目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。

資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術開發(fā)高壓功率開關元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。

償還貸款和交易費用后，公司預計將有約130萬美元可供分配給股東。交易預計將于2024年7月1日左右完成，但最晚不得遲于2024年7月10日，公司最早于2024年年底之前解散。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

Odyssey表示，該資產(chǎn)出售已獲Odyssey董事會批準，預計將在2024年第三季度初完成出售，前提是符合慣例的成交條件，包括Odyssey股東的批準。

Odyssey估計，公司事務最早可能在2024年年底結束。

當期，隨著消費電子、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心以及光伏等產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，GaN市場需求不斷推升。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。預計至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術引入牽引逆變器。（來源：全球半導體觀察）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

出售/倒閉事件增多

3月13日，美國垂直GaN器件廠商Odyssey官宣出售公司資產(chǎn)。據(jù)悉，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將以952萬美元（約合人民幣0.67億）現(xiàn)金，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導體公司，目前買家信息處于保密狀態(tài)。

該事項預計將于2024年7月1日左右完成，而Odyssey的事務最早可能在2024年年底結束。

業(yè)績方面，Odyssey在2023年實現(xiàn)營收29.19萬美元，凈利潤則虧損447萬美元。

值得注意的是，2024年開年至今，除了Odyssey外，還有多家氮化鎵企業(yè)傳來消極消息。

據(jù)外媒1月4日消息，NexGen Power Systems已在2023年圣誕節(jié)前夕倒閉，而其旗下總投資超過1億美元的晶圓廠也已關閉。據(jù)報道，NexGen倒閉的原因是難以獲得風險融資，企業(yè)運營舉步維艱。

但在2023年初，NexGen剛開始交付用于高功率應用的全球首批700V和1200V垂直GaN器件的工程樣品，彼時，其還宣布該產(chǎn)品于2023年第三季度開始全面生產(chǎn)；2023年6月，NexGen又宣布與GM通用汽車的合作項目獲得美國能源部的資助，所獲資金計劃用于垂直氮化鎵半導體的電動驅動系統(tǒng)。

3月1日，外媒報道，新加坡射頻GaN芯片供應商Gallium Semiconductor宣布倒閉，并解雇所有員工。

這一決定是由GaasLabs LLC作出的。據(jù)悉，GaasLabs是Gallium的投資公司，對于這一決定的原因，GaasLabs提供的官方原因是：“我們的創(chuàng)始人John Ocampo已經(jīng)去世。GaasLabs決定不再繼續(xù)資助Gallium。我們將關閉公司，所有員工都將被解散。”據(jù)悉，John Ocampo于2023年11月去世。

降本、擴產(chǎn)進行時

一邊是出售資產(chǎn)乃至破產(chǎn)，另一邊又有多家相關企業(yè)傳來好消息。

技術方面，德州儀器（TI）正在將其GaN-on-Si的生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過渡；大阪大學、豐田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN襯底開發(fā)項目，則在近期成功制備高質量6英寸GaN襯底；住友化學已經(jīng)成功建立4英寸氮化鎵襯底的量產(chǎn)技術，并計劃在2024年后開始提供6英寸GaN樣品。

而在中國，北京大學團隊研發(fā)了增強型p型柵氮化鎵（GaN）晶體管，并首次在高達4500V工作電壓下實現(xiàn)低動態(tài)電阻工作能力；光州科學技術院電氣工程與計算機科學學院Dong-Seon Lee教授的研究團隊，則開發(fā)出僅采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）的氮化鎵半導體遠程同質外延技術。

產(chǎn)能方面，晶湛半導體氮化鎵（GaN）外延片生產(chǎn)擴建項目于1月份竣工，項目預計年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN外延片12萬片；立國芯微電子項目已成功規(guī)模量產(chǎn)，該項目計劃組建中高端芯片封裝測試生產(chǎn)線16條，可年產(chǎn)高階芯片225億顆；天睿半導體8英寸碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）晶圓廠于今年2月簽約落戶福州……

此外，英諾賽科計劃赴港上市的消息也引來業(yè)界極大的關注。據(jù)悉，英諾賽科計劃募資3億美元，以擴大氮化鎵芯片產(chǎn)能。英諾賽科還在2023年11月正式啟用其全球研發(fā)中心。據(jù)悉，研發(fā)中心將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地，同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，全面提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。

結語

“有人辭官歸故里，有人星夜赴考場”，這句話可謂當下氮化鎵企業(yè)的發(fā)展狀態(tài)的真實寫照。

事實上，任何一項技術從實驗室走向市場，都面臨著極大的挑戰(zhàn)，市場需求、規(guī)?；a(chǎn)、工藝制程以及成本等都是企業(yè)發(fā)展道路上的障礙。而在未來，那些具有垂直整合能力、并能保障自身生產(chǎn)鏈條完整性的企業(yè)，相信會在競爭中具有更大優(yōu)勢。（文：集邦化合物半導體 Winter）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。