3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專利)作出最終裁定，判決該專利所有權(quán)利要求均無效且應(yīng)被撤銷。這一判決從根本上否定了EPC針對英諾賽科的指控基礎(chǔ)，標(biāo)志著英諾賽科在EPC發(fā)起的這場長達(dá)兩年的專利戰(zhàn)中取得了完全勝利。

2023年5月，EPC在ITC對英諾賽科發(fā)起專利侵權(quán)訴訟調(diào)查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’294號專利和其他三項(xiàng)美國專利。其后，EPC主動撤訴其中兩項(xiàng)專利。ITC最終裁定第三項(xiàng)專利沒有侵權(quán)。對于US’294號專利，ITC裁定部分權(quán)利要求有效且被侵權(quán)。

英諾賽科堅決反對ITC有關(guān)US’294號專利有效及侵權(quán)的裁決，并且已于2025年1月31日向美國聯(lián)邦上訴法院提起上訴。英諾賽科認(rèn)為ITC關(guān)于US’294號專利的判決有誤，應(yīng)予以推翻。

現(xiàn)在，美國專利局（USPTO）關(guān)于US’294號專利的無效裁定證實(shí)了ITC先前對該專利的判決存在錯誤判斷，也確定了EPC對英諾賽科的指控并無根據(jù)，屬惡意競爭行為。USPTO在其最終裁決中指出EPC的US’294號專利所有權(quán)利要求均無效，因?yàn)樗鼈儍H僅是重復(fù)氮化鎵（”GaN”）領(lǐng)域的現(xiàn)有且被廣泛使用的通用技術(shù)。

美國專利局的無效判決標(biāo)志著英諾賽科在此次與EPC的專利侵權(quán)案中取得了終極勝利。隨著和EPC的法律爭端塵埃落定，英諾賽科會將全部精力集中到為全球客戶開發(fā)和提供一流的基于GaN的電源解決方案中，為綠色高效新世界貢獻(xiàn)自己的力量。

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據(jù)悉，該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新投資集團(tuán)、江北新區(qū)高質(zhì)量發(fā)展基金等共同出資組建，其中南京市屬企業(yè)出資占比達(dá)33%，體現(xiàn)了地方政府對科技創(chuàng)新的高度重視。

值得關(guān)注的是，該基金的設(shè)立與江蘇省戰(zhàn)新母基金的整體布局緊密銜接。自2024年6月啟動以來，該母基金已與5個設(shè)區(qū)市共建8只未來產(chǎn)業(yè)天使基金，總規(guī)模達(dá)60億元。

為確保投資精準(zhǔn)性，南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金將充分發(fā)揮”全國高校區(qū)域技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化中心”的平臺作用，通過整合高校、科研院所及產(chǎn)業(yè)鏈資源，建立覆蓋”中試孵化-市場驗(yàn)證-規(guī)模生產(chǎn)”的一體化服務(wù)體系。這種”資本+平臺+服務(wù)”的模式，有望顯著提升科技成果轉(zhuǎn)化效率。

目前，江蘇在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)跑?？傮w來看，江蘇南京國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心依托中電科55所，率先實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅MOSFET量產(chǎn)，其研發(fā)的大電流器件已裝載于國內(nèi)200萬輛新能源汽車，高壓模塊在35kV全碳化硅變電站示范應(yīng)用。

2024年，江寧開發(fā)區(qū)國盛公司成功下線硅基氮化鎵外延片，標(biāo)志著江蘇在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的多元化突破。

目前，江蘇正通過”龍頭企業(yè)+創(chuàng)新平臺+產(chǎn)業(yè)基金”模式，推動產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新。其鹽城高新區(qū)圍繞襯底材料、封裝測試和應(yīng)用領(lǐng)域，集聚漢印科技、康佳芯云等27家企業(yè)，形成從碳化硅外延片到光電顯示產(chǎn)品的完整鏈條。2024年10月，當(dāng)?shù)嘏e辦的產(chǎn)業(yè)合作大會吸引中科院半導(dǎo)體研究所等機(jī)構(gòu)參與，簽約14個項(xiàng)目，加速技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。

另外，蘇州英諾賽科作為全球氮化鎵領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，依托8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)單顆芯片成本降低30%，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動汽車和數(shù)據(jù)中心。該企業(yè)2025年成功登陸港交所，獲江蘇戰(zhàn)新基金等資本助力，進(jìn)一步鞏固全球市場份額。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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官方資料顯示，英諾賽科是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)，產(chǎn)品設(shè)計及性能處于國際先進(jìn)水平。2024年12月30日，英諾賽科正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，此前該公司招股書中透露，英諾賽科計劃投入約50%的募集資金，用于擴(kuò)大其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能，從截至2023年12月31日的每月1萬片晶圓，擴(kuò)大至未來五年每月7萬片晶圓。

英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應(yīng)用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用等前沿領(lǐng)域。當(dāng)前，英諾賽科已推出100V GaN解決方案，被設(shè)計用于AI GPU電源輸送和多種其他 48V 應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。

