01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān)

3月12日，納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器。通過單級(jí)BDS（雙向開關(guān)）變換器實(shí)現(xiàn)電源技術(shù)范式躍遷。納微半導(dǎo)體指出，該技術(shù)將推動(dòng)傳統(tǒng)雙級(jí)拓?fù)湎騿渭?jí)架構(gòu)轉(zhuǎn)型，目標(biāo)市場(chǎng)涵蓋電動(dòng)汽車充電（車載充電機(jī)OBC及充電樁）、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，有望開啟數(shù)十億美元級(jí)市場(chǎng)機(jī)遇。

source：納微半導(dǎo)體

首批650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片包括料號(hào)為NV6427（典型導(dǎo)通電阻為100 mΩ）和NV6428（典型導(dǎo)通電阻為50 mΩ）的兩款產(chǎn)品，采用頂部散熱的TOLT-16L（晶體管外形引腳頂部冷卻）封裝，已通過品質(zhì)認(rèn)證并已進(jìn)入量產(chǎn)階段。

全新IsoFast電氣隔離型高速驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)雙向氮化鎵器件設(shè)計(jì)。其瞬態(tài)抗擾度較現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)器提升4倍（最高達(dá)200 V/ns），且無需外部負(fù)壓供電，可在高壓系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)可靠、快速、精準(zhǔn)的功率控制。首批產(chǎn)品包括采用SOIC-16N封裝的NV1702（雙通道數(shù)字隔離型雙向氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器）及采用SOIC-14W封裝的NV1701（半橋氮化鎵數(shù)字隔離器）兩款料號(hào)，兩款樣品可提供給符合資質(zhì)的客戶。

02 CGD推出新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案

近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)，目標(biāo)瞄準(zhǔn)規(guī)模超百億美元的電動(dòng)汽車市場(chǎng)。

Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同一功率模塊，在實(shí)現(xiàn)效率最大化的同時(shí)，為碳化硅 (SiC) 解決方案提供了更具成本效益的替代選擇。

source：CGD

CGD介紹，該方案分利用了ICeGaN與IGBT器件的協(xié)同優(yōu)勢(shì)：二者具有相近的閾值電壓（ICeGaN?約3V，IGBT為4-5V）、兼容的電壓驅(qū)動(dòng)范圍（0-20V）以及卓越的柵極可靠性。在混合并聯(lián)架構(gòu)中，ICeGaN 器件憑借其低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗的特性，將在輕載工況下發(fā)揮主導(dǎo)作用；而IGBT則在高負(fù)載或峰值輸出條件下展現(xiàn)優(yōu)勢(shì)。該混合方案既受益于IGBT的高飽和電流與雪崩鉗位能力，又兼具ICeGaN 的超高效開關(guān)特性。在高溫環(huán)境下，IGBT的雙極特性使其在更低導(dǎo)通電壓下提前開啟，有效補(bǔ)償ICeGaN的電流損耗；而在低溫條件下，ICeGaN將承擔(dān)更多電流。系統(tǒng)通過智能的檢測(cè)與保護(hù)功能，動(dòng)態(tài)優(yōu)化Combo ICeGaN的驅(qū)動(dòng)模式，同步擴(kuò)展兩種器件的安全工作區(qū)（SOA），提高系統(tǒng)可靠性。

CGD預(yù)計(jì)該方案將于今年進(jìn)入工程樣機(jī)階段并于年底前推出Combo ICeGaN的演示模塊和評(píng)估版。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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CGD創(chuàng)始人兼CEO Giorgia Longobardi 博士表示：”當(dāng)前新能源車主驅(qū)逆變器要么采用低成本但輕載效率低的IGBT，要么選擇高性能但昂貴的SiC器件。我們?nèi)碌腃ombo ICeGaN 解決方案通過巧妙融合GaN與IGBT技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，將徹底革新電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)——在降低系統(tǒng)成本的同時(shí)保持最優(yōu)的能效水平，這意味著更快的充電速度與更長(zhǎng)的續(xù)航里程。”（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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這筆資金將幫助 CGD 擴(kuò)大在劍橋、北美、中國臺(tái)灣和歐洲的業(yè)務(wù)，為不斷增長(zhǎng)的客戶提供 CGD 獨(dú)特的價(jià)值主張；并將推動(dòng)實(shí)施 CGD 繼續(xù)向大功率工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和汽車市場(chǎng)提供高效的 GaN 產(chǎn)品的增長(zhǎng)戰(zhàn)略。

資料顯示， CGD是一家無晶圓半導(dǎo)體公司，由劍橋大學(xué)的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于2016年自劍橋大學(xué)分拆后成為獨(dú)立公司，致力于開發(fā)功率器件的革命性技術(shù)。

