01華潤微：公司SiC產(chǎn)品可應用于AI服務器電源中

華潤微披露投資者關系活動記錄表顯示，該公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模塊等產(chǎn)品預計受益于汽車智能化、電子化趨勢及AI、超計算等新興領域帶來的變革，實現(xiàn)增長。

source：華潤微電子官微（圖為華潤微電子（重慶）功率半導體研發(fā)中心）

產(chǎn)能方面，華潤微深圳12吋產(chǎn)線已于2024年底實現(xiàn)通線，處于新品驗證和新工藝轉(zhuǎn)移階段；重慶12吋產(chǎn)線已達成規(guī)劃產(chǎn)能3萬片/月。

產(chǎn)品進展方面，華潤微表示，目前中低壓MOS、高壓MOS、SiC產(chǎn)品可應用于AI服務器電源中，已處于上量階段。

SiC JBS和SiC MOS已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，覆蓋650V/1200V/1700V系列，性能達到國際領先同等水平。碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段。產(chǎn)品圍繞新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲能逆變、服務器電源等領域全面推廣上量，預計今年將實現(xiàn)高增長。

業(yè)界指出，碳化硅在AI服務器中的應用圍繞高效能電源設計與高可靠性散熱管理展開，通過替代傳統(tǒng)硅基器件，顯著提升能效比并降低運營成本。隨著AI熱潮不斷持續(xù)，碳化硅技術將成為AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低碳化與高性能化的重要推手。

02瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊

瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品，可應用于光伏等領域，已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導入驗證。

該款產(chǎn)品殼體高度僅12mm，能壓縮應用系統(tǒng)的體積，金屬底座讓模塊安裝更牢固，并消除了塑料底座老化的隱患。產(chǎn)品內(nèi)部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監(jiān)測溫度，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個性化設計需求。相對于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時顯著簡化了電路的設計。

瞻芯電子介紹，2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路。在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡化電路拓撲、減少元器件數(shù)量，降低總物料成本，同時讓應用控制更簡單。對比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品，還進一步簡化了電路設計，大幅提升了功率密度。

03重慶青山與重慶大學聯(lián)合研發(fā)SiC芯片流片成功下線

近日，重慶青山與重慶大學聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。

器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過率達到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節(jié)約成本。（集邦化合物半導體Flora整理）

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瞻芯電子本輪首批融資款將主要用于產(chǎn)品和工藝研發(fā)、碳化硅（SiC）晶圓廠擴產(chǎn)及公司運營等開支，以持續(xù)提升產(chǎn)品的市場競爭力，增強晶圓廠的保供能力，滿足快速增長的市場需求。

資料顯示，瞻芯電子2017年在上海成立，是一家聚焦于碳化硅半導體領域的芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅功率模塊產(chǎn)品。

source：瞻芯電子

融資方面，瞻芯電子從成立至今已完成了7輪融資，累計股權融資金額逾20億。投資方包括小米、北汽、廣汽、小鵬汽車、寧德時代、陽光電源、錦浪科技等企業(yè)。

產(chǎn)能方面，瞻芯電子位于浙江的碳化硅晶圓廠已于2022年交付投產(chǎn)，專注生產(chǎn)6英寸SiC MOSFET和SBD等產(chǎn)品。該工廠按照車規(guī)級標準設計，一期設計產(chǎn)能為30萬片，首批6英寸SiC MOSFET晶圓已于2022年9月成功流片。

依托該晶圓廠，瞻芯電子在2024年相繼推出了第二代650V車規(guī)級SiC MOSFET、第三代1200V SiC MOSFET、2000V SiC MOSFET和SBD等產(chǎn)品。

瞻芯電子表示，在過去的2024年里，公司銷售業(yè)績大幅增長100%以上，累計交付SiC MOSFET產(chǎn)品逾1600萬顆，SiC SBD產(chǎn)品逾1800萬顆，驅(qū)動芯片近6000萬顆。（集邦化合物半導體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，瞻芯電子在國內(nèi)較早自主開發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺，并持續(xù)進行升級迭代。

