資料顯示，賽英電子是國內(nèi)專業(yè)從事研發(fā)和生產(chǎn)大功率半導體器件用陶瓷管殼系列的企業(yè)，主要產(chǎn)品是晶閘管用陶瓷管殼、平板壓接式IGBT用陶瓷管殼、平底型散熱基板、針齒型散熱基板，是國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省民營科技企業(yè)、無錫市瞪羚企業(yè)。

賽英電子于2025年4月14日登陸新三板，目前屬于基礎(chǔ)層，交易方式為集合競價轉(zhuǎn)讓。6月25日賽英電子發(fā)布公告稱，公司將于6月26日（星期四)開市起停牌，公司披露相關(guān)事項后恢復(fù)轉(zhuǎn)讓交易。停牌原因為：向境內(nèi)證券交易所申請公開發(fā)行股票并上市。

6月27日，賽英電子發(fā)布2024年全年業(yè)績報告。2024年1月1日-2024年12月31日，公司實現(xiàn)營業(yè)收入4.57億元，同比增長42.65%，盈利7390.15萬元，同比增長34.20%，基本每股收益為2.4500元。

業(yè)界表示，賽英電子若成功上市，有望成為北交所功率半導體部件第一股。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：上海證券之星

今年一季度，聞泰科技公司歸母凈利潤2.61億元，同比增長82.29%，其中半導體業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收37.11億元，同比增長8.40%，凈利潤5.78億元，經(jīng)營性凈利潤同比增長65.14%，毛利率38.32%，同比上升超7個百分點，持續(xù)驗證行業(yè)領(lǐng)先地位與盈利能力。此外，公司經(jīng)營活動現(xiàn)金流量凈額達25.23億元，同比增長29.58%；截至第一季度末，公司現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物余額增加至94.53億元，較去年同期翻倍增長，為半導體研發(fā)與產(chǎn)能擴張?zhí)峁﹫詫嵸Y金保障。

聞泰科技半導體業(yè)務(wù)遵循“低壓向高壓，功率向模擬”的產(chǎn)品拓展戰(zhàn)略，模擬芯片研發(fā)加速，同時該公司緊跟AI、機器人趨勢，產(chǎn)品在AI數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器、AIPC/手機中增長較快。在工業(yè)機器人、協(xié)作機器人、家居機器人等領(lǐng)域，公司已積累深厚的客戶資源。依托車規(guī)半導體的高可靠性與安全標準，公司將有望助力更多機器人新興應(yīng)用更廣泛、安全地落地。

供應(yīng)鏈方面，聞泰科技半導體業(yè)務(wù)具備海內(nèi)外“雙供應(yīng)鏈”，保障產(chǎn)品供應(yīng)穩(wěn)定高效。

產(chǎn)能方面，聞泰科技后端封測廠位于廣東東莞、江蘇無錫（在建）。同時，聞泰科技積極通過外部工廠強化產(chǎn)能布局，由大股東先行代建的臨港 12 吋車規(guī)級晶圓廠已實現(xiàn)車規(guī)級晶圓量產(chǎn)出貨，將成為半導體業(yè)務(wù)中國區(qū)產(chǎn)能提升、工藝升級和成本控制的有力支撐，幫助公司在中國區(qū)市場積極開拓市場份額。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計模型”中下載

羅姆介紹，功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計階段的器件評估與損耗確認的效率。

未來，羅姆將繼續(xù)通過提升仿真技術(shù)，助力實現(xiàn)更高性能以及更高效率的應(yīng)用設(shè)計，為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻力量。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：羅姆半導體集團

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。

在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

羅姆介紹，為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對以往MOSFET難以支持的高負載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

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新成立的聯(lián)合實驗室將本著優(yōu)勢互補、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢，重點開展：功率半導體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產(chǎn)品測試、晶圓磨劃等領(lǐng)域合作，為客戶的產(chǎn)品研發(fā)和測試提供更加專業(yè)、完善的技術(shù)服務(wù)。

圖片來源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實驗室的各項合作正有序進行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導體芯片研發(fā)、功率半導體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動化、電動汽車和光伏新能源等行業(yè)，服務(wù)于海內(nèi)外客戶超過400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊，分別為基礎(chǔ)實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設(shè)備，可為芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

