度，超出人眼的觀察范圍后，進(jìn)而解決分光造成的彩虹紋現(xiàn)象。彩虹紋指環(huán)境光透過AR波導(dǎo)后白光變成彩虹光的分光現(xiàn)象，本質(zhì)上是光柵對不同波長（顏色）光的衍射角度差異導(dǎo)致的色散現(xiàn)象。

高折射率的SiC材料可以壓縮光在材料中的有效波長，進(jìn)而降低光柵周期。光柵周期降低后，固定入射角的不同顏色光的色散角差異減小，從而減少了顏色分離。從工藝可行性來看，碳化硅的硬度和化學(xué)穩(wěn)定性支持納米壓印及電子束光刻工藝，工程上可以實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)光柵周期的高精度加工，從而解決彩虹紋現(xiàn)象。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：使用碳化硅襯底（光柵周期=300nm）的衍射光波導(dǎo)，相較于玻璃襯底（光柵周期=500nm），在可見光波段（400-700nm）的色散角差異可降低約40%，彩虹紋主觀感知強(qiáng)度下降超過60%。

碳化硅材料：高熱導(dǎo)性保障性能穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)AR眼鏡輕量化設(shè)計(jì)

碳化硅的熱導(dǎo)率（約490 W/m·K）遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光學(xué)材料如玻璃（約1 W/m·K）和樹脂，能夠快速傳導(dǎo)光機(jī)模塊和計(jì)算單元產(chǎn)生的熱量，避免局部溫度過高導(dǎo)致的性能下降或器件損壞。例如，傳統(tǒng)AR眼鏡因光機(jī)發(fā)熱常觸發(fā)過熱保護(hù)機(jī)制從而降低亮度及刷新率，而碳化硅波導(dǎo)片通過材料自身的高效熱傳導(dǎo)，顯著降低了熱量堆積風(fēng)險(xiǎn)，從而支持高亮度顯示（如5000尼特峰值亮度）和長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

碳化硅材料高導(dǎo)熱性使AR眼鏡得以簡化散熱設(shè)計(jì)進(jìn)而實(shí)現(xiàn)輕量化設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)AR眼鏡依賴鏡腿散熱模塊或主動(dòng)冷卻系統(tǒng)，增加了設(shè)備重量和復(fù)雜度。碳化硅的高熱導(dǎo)性允許將散熱功能集成到光波導(dǎo)片本身，通過被動(dòng)散熱即可滿足需求。此外，優(yōu)秀的散熱性能為提升AR眼鏡集成度、配置更多傳感器留出冗余。

圖為：碳化硅、樹脂、玻璃性能參數(shù)對比

大廠布局AR眼鏡，碳化硅波導(dǎo)有望加速產(chǎn)業(yè)化

科技大廠陸續(xù)布局 AR 眼鏡，有望加速 AR 眼鏡 + 碳化硅波導(dǎo)產(chǎn)業(yè)化。我國是最早實(shí)現(xiàn) AR 眼鏡產(chǎn)業(yè)化的國家，2018 年 Rokid推出AR 眼鏡一代，次年 Xreal推出Light AR 眼鏡。我們認(rèn)為隨著字節(jié)、阿里、蘋果等科技巨頭的入局，AR 眼鏡產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將加速推進(jìn)，從而推動(dòng)市場對性能更優(yōu)產(chǎn)品的追求，進(jìn)而促使高性能碳化硅波導(dǎo)降本增效，加速進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化周期。

Meta開創(chuàng)碳化硅波導(dǎo)AR眼鏡時(shí)代，雷鳥X3Pro有望成為第一個(gè)量產(chǎn)型碳化硅AR眼鏡。從2012年發(fā)布首款 AR眼鏡 Google Glass 開啟行業(yè)探索，到2019 年 Meta 首次演示碳化硅波導(dǎo)AR 眼鏡引領(lǐng)行業(yè)轉(zhuǎn)型，再到 2024 年西湖大學(xué)團(tuán)隊(duì)及 Meta 相繼發(fā)布搭載碳化硅波導(dǎo)的 AR 眼鏡，技術(shù)突破不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向前。2025 Q2雷鳥 X3Pro的發(fā)布有望成為第一個(gè)搭載碳化硅鏡片的量產(chǎn)型AR眼鏡，有望加速碳化硅波導(dǎo)滲透。

