此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現卓越的熱性能表現。這些器件在電池儲能系統(BESS)、光伏逆變器、電機驅動器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應用場景中表現卓越。此外，在包括充電樁在內的電動汽車充電基礎設施領域同樣能發(fā)揮出眾效能。
X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現從外殼頂部高效散熱。這一設計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。?新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質因數(FoM)。
其中，RDS(on)作為關鍵參數，對導通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關注該參數（常溫）的標稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的導通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。（集邦化合物半導體整理）
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]]>根據合作條款，安世半導體將開發(fā)、制造和供應由KOSTAL設計和驗證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動汽車（EV）、車載充電器（OBC）的頂部散熱（TSC）QDPAK封裝的碳化硅（SiC）MOSFET器件。
據悉，安世半導體為聞泰科技子公司，其產品包括碳化硅二極管和MOSFET、氮化鎵（GaN） E-mode和D-mode器件，以及成熟的硅基產品組合。
值的一提的是，除了上述合作外，安世半導體此前就在德國有所布局——今年6月，安世半導體宣布，計劃投資2億美元（約14億人民幣）開發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體，并在德國漢堡工廠建立生產基礎設施。
source：安世半導體
為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，從今年6月開始，安世半導體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發(fā)和生產。
同月，安世半導體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產線投產。安世半導體指出，下一個里程碑將是建設碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT 8英寸現代化高性價比生產線，這些產線預計在未來兩年內在德國漢堡工廠建成。（集邦化合物半導體Morty整理）
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圖片來源：拍信網正版圖庫
公告顯示，聞泰科技全資子公司安世半導體擬投資境外基金Amadeus APEX Technology EuVECA GmbH & Co KG，并承諾初始資本投資為385萬歐元，后續(xù)將根據實際情況追加投資，總投資額不超過500萬歐元。
聞泰科技表示，標的基金的重點投資方向包括人工智能和機器學習、量子技術/光子學、移動性與空間創(chuàng)新、自主系統與機器人技術，以及其他新興科技領域（如新型材料）。安世半導體參與的重點仍然是其核心競爭力相關領域，旨在增強為上述技術領域的基本應用開發(fā)基本半導體解決方案的經驗。
目前，聞泰科技主營業(yè)務分為半導體與產品集成兩大方向。其中，半導體業(yè)務采用IDM垂直整合制造模式，產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。
在化合物半導體領域，2023年，聞泰科技實現了氮化鎵產品D-mode系列產品工業(yè)和消費領域的銷售，同時D-mode產品通過所有測試認證，于2024年開始銷售。碳化硅方面，聞泰科技實現了碳化硅整流管的工業(yè)消費級的量產和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證，以及碳化硅MOS產品線的建立，推動產品進入1200V高壓市場，拓展新的增長空間。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、SiC和GaN）和模塊等的研發(fā)。
作為聞泰科技全資子公司，安世半導體在今年6月宣布，計劃投資2億美元（約14億人民幣）開發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體，并在德國漢堡工廠建立生產基礎設施。
為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，從今年6月開始，安世半導體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發(fā)和生產。
同月，安世半導體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產線投產。安世半導體指出，下一個里程碑將是建設碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT8英寸現代化高性價比生產線，這些產線預計在未來兩年內在漢堡工廠建成。（集邦化合物半導體Zac整理）
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]]>同時，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產能也將增加。這些投資是與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士在生產基地成立100周年之際共同宣布的。
