現(xiàn)場集中簽約項目中涉及多個功率器件、化合物半導體等相關項目，包括浙江芯谷半導體產(chǎn)業(yè)園、半導體核心零部件項目、氮化鋁單晶襯底項目、6英寸化合物襯底項目。
source:拍信網(wǎng)
氮化鋁單晶襯底項目
項目計劃總投資10億元，用地面積150畝，建設年產(chǎn)5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產(chǎn)線。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收1.5億元。
6英寸化合物襯底項目
項目計劃總投資10億元，用地面積30畝，建設廠房約2萬平方米，主要建設6英寸化合物襯底生產(chǎn)線。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收5000萬元。
浙江芯谷半導體產(chǎn)業(yè)園
該項目計劃總投資17.7億元，用地面積221畝，建設浙江芯谷半導體產(chǎn)業(yè)園。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入18億元，年稅收9000萬元。
半導體核心零部件項目
項目計劃總投資10億元，租賃廠房54000平方米，建設年產(chǎn)20萬支疊層型壓電陶瓷致動器、10萬片大功率壓電陶瓷換能片、3100枚硅零部件硅環(huán)/硅噴淋頭、10.5萬套半導體核心零部件項目。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入6.6億元，年稅收6500萬元。（集邦化合物半導體整理）
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]]>據(jù)悉，氮化鋁的超寬帶隙和高導熱性有助于提高UVC LED和其他下一代RF和功率器件的可靠性和性能。
左：2024年Q1，Crystal IS的100mm氮化鋁襯底的可用面積為90%；右：2024年Q2，氮化鋁襯底其可用面積為99.3%。
Crystal IS表示，在過去九個月，公司氮化鋁大直徑襯底實現(xiàn)了質的提升，展示了公司團隊在晶體生長方面的豐富經(jīng)驗與專業(yè)知識，氮化鋁固有的熱優(yōu)勢可以使射頻和功率設備性能更高。
Crystal IS計劃在今年向主要合作伙伴供應直徑為4英寸的氮化鋁襯底，這些襯底將在其美國工廠獨家生產(chǎn)，Crystal IS也將繼續(xù)拓展UVC LED以外的業(yè)務。
資料顯示，Crystal IS成立于1997年，致力于開發(fā)氮化鋁襯底，其技術工藝可用于2英寸直徑襯底中生產(chǎn)UVC LED。這些LED具有260-270nm波長，以及高可靠性和高性能特點，可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應用。
去年8月，Crystal IS宣布生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性，能夠滿足各類應用的生產(chǎn)需求。（文：集邦化合物半導體）
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鉅瓷科技成立于2016年，是一家致力于高品級氮化鋁粉體及陶瓷制品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括高純微細氮化鋁粉末、球形氮化鋁顆粒、復雜精密氮化鋁陶瓷制品三大系列。
據(jù)“再石資本”介紹，鉅瓷科技是國內第一家、也是目前唯一一家具備合格高品級氮化鋁粉末批量制備能力的企業(yè)。公司已建成年產(chǎn)能400噸的產(chǎn)線，2024年預計可達600噸，是國內最大的專業(yè)氮化鋁陶瓷研發(fā)、生產(chǎn)基地，產(chǎn)能及銷售規(guī)模位列全球第二。
愛企查官網(wǎng)顯示，鉅瓷科技現(xiàn)已完成7輪融資，投資方包括比亞迪、廈門高新投、英諾天使基金等。
據(jù)了解，氮化鋁粉末已被國家工信部列為戰(zhàn)略基礎原材料。作為一種導熱性能極佳的原材料，氮化鋁粉末主要用于制作功率半導體芯片的支撐與散熱基板，并廣泛應用于通訊基站、汽車、高鐵與電網(wǎng)、消費電子、國防軍工等領域。與目前主要使用的散熱原材料氧化鋁相比，氮化鋁的導熱性能是氧化鋁的7到10倍，性價比更高。
但高品級氮化鋁粉末制備技術長期被日本企業(yè)所壟斷，價格高昂且嚴格限制對軍工的出口量。而鉅瓷科技憑借著濕法混料、自主研發(fā)的短流生產(chǎn)工藝等原創(chuàng)技術，在實現(xiàn)國產(chǎn)替代的同時，生產(chǎn)功耗也大幅度降低。據(jù)悉，鉅瓷科技的單位時間產(chǎn)能是日本德山公司的兩倍，同時每公斤能耗降低60%、成本降低50%。
此外，鉅瓷科技的注射成形氮化鋁陶瓷生產(chǎn)技術現(xiàn)處于世界領先水平。公司依托北京科技大學在氮化鋁領域的研究成果，先后獲得了國家專精特新小巨人、國家重點研發(fā)計劃負責單位等榮譽。（集邦化合物半導體 Winter整理）
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]]>據(jù)悉，華清電子是一家專業(yè)從事高熱導率氮化鋁陶瓷基板和電子陶瓷元器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的高科技企業(yè)，產(chǎn)品主要應用于5G通訊、LED封裝、半導體、功率模塊(IGBT)、影像傳感、醫(yī)療、汽車電子等高科技領域。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
高純氮化鋁陶瓷具有卓越的熱傳導性，耐熱性、絕緣性，熱膨脹系數(shù)接近硅，且具有優(yōu)異的等離子體抗性，產(chǎn)品熱量分布均勻，可應用于晶片加熱的加熱器、靜電吸盤等。
尚頎資本表示，公司在2020年已經(jīng)參與華清電子A輪融資。華清電子業(yè)績多年穩(wěn)定在高盈利水平，業(yè)務方面實現(xiàn)了上游自供粉體、下游延伸做金屬化，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈的延伸。且華清電子業(yè)務橫向拓展氧化鋁基板和氧化鋁/氮化硅/氮化鋁精密結構陶瓷，進一步提高自身核心競爭力?；诖?，尚頎資本追加C輪投資。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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Crystal IS
據(jù)了解，氮化鋁襯底具有低缺陷密度、高紫外透明度和低雜質濃度的特點，并且由于其超寬帶隙和較高的熱導率，氮化鋁在多個領域都具有較大的應用潛力，例如UVC LED和功率器件等。根據(jù)當前UVC LED產(chǎn)品要求，Crystal IS所生產(chǎn)的4英寸氮化鋁襯底的可使用面積超過80％。
旭化成方面表示，本次子公司生產(chǎn)的4英寸氮化鋁襯底，證明了氮化鋁在除UVC LED之外的行業(yè)中，也具有商業(yè)應用的可行性。
資料顯示，Crystal IS成立于1997年，致力于開發(fā)氮化鋁襯底，其技術工藝可用于2英寸直徑襯底中生產(chǎn)UVC LED。這些LED具有260-270nm波長，以及高可靠性和高性能特點，可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應用。
Crystal IS表示，4英寸氮化鋁襯底的成功生產(chǎn)，表明了公司氮化鋁襯底工藝可擴展性，并能夠提供高質量的氮化鋁器件。
目前，Crystal IS每年生產(chǎn)數(shù)千個2英寸襯底，以滿足其UVC LED產(chǎn)品系列Klaran和Optan的需求。本次4英寸氮化鋁襯底的商業(yè)化，將使Crystal IS工廠現(xiàn)有設施的器件產(chǎn)能增加四倍，并將氮化鋁襯底的新應用開發(fā)成為可能，氮化鋁襯底將與公司現(xiàn)有使用替代材料的功率和射頻器件的制造線相結合。
據(jù)悉，8月13日至18日，Crystal IS將在亞利桑那州圖森舉行的第23屆美國晶體生長與外延會議上展示其4英寸襯底產(chǎn)品最新進展。
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