ISG612xTD SolidGaN IC

ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范圍為 22m?~59m?（最大25C）。

ISG612xTD系列采用精密Vgs柵極驅(qū)動器、快速短路保護(hù)和 TO247-4L 封裝，具有出色的熱性能。這些配置使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關(guān)，功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

產(chǎn)品包含

ISG6121TD
ISG6122TD
ISG6123TD
ISG6124TD

該系列產(chǎn)品還配備了內(nèi)置保護(hù)，包括DESAT保護(hù)、輸入UVLO和OTP，能夠進(jìn)一步確保設(shè)備的穩(wěn)健性和系統(tǒng)安全性。

產(chǎn)品性能

集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引腳，可直接替換
10V~24V輸入電壓范圍支持主流驅(qū)動器和控制器生態(tài)
內(nèi)置米勒鉗位，無需負(fù)壓關(guān)斷，支持高達(dá)100V/ns開關(guān)速度
集成短路保護(hù)，欠壓保護(hù)，過溫保護(hù)，增加系統(tǒng)魯棒性

應(yīng)用優(yōu)勢

高開關(guān)頻率
高功率密度
高散熱能力
高抗干擾能力
簡單易用
高可靠性

應(yīng)用領(lǐng)域

適合500W-4KW大功率電源和馬達(dá)驅(qū)動
可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源，空調(diào)電源，汽車OBC

作為行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，ISG612XTD SolidGaN IC將先進(jìn)的700V E型GaN FET無縫集成，為電力電子的性能、易用性和可靠性設(shè)定了全新標(biāo)準(zhǔn)，有望成為高效率、高安全性的終端應(yīng)用系統(tǒng)的關(guān)鍵器件。

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source：英諾賽科

本次英諾賽科向全球發(fā)售4536.4萬股H股，每股發(fā)行價為30.86港元。此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及應(yīng)用研發(fā)等。

據(jù)悉，英諾賽科成立于2017年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。截至2023年末，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中市場份額排名第一，市占率高達(dá)42.4%。

01、搶先駛?cè)?英寸氮化鎵領(lǐng)域

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體代表材料，與硅及其他半導(dǎo)體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、導(dǎo)通電阻低、無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢。氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸。

在制造方面，氮化鎵（GaN）晶體可以在各種襯底上生長，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵外延層（GaN-on-Si）可以使用現(xiàn)有的硅半導(dǎo)體設(shè)備，而且可采用低成本、大直徑的硅晶片。

此外，目前8英寸硅的設(shè)備及流程較6英寸硅更為成熟高效，8英寸氮化鎵的生產(chǎn)更具競爭優(yōu)勢。在全球其他氮化鎵功率半導(dǎo)體公司如EPC、英飛凌、納微半導(dǎo)體、Power Integrations等公司提供6英寸產(chǎn)品為主時，英諾賽科已切入8英寸領(lǐng)域。

早在2017年底，英諾賽科珠海制造工廠建成投產(chǎn)，成為中國首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。

2021年10月，英諾賽科位于蘇州的制造廠建成投產(chǎn)，該制造廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。

source：英諾賽科

在招股說明書中，英諾賽科表示其已成為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)。受益于先進(jìn)的8英寸工藝，其每片晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%，且良率超過95%。

據(jù)TrendForce集邦咨詢報告顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。

2024年上半年，英諾賽科氮化鎵晶圓總產(chǎn)能提升至7.3萬片。其中，蘇州生產(chǎn)基地產(chǎn)能為4.9萬片/年，利用率為71.8%；珠海生產(chǎn)基地2.4萬片/年，利用率為74.8%。

source：英諾賽科招股書

本次公開募資，資金主要也將用于氮化鎵產(chǎn)能擴(kuò)張，其中約60%用來擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。約20%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場（如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。

02、企業(yè)盈利能力不斷增強(qiáng)

眾所周知，IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中耗資最多、難度最大的一種商業(yè)模式。英諾賽科一成立便選用了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，目標(biāo)實(shí)現(xiàn)從設(shè)計、制造到測試的整個過程的自主控制。

短期來看，IDM模式在產(chǎn)能提升階段經(jīng)歷需投入大量資本及研發(fā)支出的周期過程，可能會導(dǎo)致業(yè)績的短期虧損。

但從長期看，相較于無晶圓廠設(shè)計公司，英諾賽科的設(shè)計與制造過程協(xié)同度更高、產(chǎn)能供應(yīng)鏈更為穩(wěn)定、工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)更具成本優(yōu)勢以及工藝技術(shù)可持續(xù)升級。

據(jù)招股書顯示，2021年、2022年和2023年，英諾賽科的營收分別約為6821.5萬元、1.36億元和5.93億元，經(jīng)調(diào)整凈虧損分別約為10.81億元、12.77億元和10.16億元。