（集邦化合物半導體整理）

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01、綜藝股份收購吉萊微

5月13日，江蘇綜藝股份有限公司（以下簡稱“綜藝股份”）發(fā)布公告，公司擬通過現(xiàn)金增資或受讓股份的方式，取得江蘇吉萊微電子股份有限公司（以下簡稱“吉萊微”）的控制權(quán)，具體投資方案和投資比例待進一步論證和協(xié)商。本次交易預(yù)計構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，交易完成后，吉萊微將成為綜藝股份的控股子公司。

source：江蘇綜藝股份公告截圖

公開資料顯示，吉萊微成立于2001年，專業(yè)從事功率半導體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是一家以芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試的垂直一體化經(jīng)營為主的功率半導體芯片及器件制造企業(yè)。

而綜藝股份當前的主營業(yè)務(wù)分為信息科技、新能源、股權(quán)投資三大板塊，其中信息科技領(lǐng)域主要業(yè)務(wù)涵蓋芯片設(shè)計及應(yīng)用業(yè)務(wù)等。綜藝股份旗下?lián)碛卸嗉覍Ｗ⒂诟呖萍碱I(lǐng)域的企業(yè)，分處于芯片開發(fā)、設(shè)計、應(yīng)用等不同細分領(lǐng)域，如天一集成（信息安全芯片）、神州龍芯（自主處理器）等企業(yè)聚焦數(shù)字芯片設(shè)計。

綜藝股份表示，此次收購吉萊微有助于公司戰(zhàn)略聚焦并補強信息科技領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)板塊。吉萊微在成為公司的控股子公司后，公司將在原有芯片設(shè)計及應(yīng)用業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，進入功率半導體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售領(lǐng)域，產(chǎn)業(yè)鏈條布局得到進一步的優(yōu)化及延伸。

值得一提的是，吉萊微曾沖刺創(chuàng)業(yè)板IPO，于2022年6月30日獲得受理。此前公司招股書（申報稿）顯示其募集資金是為了投向功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目、生產(chǎn)線技改升級項目和研發(fā)中心建設(shè)項目等，來新建6英寸晶圓芯片生產(chǎn)線與封裝線等。

公告顯示，吉萊微目前擁有2條4英寸的芯片生產(chǎn)線，在當前全球模擬芯片公司紛紛轉(zhuǎn)向擴產(chǎn)12英寸生產(chǎn)線的趨勢下，其盈利能力或造沖擊。

不過，后因公司撤回申請，深交所于2022年12月2日終止對吉萊微IPO的審核。

02、日月光投控收購元隆電子

此外，近日另一家功率半導體晶圓廠也傳出被收購的消息。

5月14日，全球半導體封測龍頭#日月光投資控股股份有限公司（以下簡稱“日月光投控”）發(fā)布公告，其子公司#臺灣福雷電子股份有限公司（以下簡稱“福雷電子”）將以每股新臺幣9元公開收購#元隆電子股份有限公司（以下簡稱“元隆電子”）普通股，預(yù)定收購最高數(shù)量為1.51萬張，收購總金額約1.36億元新臺幣。

source：ASE日月光

此次收購?fù)瓿珊?，日月光投控持有元隆電子股?quán)比例將達68.18%。據(jù)悉，本次收購的核心目標在于整合元隆電子現(xiàn)有業(yè)務(wù)，推動其向AI新世代技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。

元隆電子成立于1987年，總部位于中國臺灣，專注于分離式元件、功率半導體、集成電路以及各種半導體零組件的研究、開發(fā)、設(shè)計、制造與銷售。

據(jù)了解，元隆電子近年來在高壓技術(shù)及第三代半導體（如碳化硅、氮化鎵）領(lǐng)域的研發(fā)投入不足，導致其難以應(yīng)對IDM大廠整合邏輯IC與功率半導體、大型晶圓代工廠委外投片的雙重競爭壓力。

據(jù)其2025年第一季度財報顯示，盡管合并營收同比增長24.6%至2.68億元新臺幣，但毛利率與營業(yè)利益率仍為負值，稅后凈虧損達1.28億元新臺幣，每股凈值轉(zhuǎn)負至-0.42元新臺幣。