依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線，瞻芯電子開發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z（1200V 40mΩ SiC MOSFET）于2023年8月獲得了車規(guī)級可靠性（AEC-Q101）認證證書，而且通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導入測試，開啟了量產(chǎn)交付。

瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓（Vgs）為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統(tǒng)設計。在產(chǎn)品結(jié)構上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統(tǒng)效率。

而在近日，瞻芯電子基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級可靠性（AEC-Q101）測試認證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺已正式量產(chǎn)。

瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，現(xiàn)有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款產(chǎn)品，主要用于車載電驅(qū)動系統(tǒng)，已獲得多家車載電驅(qū)動客戶的項目定點。

其第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過20%。核心指標方面，第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，同時，第三代產(chǎn)品的開關損耗對比第二代產(chǎn)品進一步降低30%以上。

在可靠性方面，首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標準完成了三批次可靠性認證，獲得車規(guī)級可靠性認證證書，而且通過了更嚴格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負偏壓下的HTRB等。（集邦化合物半導體Zac整理）

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圖源：瞻芯電子

此外，公司英文名稱、法定代表人、統(tǒng)一社會信用代碼、經(jīng)營地址及郵寄地址、聯(lián)系方式均不變。瞻芯電子表示，此次變更不會影響公司日常運營，原簽訂的合同繼續(xù)有效，業(yè)務主體、法律關系和原有服務承諾不變。

官網(wǎng)介紹，瞻芯電子成立于2017年，是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅應用，為客戶提供一站式解決方案。

另一方面，汽車市場作為未來發(fā)展主軸，正逐漸成為SiC應用領域的重中之重。而瞻芯電子對此早有布局。

產(chǎn)品及應用方面，瞻芯電子已成功量產(chǎn)了122款產(chǎn)品，其中包含28款車規(guī)級產(chǎn)品，涵蓋了SiC MOSFET、SiC SBD、SiC Module和柵極驅(qū)動芯片。據(jù)悉，瞻芯電子SiC MOSFET產(chǎn)品于2021年第四季度開始大批量“上車”應用。

產(chǎn)能方面，2022年瞻芯電子建于浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠順利交付投產(chǎn)，這也意味著瞻芯電子正式實現(xiàn)由Fabless邁向IDM的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。

根據(jù)企查查官網(wǎng)信息，瞻芯電子現(xiàn)已完成七輪融資，投資機構中也出現(xiàn)了諸多車企的影子。

其中，上汽集團、小鵬汽車、北汽藍谷等整車廠商通過直接或者間接方式參與了瞻芯電子的融資，星航資本（小鵬汽車發(fā)起的私募基金）則參與了Pre-B輪融資。（集邦化合物半導體 Winter整理）

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瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統(tǒng)設計。在產(chǎn)品結(jié)構上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統(tǒng)效率。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

同時，第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認證、短路測試、浪涌測試中等評估中表現(xiàn)優(yōu)良。

此外，瞻芯電子將在2023年陸續(xù)推出更多規(guī)格類型的第二代SiC MOSFET，耐壓等級包括650V/750V/1200V/1700V，導通電阻覆蓋14mΩ-50Ω，并且大都采用車規(guī)級標準設計。（文：瞻芯電子）

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2022年12月 ，瞻芯電子剛剛完成了數(shù)億元Pre-B輪融資。由上汽集團戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本（上汽集團旗下私募股權投資平臺）在管基金聯(lián)合領投，星航資本持續(xù)加注，同時獲得陽光電源、愛士惟、錦浪科技、浙江創(chuàng)智、華強創(chuàng)投等戰(zhàn)略機構鼎力加入。融資資金用于瞻芯電子義烏SiC晶圓廠的持續(xù)擴產(chǎn)、運營以及研發(fā)的持續(xù)投入。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅半導體領域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品，并圍繞碳化硅功率半導體應用，為客戶提供一站式(Turn-key)芯片解決方案。

此外，瞻芯電子還是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，建成了一座按車規(guī)級標準設計的SiC晶圓廠，將持續(xù)創(chuàng)新，放眼世界，致力于打造中國領先、國際一流的碳化硅功率半導體和芯片解決方案提供商。（文：集邦化合物半導體 Arely整理）

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