Octric Semiconductors，這家位于達勒姆郡牛頓艾克利夫的晶圓廠前身為美國Coherent公司旗下砷化鎵（GaAs）生產(chǎn)基地，2024年9月被英國防部以2700萬英鎊收購并更名。

據(jù)悉，此次注資將專項用于擴建軍用砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)線，兩類化合物半導體廣泛應用于軍用雷達系統(tǒng)、電力電子設(shè)備及先進航空平臺。為推進產(chǎn)能擴張，Octric正面向全球招募具備磷化銦（InP）等化合物半導體研發(fā)經(jīng)驗的工程師團隊。

此次投資標志著英國加速半導體自主化進程的重要舉措，旨在降低對海外供應鏈的依賴，確保從5G通信到高超音速武器等尖端裝備的芯片供應安全。

資料顯示，英國正通過多維度的戰(zhàn)略部署，加速構(gòu)建化合物半導體領(lǐng)域的全球競爭力，其布局涵蓋政策扶持、技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈整合及國際合作等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

英國政府將化合物半導體列為半導體戰(zhàn)略的核心方向，2023年啟動10億英鎊國家半導體支持計劃，明確聚焦化合物半導體、芯片設(shè)計及研發(fā)創(chuàng)新。

同時，英國在化合物半導體領(lǐng)域具備深厚的科研底蘊并形成了產(chǎn)業(yè)集群?？ǖ戏虼髮W化合物半導體研究所專注GaAs、GaN等材料的基礎(chǔ)研究，其技術(shù)已應用于5G通信、國防雷達等領(lǐng)域。威爾士CS Connected集群聚集IQE、Microsemi等龍頭企業(yè)，覆蓋從外延片生產(chǎn)到封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈；東北部NEAME集群：以氮化鎵（GaN）材料為特色，服務電動汽車、5G基站等高增長市場。（集邦化合物半導體整理）

另外，武漢東湖高新區(qū)在會上宣布將布局化合物半導體產(chǎn)業(yè)，打造千億元創(chuàng)新街區(qū)，引發(fā)了廣泛關(guān)注。

source：九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)

武漢東湖高新區(qū)相關(guān)負責人表示，將堅持全產(chǎn)業(yè)鏈思維和三生融合理念，以鏈主企業(yè)或鏈創(chuàng)平臺為依托，著力打造四個千億元產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)，其中化合物半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)規(guī)劃面積14平方公里。該街區(qū)力爭在3年內(nèi)引進和培育上下游企業(yè)100家，吸引創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高層次人才超200人。

source：集邦化合物半導體

據(jù)悉，武漢東湖高新區(qū)在化合物半導體領(lǐng)域已經(jīng)具備了良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。目前，該區(qū)基本形成了以存儲器為核心、化合物半導體競相發(fā)展的產(chǎn)業(yè)格局，聚集了長飛先進、先導稀材等一批鏈主企業(yè)，產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模突破800億元。

其中，2024年12月末長飛先進武漢基地首批設(shè)備搬入儀式在光谷科學島成功舉辦，標志著項目即將邁入工藝驗證新階段，多方消息顯示，該項目預計在今年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線；先導稀材則專注于高端化合物半導體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化，其投資120億元的項目于2024年3月簽約落地，填補了產(chǎn)業(yè)的一大空白；九峰山實驗室作為全球領(lǐng)先的化合物半導體研發(fā)和創(chuàng)新中心，九峰山實驗室多項重大科技成果和技術(shù)解決方案已走出實驗室、投入量產(chǎn)…

近年來，化合物半導體在新能源、汽車、光伏、儲能、軌道交通、移動通信及新型顯示等多個領(lǐng)域的應用不斷深化和拓展，市場需求呈現(xiàn)出快速增長的趨勢。在市場需求的牽引、技術(shù)突破以及產(chǎn)業(yè)鏈的聚集發(fā)展的共同作用下，我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)正處在高速發(fā)展階段，年復合增長率達到30%-50%。