source：安世半導體
為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，從2024年6月開始，安世半導體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發(fā)和生產。
同月，安世半導體首批高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產線投產。安世半導體指出，下一個里程碑將是建設SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現代化高性價比生產線，這些產線預計在未來兩年內在漢堡工廠建成。
與此同時，這筆投資還將有助于德國漢堡工廠現有基礎設施的進一步自動化，并通過系統地轉換到8英寸晶圓來擴大硅生產能力。安世半導體在擴大無塵室面積后，還將新建研發(fā)實驗室，以繼續(xù)確保未來從研究到生產的無縫過渡。
安世半導體德國首席運營官兼董事總經理Achim Kempe評論道：“這項投資鞏固了我們作為節(jié)能半導體領先供應商的地位，使我們能夠更負責任地利用可用的電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋寬帶隙半導體的全系列，同時其仍然是最大的小型信號二極管和晶體管工廠。”（集邦化合物半導體Morty編譯）
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]]>11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。
NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝選擇。此次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應用對高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia高級總監(jiān)兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望這兩款首發(fā)產品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動市場涌現更多功率器件供應商。Nexperia現可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個參數性能均超越同類產品，例如極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展?！?/p>
來源：安世半導體
Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件
近日，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。
source：Transphorm
新產品TP65H070G4RS晶體管的導通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個采用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。
針對不適合使用傳統底部散熱型表貼器件的系統，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實現高效制造流程的額外優(yōu)勢。
TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 高性能 650V 常閉型 d-mode GaN平臺，該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、SiC和其他GaN產品。SuperGaN 平臺的優(yōu)勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統成本更低的電源系統客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。
來源：Transphorm
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲充等領域有廣泛需要，現已通過多家知名客戶評估測試，逐步批量交付應用。
IV2Q171R0D7Z是瞻芯電子的第二代SiC MOSFET中1700V平臺的產品，驅動電壓(Vgs)為15~18V，室溫下導通電流為6.3A。該產品采用車規(guī)級TO263-7貼片封裝，對比插件封裝，體積更小，阻抗更低，安裝更簡便，且有開爾文柵極引腳。因此該產品特別適合高電壓、小電流、低損耗的應用場景。
來源：瞻芯電子
平創(chuàng)半導體推出1200V/1700V PC62封裝SiC模塊
11月28日，平創(chuàng)半導體推出了應用于新能源變流器的PC62封裝SiC模塊，涵蓋1700V/1200V系列產品。
source:平創(chuàng)半導體
據介紹，PC62封裝SiC MOSFET半橋模塊采用平創(chuàng)半導體自研碳化硅芯片，模塊在VGS（th）、RDS（on）漂移和柵氧可靠性方面得到了明顯改善。此外，芯片對稱結構布局、Clip互連工藝大幅提升了模塊載流能力，降低了寄生電感。
據悉，平創(chuàng)半導體是一家專注于功率半導體器件及創(chuàng)新解決方案的國家高新技術企業(yè)，公司主要產品為650V-3300V SiC二極管和1200V/1700V SiC MOSFET器件與模塊、硅基光伏二極管與模塊 (TO裝、R6封裝、定制化光伏模塊)，小信號器件、中低壓MOS、高性能工業(yè)控制及車規(guī)級功率器件與模塊(650V/1200V/1700VIGBT、FRD系列)，相關產品與技術已被廣泛應用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲能等領域，服務客戶包含華潤微電子、晶科能源、國家電網、松下電器、隆鑫通用等明星企業(yè)。