2024上半年，英諾賽科營收約為3.86億元，較2023年同期的3.08億元增長25.22%，經(jīng)調(diào)整凈虧損約為3.78億元，相較于2023年同期減少虧損1.71億元。

source：英諾賽科招股書

營收快速成長，虧損逐年收窄，從側(cè)面體現(xiàn)出市場對英諾賽科產(chǎn)品的認(rèn)可度正在逐步增強(qiáng)。

英諾賽科的快速成長也吸引了資本市場的青睞。2018年至2024年，英諾賽科累計進(jìn)行了5輪融資，融資總額達(dá)到62.3億元。投資方包含鈦信資本、毅達(dá)資本、創(chuàng)新證券、海富產(chǎn)業(yè)基金、永剛集團(tuán)、國民創(chuàng)投、招銀國際資本、朗瑪峰創(chuàng)投、SK中國、ARM等機(jī)構(gòu)和企業(yè)。

在開啟全球招股之后，英諾賽科與基石投資者意法半導(dǎo)體、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)母基金(有限合伙)及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司訂立基石投資協(xié)議，基石投資者們將購入總金額為1億美元的股票。

03、全球氮化鎵行業(yè)加速洗牌

氮化鎵功率半導(dǎo)體從2018年正式進(jìn)入消費(fèi)電子，在實(shí)現(xiàn)了一定規(guī)模的商業(yè)化之后迎來了高速發(fā)展期。隨著市場逐漸成型，競爭開始白熱化，一些企業(yè)放棄了獨(dú)立運(yùn)行，選擇倚靠行業(yè)巨頭。

從2023年至今，氮化鎵功率半導(dǎo)體頭部玩家 GaN Systems、Transphorm分別被英飛凌、瑞薩電子收購。此外，還有一些小型氮化鎵企業(yè)被頭部企業(yè)吞并，如Power Integrations收購美國垂直氮化鎵晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey、格芯收購Tagore氮化鎵技術(shù)和相關(guān)團(tuán)隊。

這些企業(yè)之間的并購有利于氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈資源的整合，也重塑了市場格局。面對全球市場競爭格局的加速洗牌，英諾賽科有希望通過本次上市來獲取資金和資源，增強(qiáng)自身實(shí)力以抵抗外界壓力。

04、結(jié)語

英諾賽科此次成功上市，對企業(yè)自身和產(chǎn)業(yè)都有著重大意義。從產(chǎn)業(yè)來看，英諾賽科的成功上市，為氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)注入信心與動力。從企業(yè)自身出發(fā)，隨著英諾賽科在港交所主板的成功上市，有望借助國際資本市場的力量進(jìn)一步提升其在全球氮化鎵市場的地位。

展望未來，英諾賽科將進(jìn)一步加速技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)拓展的步伐，提升品牌影響力和市場競爭力，鞏固其作為全球龍頭的地位。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty）

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2024年12月18日至12月23日招股，預(yù)期定價日為12月24日，預(yù)期股份將于12月30日開始在聯(lián)交所買賣。

source：英諾賽科

文件顯示，英諾賽科已與基石投資者意法半導(dǎo)體（“ST”）、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)（“江蘇國企混改基金”）、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)母基金(有限合伙)（蘇州高端裝備）及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司（“東方創(chuàng)聯(lián)”）訂立基石投資協(xié)議。

基石投資者已同意在若干條件規(guī)限下，按發(fā)售價認(rèn)購或促使其指定實(shí)體認(rèn)購（視情況而定）有關(guān)數(shù)目的發(fā)售股份，購入總金額為1億美元（折合人民幣約7.28億元）。

目前，公司主要股東有深圳市招銀成長拾柒號股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)、Inno Holding、SK China、蘇州市吳江產(chǎn)業(yè)投資有限公司、深圳華業(yè)天成投資有限公司、駱薇薇、JAY HYUNG SON。

據(jù)悉，英諾賽科此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及研發(fā)等，具體如下：

一、約60%用來擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2024年6月30日的每月12,500片晶圓增加至未來五年的每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。

二、約20.0%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場（如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。英諾賽科計劃推出新產(chǎn)品，包括低電壓及高電壓氮化鎵晶圓、分立器件及集成電路。

三、約10%將用于擴(kuò)大英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。四、約10.0%將用于公司運(yùn)營資金及其他一般企業(yè)用途。集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理

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據(jù)悉，港股IPO流程一般包括遞表-聆訊-路演-招股-公布配售結(jié)果-暗盤交易以及掛牌上市等階段。
其中，在聆訊階段，上市委員會審閱新上市申請，確定申請人是否適合進(jìn)行首次公開招股。上市委員在這個階段會審核上市公司的申請，全面的評估企業(yè)，包括申請人的各種材料，合規(guī)性，確定公司是否具備上市條件等。聆訊是一個重要的階段，通常通過聆訊就代表著招股日不遠(yuǎn)了。

資料顯示，英諾賽科成立于2017年，是國內(nèi)氮化鎵IDM企業(yè)。招股書中，英諾賽科表示，公司是一家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。

source：英諾賽科

英諾賽科的產(chǎn)品包括分立器件（覆蓋15V至1,200V）、集成電路、晶圓及模塊，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等。

