賽微電子:預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入最高至13億元
賽微電子2024年度業(yè)績(jī)預(yù)告顯示,其發(fā)展面臨著一定的挑戰(zhàn)。預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入11.7億元至13億元;歸母凈利潤(rùn)虧損1.4億元至1.92億元,而上年同期盈利1.04億元;扣非凈利潤(rùn)虧損1.54億元至2.06億元,上年同期盈利815.34萬(wàn)元。
賽微電子表示,業(yè)績(jī)變動(dòng)的主要原因在于,公司堅(jiān)定聚焦發(fā)展主營(yíng)業(yè)務(wù)MEMS。盡管訂單持續(xù)增長(zhǎng),但北京MEMS產(chǎn)線的研發(fā)投入和運(yùn)營(yíng)支出大幅增加,導(dǎo)致整體虧損擴(kuò)大。此外,隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)及衛(wèi)星導(dǎo)航市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,這兩個(gè)業(yè)務(wù)的銷(xiāo)售均下降超過(guò)50%,未能為公司貢獻(xiàn)盈利。
據(jù)介紹,賽微電子是一家高端集成電路芯片晶圓制造廠商,也是國(guó)內(nèi)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和掌握核心半導(dǎo)體制造技術(shù)的特色工藝專業(yè)芯片晶圓制造商。在項(xiàng)目新動(dòng)態(tài)方面,賽微電子積極推進(jìn)MEMS產(chǎn)線的技術(shù)升級(jí),目前正在開(kāi)展多個(gè)前沿項(xiàng)目,如面向5G通信的高性能MEMS濾波器研發(fā)項(xiàng)目,旨在提升其在5G通信領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
在布局上,賽微電子還計(jì)劃在海外設(shè)立研發(fā)中心,加強(qiáng)與國(guó)際先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)的合作,拓展國(guó)際市場(chǎng)份額。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,賽微電子著重布局氮化鎵(GaN)業(yè)務(wù)。
旗下子公司聚能晶源圍繞第三代半導(dǎo)體材料和器件開(kāi)展研究,憑借技術(shù)研發(fā)實(shí)力,探索材料創(chuàng)新與器件性能優(yōu)化,為賽微電子在該領(lǐng)域發(fā)展提供支撐。聚能創(chuàng)芯專注于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,致力于為行業(yè)提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)方案。研發(fā)中聚焦提升GaN功率器件性能、降低成本,產(chǎn)品在新能源汽車(chē)充電模塊、5G基站電源系統(tǒng)等領(lǐng)域有一定競(jìng)爭(zhēng)力。
聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司則專注于GaN外延材料的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售,利用先進(jìn)MOCVD設(shè)備生長(zhǎng)6-8英寸GaN外延材料,既能滿足常規(guī)技術(shù)參數(shù),也可定制生產(chǎn),為下游器件制造提供材料基礎(chǔ)。除技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品生產(chǎn),賽微電子在市場(chǎng)拓展上也有動(dòng)作,通過(guò)技術(shù)授權(quán)、產(chǎn)品供應(yīng)等方式與國(guó)內(nèi)外企業(yè)合作,將技術(shù)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。同時(shí),公司持續(xù)加大研發(fā)投入,吸引人才,提升技術(shù)創(chuàng)新能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
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拉普拉斯:2024年凈利潤(rùn)最高同比預(yù)增87.43%
拉普拉斯預(yù)計(jì)2024年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為7億元~7.7億元,與上年同期相比,將增加約2.89億元~3.59億元,同比增加70.39%~87.43%。
拉普拉斯此次業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng),主要得益于全球光伏裝機(jī)需求及產(chǎn)業(yè)規(guī)模保持增長(zhǎng)。以TOPCon、XBC為代表的高效光伏電池片技術(shù)發(fā)展加速,TOPCon技術(shù)憑借高轉(zhuǎn)換效率和成熟度,已成為行業(yè)主流技術(shù)路線,市場(chǎng)占比持續(xù)提升,同時(shí),XBC等技術(shù)路線也取得較大進(jìn)步。
拉普拉斯作為高效光伏電池片核心工藝設(shè)備的主流供應(yīng)商,受益于產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及公司產(chǎn)品良好的競(jìng)爭(zhēng)能力,隨著產(chǎn)品在客戶端不斷交付和驗(yàn)收,經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)保持較好增長(zhǎng)。source:拉普拉斯從2024年1至6月份拉普拉斯的營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成來(lái)看,光伏電池片設(shè)備-LPCVD占比33.19%,硼擴(kuò)散設(shè)備占比18.44%,氧化退火設(shè)備占比16.64%,自動(dòng)化設(shè)備占比12.76%,PECVD占比10.39%。
在項(xiàng)目新動(dòng)態(tài)上,拉普拉斯近期成功中標(biāo)多個(gè)大型光伏項(xiàng)目的設(shè)備供應(yīng)合同,進(jìn)一步鞏固了其市場(chǎng)地位。在布局方面,拉普拉斯計(jì)劃在國(guó)內(nèi)多個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)集中地區(qū)建設(shè)生產(chǎn)基地,以提高產(chǎn)能,滿足市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求,同時(shí)加大在海外新興光伏市場(chǎng)的拓展力度,積極布局東南亞、歐洲等地區(qū)。拉普拉斯成立于2016年5月,主營(yíng)業(yè)務(wù)為高效光伏電池和半導(dǎo)體分立器件相關(guān)設(shè)備的研發(fā)制造。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,拉普拉斯聚焦第三代半導(dǎo)體SiC基半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝所需要的高溫氧化設(shè)備和高溫退火設(shè)備。目前,其已完成向比亞迪、基本半導(dǎo)體的導(dǎo)入工作,并取得批量訂單,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
去年10月,根據(jù)招股說(shuō)明書(shū),拉普拉斯擬公開(kāi)發(fā)行4053.26萬(wàn)股,占發(fā)行后總股本的10%,擬募集資金18億元,實(shí)際募集資金扣除發(fā)行等費(fèi)用后投向光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目,以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