茂矽電子的碳化硅制程平臺(tái)建設(shè)始于2023年6月。公司董事長唐亦仙在致股東報(bào)告書中指出，由于部分設(shè)備交付周期長達(dá)2年，2024年至2025年上半年主要處于籌備階段。盡管面臨設(shè)備交付的挑戰(zhàn)，但茂矽電子憑借其在功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，成功建立了生產(chǎn)SiC功率晶體管的代工能力。

未來，茂矽電子計(jì)劃將碳化硅業(yè)務(wù)打造為其6英寸晶圓廠的主力業(yè)務(wù)之一。公司將繼續(xù)引入高競爭力、高毛利率的產(chǎn)品制程技術(shù)，聚焦汽車電子與工業(yè)領(lǐng)域的市場需求，構(gòu)建長期穩(wěn)定的客戶群體，以此推動(dòng)營收增長。

官方資料顯示，中國臺(tái)灣茂矽電子成立于1987年，是一家專注于半導(dǎo)體集成電路及相關(guān)系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)、設(shè)計(jì)、測試、制造與銷售的高科技企業(yè)。據(jù)悉，在1990、1991年，茂矽電子陸續(xù)收購美國茂矽電子與美國華智公司，1995年完成股本大眾化目標(biāo)，股票正式于中國臺(tái)灣證券交易所掛牌上市。該公司早期主要從事DRAM制造業(yè)務(wù)，2003年轉(zhuǎn)型為專業(yè)的晶圓代工公司，聚焦于功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域。

source：茂矽電子

據(jù)悉，茂矽電子晶圓廠坐落于中國臺(tái)灣新竹，6英寸晶圓廠月產(chǎn)能約5.1萬片，2021年總產(chǎn)能達(dá)62.4萬片，硅晶圓出貨總量為14,165百萬平方英寸。根據(jù)茂矽電子的財(cái)報(bào),其2021年的晶圓制造營收約為19.52億新臺(tái)幣（約合6713萬美元）。

進(jìn)入近幾年，茂矽電子的財(cái)務(wù)狀況經(jīng)歷了波動(dòng)。據(jù)2025年2月發(fā)布的新聞報(bào)道，茂矽電子在2024年實(shí)現(xiàn)了營運(yùn)的顯著反轉(zhuǎn)，成功扭虧為盈。全年歸屬于母公司的稅后凈利潤達(dá)到 0.9億新臺(tái)幣。

展望2025年，茂矽電子延續(xù)了良好的增長勢頭。根據(jù)2025年4月發(fā)布的新聞報(bào)道，該公司2025年第一季度（1月至3月）的營收達(dá)到 5.51億新臺(tái)幣，與去年同期相比大幅增長 44.87%。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達(dá)到國際領(lǐng)先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)在無錫組織召開科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團(tuán)周旗鋼教授以及來自東南大學(xué)，南京航空航天大學(xué)，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。

專家組一致認(rèn)為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項(xiàng)目，聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實(shí)現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達(dá)到5cm以上。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項(xiàng)目，獨(dú)創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機(jī)測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機(jī)示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。項(xiàng)目技術(shù)已在有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運(yùn)行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

2、 “增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅基復(fù)合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國際發(fā)明展金獎(jiǎng)

“武漢理工大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院副院長劉凱教授攜項(xiàng)目“增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其部件”參展并榮獲金獎(jiǎng)。

source：武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

據(jù)悉， 上述項(xiàng)目面向極端服役環(huán)境對高性能碳化硅陶瓷材料復(fù)雜構(gòu)件的制造需求，開展了材料-結(jié)構(gòu)-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應(yīng)性碳化硅復(fù)合粉末設(shè)計(jì)制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件的增材制造技術(shù)與裝備，推動(dòng)了增材制造碳化硅陶瓷構(gòu)件在航空航天、能源化工、半導(dǎo)體裝備等領(lǐng)域的工程應(yīng)用。

項(xiàng)目相關(guān)成果已獲得多項(xiàng)國家發(fā)明專利授權(quán)，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結(jié)語

在“雙碳”目標(biāo)與智能制造升級(jí)的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域，推動(dòng)能源效率革命。上述碳化硅技術(shù)突破表明我國在半導(dǎo)體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來中國以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體有望邁上新臺(tái)階。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）