招股書顯示，自2018年至2024年，英諾賽科累計進(jìn)行了5輪融資，融資總額達(dá)到62.3億元。
投資方包含鈦信資本、毅達(dá)資本、創(chuàng)新證券、海富產(chǎn)業(yè)基金、永剛集團(tuán)、國民創(chuàng)投、招銀國際資本、朗瑪峰創(chuàng)投、SK中國、ARM等機(jī)構(gòu)和企業(yè)。

在繼4月1日的E輪融資之后，英諾賽科的每股代價成本約為28.13元，公司的投后估值達(dá)到234.5億元。

據(jù)此前中國證監(jiān)會披露的英諾賽科上市備案通知書可知，英諾賽科擬發(fā)行不超過約1.07億股境外上市普通股并在香港聯(lián)合交易所上市。此外，公司51名股東擬將所持合計約4.44億股境內(nèi)未上市股份轉(zhuǎn)為境外上市股份，并在香港聯(lián)合交易所上市流通。

此次申請港股上市，英諾賽科計劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項(xiàng)目：

1、50.0%用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴(kuò)大至未來五年每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器及招聘生產(chǎn)人員。

2、17.0%用于償還銀行貸款；

3、15.0%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以提高終端市場（如消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；

4、8.0%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)；

5、10.0%用于營運(yùn)資金及其他一般公司用途。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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文件顯示，英諾賽科擬發(fā)行不超過106,539,400股境外上市普通股并在香港聯(lián)合交易所上市。
此外，公司51名股東擬將所持合計444,228,787股境內(nèi)未上市股份轉(zhuǎn)為境外上市股份，并在香港聯(lián)合交易所上市流通。

據(jù)此前消息，英諾賽科于2024年6月向港交所遞交招股書，準(zhǔn)備在港上市。

資料顯示，英諾賽科成立于2017年，是國內(nèi)第一家氮化鎵IDM企業(yè)。招股書中，英諾賽科表示，公司是一家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。

英諾賽科的產(chǎn)品包括分立器件（覆蓋15V至1,200V）、集成電路、晶圓及模塊，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等。

source：英諾賽科

產(chǎn)能方面，截至2023年底，公司的產(chǎn)能達(dá)10,000片/月，良率高于95%。

2023年，英諾賽科總產(chǎn)能為9.27萬片，產(chǎn)量約為6.66萬片，利用率為71.8%。其中，蘇州生產(chǎn)基地2023年產(chǎn)能為4.8萬片/年，產(chǎn)量約為4.13萬片，利用率為86%；珠海生產(chǎn)基地2023年產(chǎn)能為4.47萬片，產(chǎn)量約為2.5萬片，利用率為56.5%。

此外，英諾賽科還表示，其8英寸硅基氮化鎵與傳統(tǒng)的6英寸晶圓相比，晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%，單一 器件成本降低30%。

截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，英諾賽科累計出貨量超過5億顆，營業(yè)收入則從2021年的0.68億元增加99.7%至2022年的1.36億元，并進(jìn)一步增加335.2%至2023年的5.93億元。

在融資方面，英諾賽科已完成五輪融資。

2018年6月，英諾賽科完成A輪融資5500萬元；

2021年1月，公司完成B輪融資15.02億元；

同月，公司完成C輪融資14.18億元；

2022年2月，公司完成D輪融資26.09億元；

今年4月，英諾賽科剛剛完成了E輪融資，融資金額為6.5億元。合計五輪融資金額超過60億元。

此次申請港股上市，英諾賽科計劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項(xiàng)目：

1、50.0%用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴(kuò)大至未來五年每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器及招聘生產(chǎn)人員。

2、17.0%用于償還銀行貸款；

3、15.0%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以提高終端市場（如消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；

4、8.0%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)；

5、10.0%用于營運(yùn)資金及其他一般公司用途。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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消費(fèi)電子市場走向成熟，GaN初闖高功率市場受挫

GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）同為性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，二者在擊穿電場、高溫性能、高功率處理能力以及化學(xué)穩(wěn)定性等方面存在共同之處，但相比之下，GaN在開關(guān)頻率和能效上更加突出，因此更適合高頻應(yīng)用領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換、減少開關(guān)損耗、降低熱耗散、縮小元件尺寸等。

按應(yīng)用劃分，GaN主要面向光電子、射頻通訊、功率半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域，對應(yīng)消費(fèi)電子、無線通信、數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天、國防軍工等細(xì)分場景。其中，光電子是GaN最快普及的應(yīng)用，至今已有很多年的發(fā)展歷史，但GaN真正“火”起來是在近幾年的功率半導(dǎo)體市場，并首先崛起于消費(fèi)電子快充應(yīng)用。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場分析報告》數(shù)據(jù)顯示，2020年全球GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為0.5億美金，至2022年成長至1.8億美金，年復(fù)合增長率約53%。其中，2022年的市場規(guī)模相比2021年大幅增長了125%。

