榴莲视频色版app下载,亚洲成av人片一区二区蜜柚 http://www.teatotalar.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Mon, 17 Feb 2025 07:09:56 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 青禾晶元新工廠正式動工，混合鍵合與C2W技術(shù)獲得新突破 http://www.teatotalar.com/SiC/newsdetail-70778.html Mon, 17 Feb 2025 06:49:15 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=70778 在半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展，5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)驅(qū)動芯片性能需求攀升的當(dāng)下，先進鍵合技術(shù)成為產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵。

近日，青禾晶元在混合鍵合與C2W技術(shù)上取得突破。其青禾晶元新廠房鍵合設(shè)備二期擴產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項目已正式開工，項目建成投產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)先進半導(dǎo)體設(shè)備約100臺套，年產(chǎn)值近15億。

source:?青禾晶元官網(wǎng)

青禾晶元混合鍵合技術(shù)和C2W技術(shù)突破

混合鍵合技術(shù)，作為先進鍵合領(lǐng)域的一項創(chuàng)新，其基本原理是通過將不同材料或不同工藝的芯片進行高精度、高可靠性的鍵合，實現(xiàn)芯片間的高效互聯(lián)。

這項技術(shù)不僅提高了芯片的集成度，還顯著增強了芯片的熱性能和電性能。在人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域，混合鍵合技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢，正逐漸成為提升設(shè)備性能、降低功耗的關(guān)鍵技術(shù)。

據(jù)悉，青禾晶元作為這一領(lǐng)域的先行者，其混合鍵合技術(shù)已經(jīng)達到了行業(yè)領(lǐng)先水平。其成功攻克了高精度快速對準(zhǔn)、鍵合偏移精密控制、晶圓變形智能補償、高效率表面活化等關(guān)鍵技術(shù)。這些技術(shù)突破不僅提升了產(chǎn)品的性能，還為客戶提供了更加可靠、高效的芯片解決方案。

C2W（芯片到晶圓）鍵合相比W2W（晶圓到晶圓）具有更高的靈活性，可單獨測試篩選優(yōu)質(zhì)芯片再鍵合，降低整體缺陷率；支持異構(gòu)集成（不同工藝節(jié)點/尺寸芯片組合），減少材料浪費，降低成本、提升效益。

據(jù)悉，青禾晶元自主研發(fā)的12英寸C2W晶圓鍵合機對準(zhǔn)精度達到±50nm，鍵合后精度優(yōu)于100nm，創(chuàng)新的從下往上鍵合方式可以避免芯片翻轉(zhuǎn)過程中的鍵合面污染、降低顆粒增加值。相比于傳統(tǒng)的C2W鍵合技術(shù)，新技術(shù)提高了鍵合良率，進一步證明了公司在先進鍵合技術(shù)領(lǐng)域的實力。

值得注意的是，在2024年4月11日，青禾晶元成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底，而在2024年12月10日，青禾晶元與合作伙伴基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。這些進展不僅提升了產(chǎn)品性能，還為客戶提供了更加可靠、高效的芯片解決方案。

青禾晶元新廠房開工，助力產(chǎn)業(yè)升級

近日，青禾晶元新廠房開工儀式剛剛舉行。

據(jù)官方報道，此次開工的項目是鍵合設(shè)備二期擴產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項目，規(guī)劃總面積達17000平米。項目建成投產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)先進半導(dǎo)體設(shè)備約100臺套，年產(chǎn)值近15億。

source:?青禾晶元官網(wǎng)

新廠房的建成，將極大地擴大青禾晶元的產(chǎn)能，提升研發(fā)能力。新廠房可滿足W2W混合鍵合、C2W混合鍵合及高精度倒裝芯片鍵合、超高真空常溫晶圓鍵合、熱壓陽極晶圓鍵合等多型號設(shè)備的連續(xù)生產(chǎn)，滿足市場對高端鍵合裝備的需求。同時，新廠房還將引入智能化管理系統(tǒng)，進一步提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

在更早的2024年4月11日，青禾晶元通過技術(shù)創(chuàng)新，成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。而在2024年12月10日，青禾晶元與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所深度合作，共同基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。

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]]> 青禾晶元獲超3億元融資，加速鍵合技術(shù)產(chǎn)品擴產(chǎn)步伐 http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-68670.html Tue, 09 Jul 2024 09:02:24 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=68670 半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)企業(yè)北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司（下稱“青禾晶元”或“公司”）宣布完成最新一輪融資，融資金額超3億元。投資方包括深創(chuàng)投、遠致星火、芯朋微，老股東正為資本、芯動能、天創(chuàng)資本繼續(xù)加持。

圖片來源：青禾晶元

該輪融資將被用于先進鍵合設(shè)備及鍵合襯底產(chǎn)線建設(shè)。青禾晶元規(guī)劃繼續(xù)擴大生產(chǎn)規(guī)模，先進鍵合設(shè)備年產(chǎn)能將擴大至60臺（套），以滿足日益增長的客戶需求，新建40萬片8英寸SiC鍵合襯底產(chǎn)線，加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進程，進一步鞏固青禾晶元在國內(nèi)鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的引領(lǐng)地位。

據(jù)了解，青禾晶元作為全球少數(shù)掌握全套先進半導(dǎo)體材料與異質(zhì)集成技術(shù)的半導(dǎo)體公司之一，致力于面向晶圓級材料異質(zhì)集成、先進封裝、超精密加工等領(lǐng)域，提供前沿技術(shù)與解決方案。目前，公司已完成SiC、LTOI、LNOI等多種鍵合襯底材料以及高端晶圓鍵合設(shè)備的研發(fā)與量產(chǎn)。（來源：青禾晶元）

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