其中,半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目擬在廣東省廣州市投資建設(shè)生產(chǎn)基地,占地面積約3.66萬(wàn)平方米,其中包括光伏設(shè)備的生產(chǎn)廠房、宿舍樓及配套設(shè)施的建設(shè),并將購(gòu)置相關(guān)設(shè)備及軟件系統(tǒng),預(yù)計(jì)建設(shè)期為24個(gè)月。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)
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]]>招股書(shū)顯示,拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商,主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售,并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)。
拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。其中,碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐用于碳化硅的高溫氧化工藝,高溫下使硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜,從而起到鈍化、緩沖隔離、保護(hù)等作用;碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐用于碳化硅的高溫退火活化工藝,可以消除晶格缺陷,有效提高器件的可靠性和成品率。
業(yè)績(jī)方面,招股書(shū)顯示,報(bào)告期內(nèi)(2021年、2022年、2023年和2024年1-6月),拉普拉斯?fàn)I收分別為1.04億元、12.66億元、29.66億元及25.41億元,扣非歸母凈利潤(rùn)分別為-0.66億元、1.08億元、3.59億元及3.17億元。
拉普拉斯表示,其半導(dǎo)體分立器件設(shè)備目前正處于客戶導(dǎo)入和驗(yàn)證階段,報(bào)告期內(nèi)的收入為0萬(wàn)元、564.60萬(wàn)元、1714.40萬(wàn)元及2124.00萬(wàn)元,半導(dǎo)體分立器件設(shè)備業(yè)務(wù)處于起步階段、規(guī)模較小,尚未形成持續(xù)性、穩(wěn)定性和規(guī)模化的銷(xiāo)售收入。
本次上市,拉普拉斯擬募資18億元,募集資金主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。其中,光伏和半導(dǎo)體兩個(gè)項(xiàng)目投資總額分別為7.70億元、7.98億元,擬使用募集資金投入金額均為6億元。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>拉普拉斯此次IPO擬募資18億元,募集資金主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。其中,光伏和半導(dǎo)體兩個(gè)項(xiàng)目投資總額分別為7.70億元、7.98億元,擬使用募集資金投入金額均為6億元。
作為一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商,拉普拉斯主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售,并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù),其半導(dǎo)體分立器件設(shè)備主要包括氧化、退火、鍍膜和釬焊爐設(shè)備等一系列產(chǎn)品。
據(jù)悉,在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域,拉普拉斯相關(guān)設(shè)備已完成向比亞迪、基本半導(dǎo)體的導(dǎo)入工作。其中,基本半導(dǎo)體專業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,核心產(chǎn)品包括SiC二極管和MOSFET芯片、汽車(chē)級(jí)SiC功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等,廣泛用于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
目前,針對(duì)火熱的SiC產(chǎn)業(yè),拉普拉斯已推出了相關(guān)設(shè)備。招股書(shū)顯示,拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。其中,SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐用于SiC的高溫氧化工藝,高溫下使硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜,從而起到鈍化、緩沖隔離、保護(hù)等作用;SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐用于SiC的高溫退火活化工藝,可以消除晶格缺陷,有效提高器件的可靠性和成品率。
業(yè)績(jī)方面,招股書(shū)顯示,報(bào)告期內(nèi)(2021年度、2022年度及2023年度),受益于新型高效光伏電池片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展,拉普拉斯經(jīng)營(yíng)規(guī)模和盈利水平均呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的趨勢(shì),其營(yíng)收分別為1.04元、12.67億元及29.66億元,扣非歸母凈利潤(rùn)分別為-0.66億元、1.08億元及3.59億元。
拉普拉斯表示,其半導(dǎo)體分立器件設(shè)備目前正處于客戶導(dǎo)入和驗(yàn)證階段,報(bào)告期內(nèi)的收入為0萬(wàn)元、564.60萬(wàn)元及1,714.40萬(wàn)元,半導(dǎo)體分立器件設(shè)備業(yè)務(wù)處于起步階段、規(guī)模較小,尚未形成持續(xù)性、穩(wěn)定性和規(guī)?;匿N(xiāo)售收入。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>拉普拉斯此次IPO擬募資18億元,投建于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目,以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
2020-2022年(簡(jiǎn)稱:報(bào)告期內(nèi)),拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別為4072.33萬(wàn)元、10358.14萬(wàn)元和126,585.03萬(wàn)元,對(duì)應(yīng)的凈利潤(rùn)分別為-4599.63萬(wàn)元、-5711.25萬(wàn)元、11897.72萬(wàn)元。
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拉普拉斯是一家領(lǐng)先的高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商,主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售,其中熱制程設(shè)備主要包括硼擴(kuò)散、磷擴(kuò)散、氧化及退火設(shè)備等;鍍膜設(shè)備主要包括 LPCVD 和 PECVD 設(shè)備等;自動(dòng)化設(shè)備為可以有效提升工藝設(shè)備生產(chǎn)效率的配套上下料設(shè)備。
在具體產(chǎn)品方面,拉普拉斯持續(xù)對(duì)高溫氧化設(shè)備和高溫退火設(shè)備進(jìn)行開(kāi)發(fā)與優(yōu)化,可適用于 SiC 基半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝;公司 LPCVD 設(shè)備可滿足氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉積技術(shù)的應(yīng)用需求,并適用于半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理)
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