為了推動化合物半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，武漢東湖高新區(qū)出臺了一系列重磅政策。自2023年4月九峰山實驗室正式投入運營以來，東湖高新區(qū)逐步完善了化合物半導體產(chǎn)業(yè)的政策支持體系。其中提到，每年設(shè)立不低于5億元專項資金，支持企業(yè)突破關(guān)鍵核心技術(shù)。并對于企業(yè)投入設(shè)備等固定資產(chǎn)，每家企業(yè)每年最高獎勵2億元。在研發(fā)費用支持，針對EDA研發(fā)等費用，每年最高支持1000萬元。

武漢東湖高新區(qū)打造千億元化合物半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)的規(guī)劃，不僅將推動區(qū)域經(jīng)濟的高質(zhì)量發(fā)展，還將提升我國在全球化合物半導體產(chǎn)業(yè)中的地位。隨著創(chuàng)新街區(qū)的建設(shè)和發(fā)展，預計將吸引更多企業(yè)和人才匯聚，形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈條，為我國半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐。（集邦化合物半導體 王奇 整理）

2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)將在武漢光谷科技會展中心盛大啟幕。本屆展會以“激活未來”為主題，圍繞化合物半導體前沿技術(shù)、產(chǎn)業(yè)趨勢及未來應用展開深度探討。

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• 成功注冊后，點擊電子憑證界面上的“點擊抽獎”(如下所示），即可進入抽獎環(huán)節(jié)。
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1.即刻起至2025年4月1日，注冊即可獲得一次抽獎機會，現(xiàn)金紅包秒到賬。

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2025CSE介紹

本屆化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會展覽面積首次超過2萬平方米，共設(shè)半導體設(shè)備、半導體材料及原輔料、終端應用、加工制造、前沿技術(shù)與創(chuàng)新成果6大展區(qū)，擬邀展商數(shù)量超過300家，完整呈現(xiàn)化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新圖譜。同時，現(xiàn)場還精心打造超充、功率器件、未來產(chǎn)業(yè)、未來藝術(shù)等多個特色展區(qū)，集中展示關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務。目前展會已匯聚10國200+頂尖企業(yè)，覆蓋設(shè)備、材料、設(shè)計、制造及終端應用全產(chǎn)業(yè)鏈，中國汽車工業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)東風汽車集團，以及本土FAB龍頭三安、英諾賽科、方正微電子、華芯半導體等均已確認參展。

九峰山論壇是聚焦化合物半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的高峰論壇，攜手全球相關(guān)領(lǐng)域權(quán)威科研機構(gòu)、領(lǐng)軍企業(yè)及行業(yè)專家代表，旨在分享行業(yè)前沿技術(shù)與資訊，積極推動相關(guān)領(lǐng)域科學技術(shù)進步，加強產(chǎn)學研協(xié)同，共同探索化合物半導體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展方向。通過定向邀約與公開征集審核的方式，目前已有超130份高質(zhì)量報告確認，首批重磅演講嘉賓也正式公布。

聚焦科技、產(chǎn)業(yè)、文化三大維度，2025CSE同期活動將匯聚國內(nèi)外頂尖專家、產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)、科研院所及投資機構(gòu)，圍繞材料、芯片設(shè)計、制造工藝、測試驗證、應用生態(tài)等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)展開深度探討，推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級的深度融合，為行業(yè)可持續(xù)發(fā)展注入新動能。

此外，科技與文化專題交流會、CSE光谷科技人文游（CSE City Walk）等一系列城市文化活動，將見證科技、產(chǎn)業(yè)與文化的完美相逢！

結(jié)合本次展會覆蓋的產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)與行業(yè)熱點話題，現(xiàn)場還將舉辦多場展邊會，包括電動汽車超充大會、PCIM功率器件論壇、半導體出海論壇、華為數(shù)字能源大會等，同時還有Yole行業(yè)分析報告的重磅發(fā)布以及LightCounting高級分析師分享聚焦人工智能的光通信市場主題研究報告，干貨滿滿，值得期待！

誠邀各界人士共襄盛舉

共赴產(chǎn)業(yè)新征程

開啟化合物半導體創(chuàng)新發(fā)展新篇章

（集邦化合物半導體整理）

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source：集邦化合物半導體截圖

此前，昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機電等知名產(chǎn)業(yè)方，金浦投資、招商致遠、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清石資管等知名財務投資人的投資。