來源：平創(chuàng)半導體
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]]>安世半導體近來消息不斷：
11月9日，安世半導體將此前收購的英國Newport Wafer Fab（NWF）晶圓制造工廠出售給美國半導體廠商Vishay Intertechnology，售價1.77億美元。
這次交易，主要受地緣政治影響，并非公司經營問題所致。在眾人都以為安世半導體會因此沉寂，但沒想到才過了兩天，便有三菱電機與安世半導體合作的消息傳來。
三菱電機于11月13日宣布，將與安世半導體建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，安世半導體將使用該芯片來開發(fā)SiC分立器件。
據聞泰科技公布的2023第三季財報來看，第三季度，聞泰科技實現營業(yè)收入152.06億元，同比增長11.90%；歸屬于上市公司股東的凈利潤8.48億元，同比增長11.42%。其中，半導體業(yè)務實現收入為39.99億元，業(yè)務毛利率為37.70%，實現凈利潤6.83億元。業(yè)務營收來自汽車領域的收入占比超過60%。
根據TrendForce集邦咨詢《2023全球 SiC功率半導體市場分析報告》分析，2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%
受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。
source:TrendForce集邦咨詢
未來，隨著安世半導體旗下的海外晶圓廠改造完成以及上海臨港晶圓廠一期的正式投產，其SiC功率器件產能也將有所提升，能更好滿足市場需求，鞏固自身在世界SiC功率市場的領先地位。（化合物半導體市場Morty整理）
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]]>從安世半導體收購NWF到出售，僅僅只有兩年多時間，收購的過程可謂一波三折。安世半導體在2021年7月宣布完成收購英國NWF晶圓廠，交易金額6300萬英鎊。彼時，英國政府并沒有進行干預，但到2022年5月，英國相關部門突然開始審查安世半導體對NWF晶圓廠的收購案。經過近半年審查，英國政府正式要求安世半導體至少剝離NWF 86%的股權。
由于英國政府的限制，安世半導體被迫取消了旨在通過引入新技術和產品使NWF發(fā)展壯大以適應未來需求的投資計劃。風波之下，NWF晶圓廠被迫裁員上百人，安世半導體也只能無奈出售這一晶圓廠。
目前，Vishay與安世半導體已聯合發(fā)布公告，宣布了這起收購。Vishay公司總裁兼首席執(zhí)行官Joel Smejkal表示，此次收購將有助于該公司擴大產能，同時確保該工廠全面盈利。至此，安世半導體出售NWF晶圓廠已基本無懸念。
圖片來源：拍信網正版圖庫
資料顯示，Vishay公司于1962年在美國特拉華州成立，是一家分立半導體和無源元件制造商和供應商，半導體產品包括MOSFET、二極管和光電元件。無源元件產品包括電阻產品、電容器和電感器。
作為一家老牌半導體廠商，Vishay也已進軍前沿的第三代半導體賽道。2022年10月31日，Vishay以5000萬美元收購了SiC MOSFET廠商MaxPower Semiconductor，此次收購為Vishay的MOSFET產品線增加了SiC技術。同時，Vishay自身也在開發(fā)SiC產品，疊加本次收購，Vishay在功率半導體市場，特別是在SiC市場的布局將更為完善，有助于其提升綜合競爭力，在這個賽道站穩(wěn)腳跟。
另值得一提的是，安世半導體在SiC領域也加大了布局力度。據悉，安世半導體已宣布將與奧地利汽車電子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH深化現有長期合作關系，共同生產新型650V、20A SiC整流器模塊，用于3kW至11kW功率堆棧設計的高頻電源應用，目標應用包括工業(yè)電源、電動汽車（EV）充電站、車載充電器。（化合物半導體市場Zac整理）
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]]>更小體積與更輕重量是下一代電源應用制造商的關鍵要求。這種新型SiC整流器模塊的緊湊尺寸將有助于最大限度地提高功率密度，從而減少所需的電路板空間并降低整體系統成本。
使用頂部冷卻（TSC）和集成負溫度系數（NTC）傳感器的組合來優(yōu)化熱性能，該傳感器可監(jiān)控設備溫度并為設備或系統級預測和診斷提供實時反饋。該整流器模塊采用低電感封裝，可實現高頻操作，并且經認證可在高達175°C的結溫下工作。
圖片來源：拍信網正版圖庫
安世半導體SiC產品部高級總監(jiān)Katrin Feurle表示：“安世半導體與京瓷AVX之間的此次合作將尖端的SiC半導體與最先進的模塊封裝相結合，將使安世半導體能夠更好地滿足市場對具有極高功率密度的電力電子產品的需求。該整流器模塊的發(fā)布將代表安世半導體和京瓷AVX之間長期SiC合作伙伴關系的第一步”。
京瓷AVX組件傳感與控制部傳感與控制部副總裁Thomas Rinschede表示：“我們很高興能夠進一步擴大與安世半導體的成功合作伙伴關系，生產用于電力電子應用的SiC模塊。安世半導體的專業(yè)制造知識與京瓷模塊專有技術相結合，為希望使用寬帶隙半導體技術實現更高功率密度的客戶提供了極具吸引力的產品。”
安世半導體預計新型SiC整流器模塊的樣品將于2024年第一季度上市。
近日，在深圳舉辦的“2023汽車半導體生態(tài)峰會暨全球汽車電子博覽會”上，安世半導體BG MOS中國區(qū)負責人李東岳表示，對于安世半導體來講，2022年24億美金的銷售額接近一半的比例來自于汽車，而最近幾年公司新產品的布局仍集中在碳化硅、氮化鎵、IGBT，還有電源管理IC等領域，相信未來安世在汽車上面的營收占比仍會逐步增加。
（文：集邦化合物半導體Morty編譯）
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