彭建華：方正微電子從2023年底實現車規(guī)主驅SiC MOS芯片量產，2024年進一步提升生產制造質量與良率，夯實基礎。

在關鍵的新能源汽車市場，無論是產品性能質量，還是出貨量，方正微電子均處于國內領先地位。另外在光儲充UPS等工規(guī)應用領域，公司也取得顯著進展，我司SiC產品已廣泛應用于行業(yè)頭部客戶的光儲充UPS系統(tǒng)解決方案。

我們將實現交付車規(guī)主驅SiC MOS芯片上新能源乘用車數量從幾萬輛車到數十萬輛車的歷史跨越。

總體來看，方正微電子是目前國內對SiC領域投入最大的廠家，無論是產線建設還是技術研發(fā)的投入都是最大的，已建成目前國內車規(guī)SiC MOS最大的實際產能。且公司非常重視供應可連續(xù)性、供應鏈安全，構建了從原材料到生產制造的國產供應鏈，積極支持國產材料、設備的發(fā)展。

source：方正微電子

Q2：新能源汽車對SiC器件的需求激增，貴公司在該領域的進展如何？

彭建華：方正微電子的車規(guī)SiC MOSFET已經大規(guī)模交付國內頭部OEM廠商以及Tier1廠商，尤其是乘用車主驅SiC MOS出貨進入行業(yè)第一梯隊。主驅用SiC MOS產品的核心性能指標可比肩國際頭部同行產品，個別指標處于領先地位，產品質量獲得了客戶的高度認可。

公司的車規(guī)產品在行業(yè)內率先通過了3000小時的可靠性測試，測試時長3倍于行業(yè)車規(guī)認證要求，在可靠性等關鍵技術工藝上有關鍵突破以及長期積累。

source：方正微電子

Q3：您怎樣看待8英寸SiC產業(yè)的發(fā)展，貴公司目前進展如何？

彭建華：?英寸SiC轉型的主要動機之一是降低成本，但近年來6英寸襯底價格下降速度太快，因此8英寸晶圓與6英寸晶圓的成本平衡點會推遲。另外，國內的6英寸SiC產品技術與制造工藝能力還有很大的提升空間，加上目前產業(yè)產能過剩，供應遠大于需求，因此應謹慎對待8英寸技術升級與投資。

方正微電子的整個FAB 2是基于8寸做的設計，目前我司基于8寸線已成功產出第二代車規(guī)主驅SiC MOS，方正微電子在8英寸的進展上，處于行業(yè)一梯隊。

Q4：您認為當前國內SiC產業(yè)鏈的主要短板是什么？如何突破？

彭建華：當前國內最主要的短板還是體現在晶圓制造和設備環(huán)節(jié)。雖然SiC芯片制程難度不如邏輯芯片的先進制程，但要把產品做好并不容易，在車規(guī)質量與關鍵工藝上等同先進制程工藝難度。

部分國內廠商過于追求性能指標，忽視了產品質量，犧牲比如柵氧等環(huán)節(jié)的工藝質量，導致器件壽命大幅縮短，可靠性存在風險，引發(fā)應用端的失效事故。另外，目前仍有少部分碳化硅設備高度依賴進口，也是國內的短板的之一。

我們呼吁，國內供應商，要守住質量的底線，投資在可靠性等核心工藝上的研發(fā)技術與制造工藝上。

Q5：?國內SiC產業(yè)競爭激烈，貴公司如何通過差異化策略突圍？

彭建華：方正微電子始終瞄準下游頭部客戶的核心需求，從產品質量、性能等角度提升公司實力，通過技術提升與制造規(guī)模實現成本降低。

秉承“探索一代，研究一代，開發(fā)一代、量產一代”的發(fā)展理念，通過大規(guī)模的研發(fā)技術與制造工藝投入，進行持續(xù)的工藝迭代，并與實驗室、高校、科研平臺進行合作，促進技術成果轉化。

另外一點是穩(wěn)步推進產能建設，確保對客戶的穩(wěn)定交付，提升客戶滿意度。以客戶為中心，通過提供高品質產品與服務以及高強度的研發(fā)與產能規(guī)模，贏得競爭優(yōu)勢。

Q6：2025年貴公司的運營重點和業(yè)務規(guī)劃是怎樣的？

彭建華：首先是做好客戶交付工作，確保給頭部OEM廠以及Tier1的產品供應高質量；其次是持續(xù)壓強投入技術研發(fā)與工藝提升，加快新一代工藝平臺的開發(fā)；另外就是做好FAB 2的擴產工作。2025年是方正微電子發(fā)展過程中最關鍵的一年，我們將實現交付車規(guī)主驅SiC MOS芯片上新能源乘用車數量從幾萬輛到數十萬輛的歷史跨越。

我們相信，首先要把產品做好，交付服務做好，產能供應建設好，產品有競爭力，構建方正微電子的高質量品牌，與客戶做長期的戰(zhàn)略發(fā)展伙伴，做中長跑選手，不犧牲質量去追求短期的利益，樹立好的口碑，這是我們的經營理念。（集邦化合物半導體整理）

source:方正微電子

據方正微電子副總裁/產品總經理彭建華介紹，公司當前有兩個Fab。

其中，Fab1已實現6英寸碳化硅晶圓9000片/月的生產能力，到2024年底，這一數字預計將增長至每月1.4萬片。彭建華還表示，2025年公司將具備年產16.8萬片車規(guī)級碳化硅MOS的生產能力。此外，Fab1還負責生產氮化鎵晶圓，目前月產能為4000片。

Fab2的8英寸碳化硅晶圓生產線將于2024年底通線，長遠規(guī)劃產能6萬片/月。
資料顯示方正微電子成立于2003年12月，是國內第一批進入6英寸碳化硅器件領域進行制造工藝研究開發(fā)的廠商之一。

2021年，深圳市重大產業(yè)投資集團有限公司（下文簡稱“深重投”）成功入主方正微電子，將公司納入深圳集成電路產業(yè)“比學趕超”發(fā)展戰(zhàn)略的重要產業(yè)鏈環(huán)節(jié)，導入全球尖端科技資源，助力戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展，致力于將方正微電子打造為國家第三代半導體制造高地。

目前，方正微電子的系列產品已廣泛應用于新能源汽車的多個場景，包括主驅逆變控制器、OBC、DC/DC、空調壓縮機以及充電樁等，特別是其車規(guī)1200V碳化硅MOS產品，已在新能源汽車主驅控制器上實現了規(guī)模應用。

除碳化硅功率器件外，方正微電子開發(fā)的氮化鎵系列功率器件產品已經應用于消費快充、PC電源、服務器電源等場景。（集邦化合物半導體整理）

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