公開資料顯示，昂坤視覺成立于2017年，致力于為化合物半導體、光電和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學測量和光學缺陷檢測設(shè)備及解決方案。經(jīng)過多年的研發(fā)和技術(shù)積累，該公司具備光學系統(tǒng)設(shè)計、機器視覺及AI深度學習算法等研發(fā)能力，獲得了國家級專精特新“小巨人”、北京市企業(yè)技術(shù)中心、ISO9001質(zhì)量管理體系認證等資質(zhì)，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

大基金二期對昂坤視覺的投資，標志著其在化合物半導體檢測設(shè)備領(lǐng)域的重要落子。作為國內(nèi)少數(shù)掌握高精度晶圓檢測技術(shù)的企業(yè)，昂坤視覺的光學測量設(shè)備可應用于SiC襯底缺陷檢測、GaN外延片均勻性分析等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其自主研發(fā)的AI算法將檢測效率提升30%以上。

此次注資后，行業(yè)多方消息推測，昂坤視覺將資金用于8英寸SiC晶圓檢測設(shè)備的研發(fā)，以滿足新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃云骷男枨蟆?/p>

source：昂坤視覺招聘

在第三代半導體技術(shù)加速迭代的背景下，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（大基金二期）正通過資本杠桿撬動化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。近期，大基金二期先后入股光學檢測設(shè)備商昂坤視覺、膜技術(shù)企業(yè)神州半導體，并持續(xù)增持士蘭明鎵等化合物半導體制造企業(yè)，展現(xiàn)出對碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體領(lǐng)域的深度戰(zhàn)略布局。

據(jù)悉，神州半導體通過多年技術(shù)積累，已形成覆蓋芯片、光伏、顯示面板的多功能鍍膜工藝，其開發(fā)的遠程等離子體耐腐蝕膜層技術(shù)，有效解決了化合物半導體生產(chǎn)中膜厚均勻性難題。業(yè)內(nèi)人士指出，隨著臺積電等廠商加速導入玻璃基板封裝技術(shù)，神州半導體的鍍膜工藝將在Fan-Out面板級封裝（FOPLP）中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

另外，在更早的2024年年末，大基金二期對士蘭明鎵的持續(xù)增持尤為矚目。通過14.11%的持股比例，大基金二期深度參與該公司6英寸SiC功率器件產(chǎn)線建設(shè)。數(shù)據(jù)顯示，士蘭明鎵SiC-MOSFET芯片年產(chǎn)能已達12萬片，其產(chǎn)品在2024年成功進入比亞迪、蔚來等車企供應鏈。此次增資將重點用于8英寸產(chǎn)線技術(shù)改造，目標在2026年實現(xiàn)SiC器件產(chǎn)能翻番，進一步縮小與英飛凌、羅姆等國際廠商的差距。

值得注意的是，大基金二期在士蘭微系企業(yè)的布局已形成協(xié)同效應。通過對成都士蘭、士蘭集科等子公司的注資，該基金正構(gòu)建”芯片設(shè)計-制造-封裝”的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其中，士蘭集科12英寸特色工藝產(chǎn)線的建成，為化合物半導體與硅基器件的混合集成提供了技術(shù)支撐。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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01新疆北屯40億元半導體材料項目簽約，打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地

據(jù)第十師北屯市公眾號消息，近日，新疆第十師北屯市與北京卓融和遠科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“北京卓融和遠科技”）正式簽約總投資40億元的半導體材料項目，標志著該地區(qū)在第三代半導體領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

據(jù)了解，新疆北屯卓融和遠半導體材料項目位于北屯市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資40億元。項目選址北屯市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，將依托當?shù)刎S富的礦產(chǎn)資源、區(qū)位優(yōu)勢及政策環(huán)境，重點發(fā)展寬禁帶半導體晶體裝備及材料研發(fā)制造，涵蓋碳化硅（SiC）、金剛石等核心材料。