也就是在這一年，GaN高速滲透快充市場，并開始向家電、智能手機(jī)等其他消費(fèi)場景拓展；與此同時，新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)的迭代升級，使得GaN作為更為符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下，GaN廠商從低功率朝向高功率市場延伸便順理成章。

然而，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，一方面，快充、適配器等消費(fèi)電子市場不斷成熟，可供廠商發(fā)揮的空間、可分的“蛋糕”持續(xù)縮?。涣硪环矫?，在汽車、數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用領(lǐng)域，由于技術(shù)可靠性、成本等問題，多數(shù)GaN廠商處于產(chǎn)品研發(fā)、驗(yàn)證、送樣、項(xiàng)目合作階段，真正落地的案例鮮少，這也側(cè)面反映GaN打開高功率市場需更多的技術(shù)和時間沉淀。

GaN產(chǎn)業(yè)步入整合期，量到質(zhì)的改變開始顯現(xiàn)

為了突破高壓大功率市場，不少廠商開始嘗試新結(jié)構(gòu)、新工藝路線，其中包括有望全面解鎖GaN優(yōu)良特性的垂直GaN元件，但這條路并不好走。隨著時間的推移，各家廠商面臨前期大量投入難以兌現(xiàn)的壓力，而持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)投入需求則帶來了資金的壓力，多方面承壓之下，退場者隨之出現(xiàn)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，今年1-3月，美國垂直GaN器件廠NexGen Power Systems與Odyssey Semiconductor相繼宣布倒閉、破產(chǎn)。

同樣地，GaN頭部廠商也面臨更進(jìn)一步發(fā)展以及長遠(yuǎn)立足的難題，于是有了GaN Systems并入功率半導(dǎo)體大廠英飛凌（Infineon），Transphorm并入全球半導(dǎo)體芯片大廠瑞薩電子（Renesas），Odyssey Semiconductor并入Power Integrations（PI）。

雖然沒有出現(xiàn)產(chǎn)能過?；驉盒詢r格戰(zhàn)等現(xiàn)象，但GaN功率半導(dǎo)體市場顯然也進(jìn)入了一輪洗牌調(diào)整期。從并購、倒閉破產(chǎn)案可見，未來能夠馳騁GaN“沙場”的定是具備過硬綜合競爭力的廠商，這其實(shí)對于GaN產(chǎn)業(yè)而言利大于弊，因?yàn)閮?yōu)勢資源的不斷集中有利于推動技術(shù)加快產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。

在供應(yīng)鏈資源大整合之際，廠商的技術(shù)沉淀與項(xiàng)目開發(fā)進(jìn)展也到了一個新的階段，隨之而來的便是GaN技術(shù)逐步從量到質(zhì)的改變。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，經(jīng)過幾年的技術(shù)儲備，GaN相關(guān)廠商目前在消費(fèi)電子增量市場、電動汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等市場都取得了更多實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展，并逐步收獲成果。

以汽車和新能源應(yīng)用為例，納微半導(dǎo)體（Navitas）2023年針對車載OBC及路邊充電樁場景引入新的GaNSafe技術(shù)（配合其SiC技術(shù)），截至今年第二季度，納微22kW車載充電機(jī)（OBC）方案已有15個客戶項(xiàng)目在推進(jìn)至評審階段，其預(yù)計電動汽車領(lǐng)域?qū)⒃?025年底獲得首批由GaN技術(shù)帶來的收入。

在太陽能/儲能市場，納微此前已打入美國前五大太陽能設(shè)備制造商中三家的供應(yīng)鏈，截至今年第二季度，納微已有6個相關(guān)的客戶項(xiàng)目推進(jìn)至評審階段，預(yù)計將于明年在美國實(shí)現(xiàn)GaN基微型逆變器的量產(chǎn)。

國內(nèi)廠商中，鎵未來（GaNext）實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)GaN突破光伏微逆市場，其集成型Cascode 技術(shù)GaN功率器件設(shè)計已用在微型逆變器龍頭廠商的2000W新型逆變器中；氮矽科技也與全球頭部逆變器設(shè)計公司及知名制造商建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)一款基于GaN技術(shù)的新一代微型逆變器。

汽車應(yīng)用方面，氮矽科技今年發(fā)布了一款超高開關(guān)頻率（>100MHz）驅(qū)動芯片，適用于高速汽車激光雷達(dá)系統(tǒng)；同時，該公司正在推進(jìn)多款100V集成驅(qū)動產(chǎn)品的車規(guī)級驗(yàn)證，這些產(chǎn)品主要適用于車載無線充和DC-DC；鎵未來目前也正在推進(jìn)產(chǎn)品的車規(guī)級認(rèn)證，同步與車廠展開相關(guān)項(xiàng)目研究；IDM廠商能華微則在推進(jìn)1200V產(chǎn)品的車規(guī)級認(rèn)證······

AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等引燃，GaN“上大分”

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域也是近幾年GaN廠商重點(diǎn)耕耘的方向之一，從相關(guān)廠商的進(jìn)展可見，GaN在數(shù)據(jù)中心電源市場的應(yīng)用已經(jīng)邁出了一大步，而AI技術(shù)的興起為該市場再添了一把火。