日月光投控的加入，或?qū)⑼ㄟ^集團化資源整合，助力元隆電子突破技術(shù)瓶頸，加速向高附加值領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。而對于日月光投控而言，元隆電子在功率半導體領(lǐng)域的制造經(jīng)驗與日月光投控的封測技術(shù)形成互補，有望進一步提升在AI芯片封裝測試領(lǐng)域的競爭力。

03、結(jié)語

綜藝股份收購吉萊微以及日月光投控收購元隆電子，這兩起收購案是半導體行業(yè)資源整合與技術(shù)升級的具體體現(xiàn)。通過收購，企業(yè)不僅能夠補強自身產(chǎn)業(yè)鏈，提升綜合競爭力，還能夠加速技術(shù)迭代，搶占新興市場先機。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車時代半導體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應(yīng)商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時代半導體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開發(fā)與供應(yīng)領(lǐng)域展開深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車時代半導體則將提供先進的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開展功率模塊芯片的研發(fā)項目，優(yōu)化芯片設(shè)計與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場資源與中車時代半導體的國內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢，加速功率模塊芯片在中國及全球市場的推廣與應(yīng)用。

客戶服務(wù)：通過雙方的技術(shù)支持與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應(yīng)用場景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們在為中國客戶提供先進、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過與中車時代半導體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時，國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個方面展開深度合作：

產(chǎn)品開發(fā)：共同開發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢與美的廚熱的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗，優(yōu)化 GaN 功率器件的應(yīng)用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場推廣：通過雙方的市場渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應(yīng)用，提升市場認可度。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司相信，他是恩智浦總裁兼首席執(zhí)行官的理想人選，能夠?qū)崿F(xiàn)公司在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)終端市場邊緣智能系統(tǒng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導地位的愿景。
最新財報顯示，今年一季度，恩智浦營收28.4億美元，高于市場預(yù)期的28.3億美元，但較去年同期31.3億美元要低。

恩智浦在財報中表示，受國際形勢劇烈變化影響，公司正處于“非常不確定的環(huán)境”中。恩智浦對未來市場持“謹慎樂觀”態(tài)度，并預(yù)測第二季度的收入將下降到28億到30億美元。

source：NXP

資料顯示，恩智浦功率半導體業(yè)務(wù)是其半導體解決方案的核心組成部分，聚焦于高效能源管理，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備及通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

其中，恩智浦在第三代半導體領(lǐng)域尤其是氮化鎵領(lǐng)域已經(jīng)形成全面業(yè)務(wù)布局。核心技術(shù)方面，恩智浦采用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，結(jié)合SiC優(yōu)異的導熱性和GaN的高功率密度、低損耗特性，適用于高頻、高壓場景。該技術(shù)已應(yīng)用于5G基站射頻功率放大器（PA）及軍事雷達系統(tǒng)，顯著提升器件性能。

此外，針對消費電子和工業(yè)電源市場，恩智浦開發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)，利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降低成本并提高產(chǎn)能。

2025年以來，由于國際形勢以及部分市場汽車需求疲軟，功率半導體廠商業(yè)績遭受挑戰(zhàn)。稍早之前，意法半導體今年一季度財報顯示，該公司第一季度凈營收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個基點。凈利潤下跌89.1%，為5600萬美元。

source：意法半導體

財報會議上，意法半導體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務(wù)的發(fā)展，從長遠趨勢來看，意法半導體在碳化硅市場中的整體份額將至少保持在30%以上。此外，意法半導體位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預(yù)計將于2025年第四季度開始生產(chǎn)，全面落成后預(yù)計年產(chǎn)能可達72萬片，進一步鞏固意法半導體在碳化硅市場的地位。（集邦化合物半導體 奉穎嫻 整理）

source：集邦化合物半導體截圖

根據(jù)公告，計劃選址于無錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產(chǎn)品150萬片產(chǎn)能。擴建項目完成后，上汽英飛凌無錫分公司的年產(chǎn)能將從現(xiàn)有的260萬個提升至420萬個。

公開資料顯示，上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司由上汽集團（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無錫工廠的擴建項目內(nèi)，在2018下半年開始批量生產(chǎn)。

英飛凌無錫工廠則成立于1995年，前身為西門子半導體無錫工廠，專注于半導體后道封裝測試、功率半導體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產(chǎn)。
今年3月，英飛凌舉行了“無錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動，歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。

source：英飛凌

回顧英飛凌無錫工廠發(fā)展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無錫增資，設(shè)立了英飛凌半導體（無錫）有限公司，生產(chǎn)IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。