企查查顯示，江蘇卓遠半導體有限公司間接持有北京卓融和遠科技30%股權(quán)。江蘇卓遠半導體成立于2018年，是一家以創(chuàng)新開發(fā)為主導，以先進技術(shù)為基石的第三代半導體高新科技企業(yè)。公司自成立以來一直專注于寬禁帶半導體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務有寬禁帶半導體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅SiC晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域的相關(guān)應用。

02廣西梧州龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園開工，年產(chǎn)30噸合成碳化硅晶體

3月5日，廣西梧州市長洲區(qū)舉行重大項目集中開竣工活動，其中龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園項目正式啟動。該項目總投資約50億元，占地面積250畝，聚焦合成立方氧化鋯與合成碳化硅晶體材料生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)1萬噸合成立方氧化鋯晶體及30噸合成碳化硅晶體，建成后將形成集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)加工、銷售貿(mào)易于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

作為長洲區(qū)寶石產(chǎn)業(yè)升級的核心項目，產(chǎn)業(yè)園將引入智能化生產(chǎn)設(shè)備，推動傳統(tǒng)珠寶加工向綠色化、高端化轉(zhuǎn)型。同時，項目將聯(lián)動京東科技等企業(yè)，深化數(shù)字經(jīng)濟與實體經(jīng)濟融合，預計帶動就業(yè)超千人，并為村級集體經(jīng)濟增收提供新路徑。長洲區(qū)政府表示，將通過“專班推進+要素保障”模式，確保項目2025年內(nèi)投產(chǎn)見效。

03元山電子啟動二期車規(guī)級SiC項目，加速國產(chǎn)碳化硅模組量產(chǎn)

據(jù)“濟南報業(yè)時政融媒”報道，2月24日，元山（濟南）電子科技有限公司（以下簡稱“元山電子”）投資建設(shè)的車規(guī)級碳化硅功率模組自動化產(chǎn)線”已取得新的進展。該項目的一期試線建設(shè)已全面完成，二期正加快建設(shè)，今年一季度完成自動化產(chǎn)線搭建并開始投產(chǎn)。

此前2024年12月，元山電子宣布車規(guī)級碳化硅功率模組全自動量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷，標志著其二期項目進入投產(chǎn)沖刺階段。該項目總投資3億元，規(guī)劃建設(shè)60萬只碳化硅功率模塊產(chǎn)線，預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值超5億元，可滿足新能源汽車、儲能、光伏等領(lǐng)域的高功率需求。

在2024年12月元山電子車規(guī)級碳化硅功率模組全自動量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷的同時，晶能微電子的車規(guī)級 Si/SiC 封測產(chǎn)線擴建項目（總投資超億元）也在同期推進，雙方通過技術(shù)互補與產(chǎn)能協(xié)同，加速國產(chǎn)碳化硅模組的規(guī)?；瘧?。

公開資料顯示，元山電子成立于2020年，專注于碳化硅模組研發(fā)，其產(chǎn)品性能已達國內(nèi)領(lǐng)先水平。此次二期項目將進一步優(yōu)化工藝，引入全自動封裝技術(shù)，提升車規(guī)級產(chǎn)品的可靠性與一致性。（集邦化合物半導體竹子整理）

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該項目計劃投資120億元，涵蓋生產(chǎn)車間、研發(fā)中心、辦公樓及配套設(shè)施，于2024年3月簽約落戶，同年7月底實質(zhì)開工。

當前國產(chǎn)光通信、射頻芯片正處于上升期，武漢及周邊相關(guān)生態(tài)集聚度高，對砷化鎵、磷化銦等化合物半導體材料需求極大，而先導科技是全球最大稀散金屬生產(chǎn)企業(yè)，砷化鎵襯底材料出貨量全球第一。

項目投產(chǎn)后，將年產(chǎn)高端化合物半導體襯底材料數(shù)十萬片，可補足本地芯片產(chǎn)業(yè)鏈的上游短板，并有望助力武漢企業(yè)盡早搶占市場優(yōu)勢，帶動周邊產(chǎn)業(yè)鏈共享發(fā)展先機。（集邦化合物半導體整理）