在AI生態(tài)中，數(shù)據(jù)中心對高速運(yùn)算和電力都有著龐大的需求。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，NVIDIA（英偉達(dá)） Blackwell平臺將于2025年正式放量，取代既有的Hopper平臺，成為NVIDIA高端GPU（圖形處理器）主力方案，占整體高端產(chǎn)品近83%。在B200和GB200等追求高效能的AI Server機(jī)種，單顆GPU功耗可達(dá)1,000W以上。

面對高漲的功率需求，每個數(shù)據(jù)中心機(jī)柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW，對于數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)來說挑戰(zhàn)極大，而GaN與液冷技術(shù)的結(jié)合，將成為提升AI 數(shù)據(jù)中心能效的關(guān)鍵。

芯片功耗的大幅上升需要服務(wù)器擁有更高的功率密度和效能，GaN能夠降低損耗、提高功率密度，已被視為AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一，吸引了英飛凌、德州儀器（TI）、納微、英諾賽科、Transphorm、能華微、氮矽科技、鎵未來等大批GaN玩家加入布局陣列。其中，納微和英飛凌均公布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，表明搶占該市場制高點(diǎn)的決心。

英飛凌AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

英飛凌融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)特優(yōu)勢，已推出輸出功率為3 kW和3.3 kW的PSU，8 kW PSU預(yù)計將于2025年第一季度上市，全新8 kW PSU支持最高輸出功率達(dá)300 kW或以上的AI機(jī)架。與3 kW PSU的32 W/in3 相比，其效率和功率密度提升至100 W/in3，進(jìn)一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運(yùn)營商的成本。

以GaN技術(shù)來看，英飛凌的CoolGaN? 解決方案可為PFC拓?fù)涮峁┏^99%的系統(tǒng)效率。此外，英飛凌收購的GaN Systems則早在2022年就發(fā)布了3.2kW AI服務(wù)器電源供應(yīng)器，并于2023年推出第四代GaN平臺，效率超過鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度從100W/in3提升至120W/in3。因此，雙方結(jié)合后在GaN領(lǐng)域產(chǎn)生的效應(yīng)備受看好。

納微去年全新GaNSafe?和Gen-3 Fast碳化硅技術(shù)以及納微專用設(shè)計中心已設(shè)計完成4.5kW CRPS，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度。在此基礎(chǔ)上，納微7月發(fā)布全新的CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案，功率密度達(dá)137W/in3，效率超97%。

納微AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

納微透露，3.2kW和4.5kW電源方案已有超過60個數(shù)據(jù)中心客戶項(xiàng)目正在研發(fā)中，預(yù)計將在2024-2025年間為納微GaN和SiC的營收帶來數(shù)百萬美元的增長。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體進(jìn)一步了解，納微預(yù)計用于AI數(shù)據(jù)中心電源方案有望于年底實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

面對AI服務(wù)器興起創(chuàng)造的商機(jī)，GaN廠商顯然加快了步伐。除了英飛凌和納微之外，其他廠商也在通過各自的發(fā)展路線悶聲謀大事，如TI、EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換）、能華微、鎵未來、氮矽科技等。

TI早在2021年便與全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商臺達(dá)（市占率近5成）就數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源達(dá)成合作，基于其GaN技術(shù)和C2000 MCU實(shí)時控制解決方案，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）?；陂L期的合作伙伴關(guān)系，雙方在AI服務(wù)器電源市場的合作成果將備受期待。

鎵未來已與知名院校達(dá)成合作，由其提供理論依據(jù)和技術(shù)支持，共同完成 3.5kW 無風(fēng)扇服務(wù)器電源的開發(fā),通過兩相交錯圖騰柱 PFC及 LLC實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度48V電源方案。鎵未來指出，AI 服務(wù)器與傳統(tǒng)服務(wù)器相比具有功率等級高且長時間滿載工作的特性，對于電源的轉(zhuǎn)換效率要求更高，因此采用GaN器件的圖騰柱PFC拓?fù)鋵⑹亲顑?yōu)選擇。

產(chǎn)品開發(fā)方面，EPC將在本月底的PCIM Asia展會展示最新一代GaN FET和IC，涵蓋包括AI服務(wù)器、機(jī)器人等在內(nèi)的各種實(shí)際應(yīng)用；氮矽科技多款相關(guān)產(chǎn)品已送樣國內(nèi)頭部知名企業(yè)，并完成了相關(guān)的可靠性測試；能華微1200V GaN產(chǎn)品也已經(jīng)送樣知名服務(wù)器電源廠，正在進(jìn)行可靠性評估。

人形機(jī)器人

事實(shí)上，不止AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，更多新興市場正在為GaN產(chǎn)業(yè)注入活力，如今年發(fā)展一樣如火如荼的人形機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動產(chǎn)業(yè)。