CGD 的使命是通過提供最高效、最可靠的產(chǎn)品來塑造電力電子的未來。CGD 的設(shè)計(jì)、開發(fā)和商業(yè)化，實(shí)現(xiàn)了 GaN 器件和 IC 在能源效率和緊湊性上的根本性轉(zhuǎn)變，適用于大批量生產(chǎn)。CGD 技術(shù)受到強(qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合的保護(hù)，領(lǐng)先的創(chuàng)新技能和雄心推動(dòng)著 CGD 不斷的進(jìn)步。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

英諾賽科發(fā)布三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品

5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，分別是INS1001DE（單通道驅(qū)動(dòng)器）、INS2001FQ（半橋驅(qū)動(dòng)器）和INS2001W（半橋驅(qū)動(dòng)器），可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、汽車電子、電池化成、太陽能微逆、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

source：英諾賽科

其中，單通道GaN驅(qū)動(dòng)器INS1001DE與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，輸入電壓更寬（6V-20V），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1.3Ω上拉/0.5Ω下拉電阻），保護(hù)功能更多（欠壓/過壓/過溫保護(hù)）；100V半橋GaN驅(qū)動(dòng)器INS2001FQ/INS2001W與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，VCC靜態(tài)電流更低（35uA），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1Ω上拉/0.2Ω下拉電阻），傳輸延遲更短（14ns），延遲匹配更優(yōu)（1ns）。

另據(jù)英諾賽科官微消息，5月16日，英諾賽科宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA，該系列產(chǎn)品針對(duì)消費(fèi)類電子領(lǐng)域定制開發(fā)，具備超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手機(jī)、平板、筆記本快充應(yīng)用。

該系列產(chǎn)品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路，無損電流采樣，以及眾多保護(hù)功能；具備零反向恢復(fù)電荷，2MHz高開關(guān)頻率，高達(dá)80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。

CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

6月4日，據(jù)CGD官微消息，其今日推出兩款新型ICeGaN產(chǎn)品系列GaN功率IC封裝，具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過驗(yàn)證的DFN封裝，堅(jiān)固可靠。

source：劍橋氮化鎵器件

其中，DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，在設(shè)計(jì)上具有靈活性。在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設(shè)計(jì)，有助于優(yōu)化PCB布局和簡(jiǎn)單并聯(lián)。

BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查，其熱阻為0.28K/W。BHDFN的外形尺寸為10x10mm，雖然比常用的TOLL封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用TOLL封裝的GaN功率IC進(jìn)行通用布局，便于使用和評(píng)估。

CGD產(chǎn)品市場(chǎng)營銷經(jīng)理Nare Gabrielyan表示，ICeGaN產(chǎn)品系列GaN功率IC適用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、微型逆變器和其他工業(yè)應(yīng)用，能夠帶來更高的功率密度和效率。

另據(jù)CGD官微消息，5月30日，CGD與中國臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案方面加強(qiáng)合作。

據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場(chǎng)上首類商用化產(chǎn)品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準(zhǔn)的領(lǐng)域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。（來源：劍橋氮化鎵器件、英諾賽科，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

CGD與ITRI簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能 GaN 解決方案方面加強(qiáng)合作。

CGD首席商務(wù)官Andrea Bricconi表示，CGD 將于6月在紐倫堡舉行的PCIM展會(huì)上展示部分 ITRI 的電路板設(shè)計(jì)。通過利用CGD獨(dú)特的IC芯片架構(gòu)和ITRI的專利設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了縮小應(yīng)用尺寸、高能效、高功率密度，提高了競(jìng)爭(zhēng)力。

ITRI商用電源設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Wen-Tien Tsai表示，CGD的IC增強(qiáng)型GaN ICeGaN系列產(chǎn)品提高了易用性，促進(jìn)了智能溫度控制，并提高了柵極可靠性。

據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場(chǎng)上首類商用化產(chǎn)品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準(zhǔn)的領(lǐng)域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。

資料顯示，CGD是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。

佳恩半導(dǎo)體與西安電子科技大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱佳恩半導(dǎo)體）與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。

此次合作，雙方將共同研究開展GaN功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于GaN器件制造平臺(tái)開展器件核心工藝實(shí)驗(yàn)研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對(duì)GaN功率器件特點(diǎn)，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開展GaN功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

作為一家功率半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)公司，佳恩半導(dǎo)體致力于高端半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造及銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù)，并建有IGBT產(chǎn)品性能測(cè)試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室。

產(chǎn)品方面，佳恩半導(dǎo)體自主研發(fā)的產(chǎn)品涵蓋了600V-1200V IGBT芯片、500V-1500V MOS芯片、400V-1200V FRD芯片。

終端應(yīng)用方面，佳恩半導(dǎo)體研發(fā)的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于變頻器、高鐵配套設(shè)施、工業(yè)逆變控制、無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱、UPS、汽車充電樁及消費(fèi)類開關(guān)電源等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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