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現(xiàn)場集中簽約項目中涉及多個功率器件、化合物半導體等相關(guān)項目，包括浙江芯谷半導體產(chǎn)業(yè)園、半導體核心零部件項目、氮化鋁單晶襯底項目、6英寸化合物襯底項目。

source:拍信網(wǎng)

氮化鋁單晶襯底項目

項目計劃總投資10億元，用地面積150畝，建設(shè)年產(chǎn)5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產(chǎn)線。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收1.5億元。

6英寸化合物襯底項目

項目計劃總投資10億元，用地面積30畝，建設(shè)廠房約2萬平方米，主要建設(shè)6英寸化合物襯底生產(chǎn)線。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收5000萬元。

浙江芯谷半導體產(chǎn)業(yè)園

該項目計劃總投資17.7億元，用地面積221畝，建設(shè)浙江芯谷半導體產(chǎn)業(yè)園。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入18億元，年稅收9000萬元。

半導體核心零部件項目

項目計劃總投資10億元，租賃廠房54000平方米，建設(shè)年產(chǎn)20萬支疊層型壓電陶瓷致動器、10萬片大功率壓電陶瓷換能片、3100枚硅零部件硅環(huán)/硅噴淋頭、10.5萬套半導體核心零部件項目。達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入6.6億元，年稅收6500萬元。（集邦化合物半導體整理）

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中電化合物半導體取得一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置專利

中電化合物半導體有限公司取得一項名為“一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置”的專利，授權(quán)公告日為今年1月21日，申請日期為2021年11月11日。

國家知識產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置，具體涉及半導體缺陷的檢測領(lǐng)域。本發(fā)明的檢測方法包括以下步驟：提供一晶片容納裝置；將涂覆有第一溶液和第二溶液的待檢測晶片置于所述晶片容納裝置中；對裝有待檢測晶片的晶片容納裝置抽真空并在真空狀態(tài)下保持一段時間；取出所述待檢測晶片并觀察其表面的顏色變化。利用晶片兩側(cè)溶液的顏色變化來判定晶片中貫穿型缺陷的位置。

該方法簡單易操作，可提高晶片的檢測效率。本發(fā)明還提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測裝置，該裝置結(jié)構(gòu)簡單、操作方便。

天科合達取得一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置專利

江蘇天科合達半導體有限公司取得一項名為“一種碳化硅 Wafer 轉(zhuǎn)移裝置”的專利，授權(quán)公告日為2025年1月14日，申請日期為2024年2月。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本申請涉及碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置，包括第一平臺、第二平臺、升降導向組件、鎖緊組件；升降導向組件設(shè)置在第一平臺一側(cè)，第二平臺滑動設(shè)置在升降導向組件上，鎖緊組件與第二平臺連接且用于將第二平臺鎖緊在升降導向組件上；第一平臺用于在頂部設(shè)置第一卡塞，第二平臺用于在頂部設(shè)置第二卡塞，第一、第二卡塞分別具有用于放置碳化硅Wafer的第一卡槽、第二卡槽，第二平臺能夠沿升降導向組件升降以將任一第一卡槽與任一第二卡槽在水平方向上對齊。該轉(zhuǎn)移裝置在應用時，能夠利用第二平臺的升降使兩卡塞中任意兩卡槽對齊，實現(xiàn)在兩卡塞的任意兩卡槽間轉(zhuǎn)移碳化硅Wafer，提升工作效率，避免Wafer掉落，且不易污染 Wafer表面。

安徽格恩申請一種GaN基化合物半導體激光器元件專利

安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種GaN基化合物半導體激光器元件”的專利，申請公布日為今年1月10日，申請日期為2024年10月。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提出了一種GaN基化合物半導體激光器元件，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層和上限制層，所述下限制層和下波導層之間設(shè)置有電子自旋態(tài)調(diào)控層，設(shè)計電子自旋態(tài)調(diào)控層中第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層的壓電極化系數(shù)分布，以及下限制層、下波導層、第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層之間壓電極化系數(shù)的關(guān)系。本發(fā)明能夠提升半導體激光器元件性能。