人形機(jī)器人的系統(tǒng)主要由傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)四部分構(gòu)成，而GaN的“用武之地”包括激光雷達(dá)系統(tǒng)、電機(jī)控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池BMS。其中，電機(jī)驅(qū)動扮演關(guān)鍵角色。

TrendForce集邦咨詢研究顯示，由于自由度急劇上升，人形機(jī)器人對電機(jī)驅(qū)動器的需求量大幅增加，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動器，而GaN能夠滿足這些需求，還可以在熱管理、緊湊設(shè)計等方面提高人形機(jī)器人的整體性能，優(yōu)化整體設(shè)計。

據(jù)悉，西門子、安川電機(jī)、Elmo等已經(jīng)在機(jī)器人電機(jī)中導(dǎo)入了GaN技術(shù)，而GaN產(chǎn)業(yè)鏈也正摩拳擦掌。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、能華微等正在推動GaN于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的應(yīng)用。其中，Transphorm已為安川電機(jī)的新型伺服電機(jī)提供了GaN FET 產(chǎn)品。

TrendForce集邦咨詢表示，未來的機(jī)器人定會超乎想象，而精確、快速和強(qiáng)大的運(yùn)動能力是其中之關(guān)鍵，驅(qū)動其運(yùn)動所需的電機(jī)也勢必隨之進(jìn)步，GaN將因此受益。

綜合當(dāng)前廠商頻繁的動作來看，AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等新興產(chǎn)業(yè)無疑引燃了GaN市場，相關(guān)廠商多年的儲備和積累可望加快變現(xiàn)。譬如，英飛凌預(yù)估來自AI電源領(lǐng)域的營收將在2025財年實(shí)現(xiàn)同比翻番，同時將在2-3年內(nèi)突破10億歐元。

GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提速，誰將占據(jù)龍頭寶座？

短期而言，消費(fèi)電子市場仍將是功率GaN的主舞臺，并且，家電、智能手機(jī)等更多消費(fèi)電子應(yīng)用正在為GaN提供新的發(fā)展空間。但長期而言，電動汽車、數(shù)據(jù)中心等將成為GaN更重要的增長引擎。

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，長遠(yuǎn)來看，GaN功率半導(dǎo)體市場的主要動力將來自電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動等場景，受此驅(qū)動，全球GaN功率元件市場規(guī)模預(yù)估從2023年的2.71億美金左右上升至2030年的43.76億美金，年復(fù)合年增長率（CAGR）高達(dá)49%。其中，非消費(fèi)類應(yīng)用的比例預(yù)計將從2023年的23%上升至2030年的48%。

足見，電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用動能強(qiáng)勁，GaN功率半導(dǎo)體市場未來可期，這也側(cè)面解釋了英特爾（Intel）、臺積電（TSMC）等集成電路賽道的大廠同樣青睞GaN的原因。其中，英特爾去年底就透露已集成CMOS硅晶體管與GaN功率晶體管，用于高度集成的48V設(shè)備。

從區(qū)域市場層面觀察，GaN正在吸引更多的戰(zhàn)略投資。以中國香港為例，該地在7月底啟動了首條超高真空GaN外延片中試線，由香港科技園公司與GaN外延技術(shù)商麻省光子技術(shù)(香港)有限公司聯(lián)合于7月底舉行了啟動儀式，麻省光子技術(shù)預(yù)計將在香港投資至少2億港元，帶動當(dāng)?shù)鼗衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

可以預(yù)見，未來會有更多玩家和資金涌入GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，而市場競爭也將逐步激烈化。然而，市場格局目前撲朔迷離，未來誰能占據(jù)龍頭寶座仍是未知數(shù)。

TrendForce集邦咨詢指出，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來看，F(xiàn)abless（無晶圓廠）公司在過去一段時間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場逐步打開，未來傳統(tǒng)IDM大廠的話語權(quán)有望顯著上升，為產(chǎn)業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數(shù)。

當(dāng)前，從商業(yè)模式劃分，GaN玩家包括英飛凌、瑞薩（Transphorm）等傳統(tǒng)綜合型的IDM（集成器件制造）大廠，PI、納微、EPC等Fabless設(shè)計廠，英諾賽科、能華微等專業(yè)型IDM廠。

在消費(fèi)電子應(yīng)用仍占大比重的背景下，英諾賽科占據(jù)較大的市場份額，加上其努力推廣工業(yè)應(yīng)用，整體市占率位居前列。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2023年GaN功率半導(dǎo)體市占率前五大廠商分別是英諾賽科、PI、納微、EPC、英飛凌。

而數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動、電動汽車、光伏逆變器等更高功率的應(yīng)用對廠商的集成整合能力以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)等各方面提出了更高的要求，因此，英飛凌、瑞薩、TI等傳統(tǒng)IDM廠商，以及TI等在這方面的優(yōu)勢將逐步顯現(xiàn)。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，作為全球最大的功率半導(dǎo)體以及車用半導(dǎo)體廠商，目前英飛凌正在充分發(fā)揮和融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)有優(yōu)勢，技術(shù)創(chuàng)新與集成能力以及綜合成本優(yōu)勢有望逐步凸顯。Fabless廠商中，納微也在發(fā)揮其在SiC、GaN以及驅(qū)動技術(shù)的集成能力和協(xié)同優(yōu)勢，筑高自身的競爭壁壘。