河北同光半導體申請使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底專利

河北同光半導體股份有限公司申請一項名為“一種使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法”的專利，申請公布日為今年1月7日，申請日期為2024年10月。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法，屬于碳化硅晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，所述使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法包括如下步驟：S10：使用偏角大于4°的籽晶作為拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外緣取兩個切割點，以兩個所述切割點的連線為切割軌跡，沿所述切割軌跡切割所述拼接籽晶，取切割后體積較小的部分為拼接部；S20：取偏角為4°的籽晶作為被拼接籽晶，將所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶外周作為生長籽晶；S30：將所述生長籽晶置于生長裝置中進行生長，直至在生長籽晶的軸向上長出晶錠；S40：對所述晶錠進行滾圓處理，直至將小面滾掉并呈圓柱形，將圓柱形的晶錠裁切為晶片后作為碳化硅襯底使用。（集邦化合物半導體Flora整理）

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近日，國內(nèi)又有2個砷化鎵、磷化銦相關(guān)項目幾乎同時披露了最新進展，分別是海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目、唐晶量子化合物半導體外延片項目，兩個項目合計投資額超過50億元。

source：立昂微

海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目通線

12月24日，據(jù)杭州立昂微電子股份有限公司（以下簡稱：立昂微）官微消息，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目于12月23日正式通線。

據(jù)介紹，海寧立昂東芯注冊成立于2021年，是立昂微化合物半導體射頻芯片業(yè)務板塊新的生產(chǎn)基地項目。項目規(guī)劃總投資50億元，布局6英寸砷化鎵微波射頻芯片、氮化鎵（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等產(chǎn)品領(lǐng)域，建成后將達到年產(chǎn)36萬片6英寸微波射頻芯片及器件的生產(chǎn)規(guī)模。

唐晶量子化合物半導體外延片項目投產(chǎn)

12月22日，據(jù)“長安號”消息，西安高新區(qū)近日舉行了2024年下半年重點項目集中竣工投產(chǎn)活動，本次活動共有23個重點項目正式竣工投產(chǎn)，總投資達335.22億元，其中包括唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目。

據(jù)報道，唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目建設(shè)了一條砷化鎵和磷化銦化合物半導體外延片生產(chǎn)線，用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產(chǎn)。

砷化鎵、磷化銦產(chǎn)線建設(shè)趨火

近期，砷化鎵、磷化銦產(chǎn)業(yè)似乎掀起了一股投資擴產(chǎn)潮，除上述兩個項目外，還有多個廠商披露了在砷化鎵、磷化銦領(lǐng)域的最新項目進展或規(guī)劃。

其中，常州縱慧芯光半導體科技有限公司旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”在今年10月已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產(chǎn)，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

珠海華芯微電子有限公司首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線近日正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，預計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

12月9日，高意（Coherent）宣布，其根據(jù)《芯片與科學法案》與美國商務部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元（約2.4億人民幣），以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴建。該項目將通過增加先進的晶圓制造設(shè)備，擴建全球首個6英寸磷化銦生產(chǎn)線，以擴大磷化銦器件的規(guī)?；a(chǎn)。

隨后在12月21日，兆馳股份發(fā)布公告，擬投資建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產(chǎn)線。本次投資為項目一期，項目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。

作為上述這些擴產(chǎn)項目的主角之一，?砷化鎵具有多種優(yōu)勢，包括高頻率、高速度、高功率、低噪聲和低功耗，?這些特性使得砷化鎵在微波通信、高速集成電路、光電子器件等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

而磷化銦具有較高的電子遷移率和飽和電子漂移速度，適合制造高頻和高速電子設(shè)備?，此外，磷化銦在光電特性方面也表現(xiàn)出色，適合光電子和光通信應用，磷化銦襯底制造的半導體器件廣泛應用于光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等領(lǐng)域。

從應用領(lǐng)域來看，近期的砷化鎵、磷化銦擴產(chǎn)項目也基本都是圍繞微波射頻、VCSEL激光芯片、光通信等場景展開，有望進一步推動砷化鎵、磷化銦器件在各個領(lǐng)域的滲透。（文：集邦化合物半導體Zac）

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