而英諾賽科、能華微等專業(yè)型廠商技術(shù)專注度高、創(chuàng)新速度快、決策鏈條短、市場靈活性高，能夠以深厚的技術(shù)積累，適時調(diào)整產(chǎn)品線和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，快速響應(yīng)GaN市場新需求。

綜合而言，不同模式下的廠商實(shí)力與水平各有千秋，布局策略和發(fā)展路線也有所不同，目前在新興應(yīng)用賽道上各方都處于前期起跑蓄力階段，勝負(fù)未分。不過，英飛凌、TI等廠商今年明顯向GaN傾注了更多資源，均展現(xiàn)出勇奪龍頭寶座之勢。未來，GaN功率半導(dǎo)體的“天平”將傾向哪一方？答案或許將隨之市場的打開逐步揭曉。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）

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對此，英諾賽科發(fā)表聲明稱，目前針對EPC的四項(xiàng)涉訴專利提起的IPR（Inter partes review）已經(jīng)被美國專利商標(biāo)局（簡稱“USPTO”）受理立案，進(jìn)入無效審查程序，在晚些時候預(yù)計會判定該四項(xiàng)專利無效，公司有信心在與EPC的爭議中贏得主動。

四項(xiàng)專利均進(jìn)入無效審查階段

7月5日，英諾賽科在美國國際貿(mào)易委員會（ITC）的初裁中徹底駁回了宜普（EPC）公司基于其508專利的所有訴訟請求。根據(jù)判決裁定，英諾賽科對EPC的508專利（該專利涉及增強(qiáng)型GaN晶體管的形成方法）不存在侵權(quán)行為。這意味著EPC基于其508專利提出的訴訟主張已不攻自破。此次裁定不僅標(biāo)志著英諾賽科在與EPC的專利戰(zhàn)較量中取得了階段性勝利，也再次證明了公司在技術(shù)創(chuàng)新與知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面的實(shí)力。

同時，在294專利紛爭中，英諾賽科表示EPC的294專利同樣是無效的，而討論對無效的專利權(quán)利要求是否存在侵權(quán)是沒有意義的。早前英諾賽科已發(fā)起了一項(xiàng)針對294專利的多方復(fù)審程序，以四個不同的理由質(zhì)疑294專利的所有權(quán)利要求，且英諾賽科主張對方專利無效的論點(diǎn)獲得美國專利商標(biāo)局法官的一致認(rèn)同。美國專利商標(biāo)局針對294專利的多方復(fù)審無效決定將于2025年3月發(fā)布，屆時，這場由EPC發(fā)起的歷時近兩年的專利爭議亦將落下帷幕。

據(jù)了解，早在2023年5月，EPC向ITC提起訴訟，指控英諾賽科侵犯了其面向氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的四項(xiàng)核心專利（專利號分別為294、508、347和335）。對此，英諾賽科向美國專利商標(biāo)局專利審判和上訴委員會遞交了上述EPC專利的無效申請。2024年3月，美國專利商標(biāo)局就EPC四件專利的無效做出立案決定，也意味著美國專利商標(biāo)局初步認(rèn)為這些專利是無效的。

目前，EPC已向ITC撤銷兩項(xiàng)專利主張（347和335），而508專利和294專利仍在接受美國專利商標(biāo)局的無效審查，美國專利商標(biāo)局認(rèn)為：“英諾賽科很有可能在其針對EPC專利的無效請求中獲得勝訴?！?/p>

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

坐擁約700項(xiàng)專利及專利申請 技術(shù)創(chuàng)新奠定行業(yè)領(lǐng)先地位

截至2023年12月31日，英諾賽科在全球匯聚了397名頂尖研發(fā)人才，有約700項(xiàng)專利及專利申請，涵蓋芯片設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關(guān)鍵領(lǐng)域。

公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車、可再生能源等多個領(lǐng)域，不僅率先實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)，也是全球唯一提供全電壓譜系氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成器件制造商（IDM），凸顯了其在技術(shù)創(chuàng)新和市場開拓方面的領(lǐng)先地位。

根據(jù)英諾賽科的招股說明書披露：2023年，以折算氮化鎵分立器件計，英諾賽科在全球出貨量排名中穩(wěn)居第一，市占率高達(dá)42.4%；截至2023年12月31日，公司以折算氮化鎵分立器件計的累計出貨量已突破5億顆，確立了其在全球氮化鎵出貨量中的領(lǐng)先地位。

在財務(wù)表現(xiàn)上，英諾賽科的年度收入從2021年的6821.5萬元人民幣激增至2023年的5.9億元人民幣，實(shí)現(xiàn)了194.8%的驚人收入復(fù)合年增長率，這一數(shù)字不僅反映了公司在市場中的競爭力，也凸顯了其在氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場影響力。（來源：證券時報）

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