英飛凌《年產(chǎn)180萬個汽車功率半導體產(chǎn)品無錫分公司項目》環(huán)評文件顯示，2019年該項目取得無錫市新吳區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護局批復(fù)，完成第一階段驗收，實現(xiàn)年產(chǎn)汽車功率半導體70萬個生產(chǎn)能力。

2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無錫分公司擴建《260 萬個汽車功率半導體產(chǎn)品項目》。英飛凌對無錫全廠生產(chǎn)線生產(chǎn)能力進行重新調(diào)配，將原環(huán)評審批的年產(chǎn)汽車功率半導體180萬個生產(chǎn)規(guī)模擴產(chǎn)至年產(chǎn)260萬個汽車功率半導體產(chǎn)品。該項目已于2024 年5月取得新吳區(qū)行政審批局的立項備案意見。

2025年1月，無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行一季度重大項目，其中提到，英飛凌功率半導體器件項目引進暨無錫生產(chǎn)基地擴產(chǎn)項目正在加緊建設(shè)，總投資15.5億元。據(jù)無錫市人民政府消息，英飛凌無錫基地還在不斷擴大規(guī)模，引進全球最新的第三代功率半導體器件產(chǎn)品，打造國內(nèi)最具規(guī)模、國際技術(shù)一流的先進功率半導體器件生產(chǎn)基地。

值得注意的是，上汽英飛凌的HybridPACK Drive功率模塊兼具高功率密度、低能量損耗的特點，采用英飛凌最先進的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù)。

公開資料顯示，英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%以上。該技術(shù)已獲認可并向客戶發(fā)布。另外，英飛凌已成功開發(fā)出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術(shù)。利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率，推動GaN市場的快速增長。（集邦化合物半導體 王奇 整理）

1、寧德時代取得功率半導體器件和散熱裝置專利

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，寧德時代新能源科技股份有限公司取得一項名為“功率半導體器件和散熱裝置”的專利，授權(quán)公告號 CN 222764192 U，申請日期為2025年1月。

source：集邦化合物半導體截圖

專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種功率半導體器件和散熱裝置，其中，功率半導體器件包括：器件主體；設(shè)置在所述器件主體的第一側(cè)的第一散熱裝置；其中，所述第一散熱裝置包括液冷散熱組件和翅片散熱結(jié)構(gòu)；所述液冷散熱組件與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)位于所述器件主體的第一側(cè)，所述翅片散熱結(jié)構(gòu)與所述液冷散熱組件配合安裝，所述器件主體與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)分布在所述液冷散熱組件的兩側(cè)；所述翅片散熱結(jié)構(gòu)包括：散熱板和葉脈散熱器；所述液冷散熱組件安裝在所述散熱板的第一面，所述葉脈散熱器安裝在所述散熱板的第二面。

2、江蘇尊陽電子取得超高效散熱性能功率模塊專利

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇尊陽電子科技有限公司取得一項名為“一種超高效散熱性能的包括獨立封裝器件的功率模塊”的專利，授權(quán)公告號CN222775316U，申請日期為2024年7月。

source：集邦化合物半導體截圖

專利摘要顯示，本實用新型涉及一種超高效散熱性能的包括獨立封裝器件的功率模塊，包括管殼、基板和至少一個單元模塊；單元模塊包括至少一個獨立封裝器件和導電散熱件；獨立封裝器件包括導電支架、至少一個芯片和塑封體；至少一個芯片通過導電介質(zhì)倒扣貼裝在導電支架上，并與導電支架上相對應(yīng)的引腳電性連接；塑封體包覆住整個獨立封裝器件，且所有芯片的背面以及導電支架上的引腳均暴露在塑封體外；導電散熱件通過導電介質(zhì)貼裝在所有芯片的背面，且與芯片電性連接。本實用新型每個獨立封裝器件單獨封裝，且芯片均倒扣封裝，所有種類的芯片均按此種方案獨立封裝；所有獨立封裝器件根據(jù)電性要求安裝到模塊內(nèi)，電性的輸出使用導電構(gòu)件進行連接并引出。

3、深圳吉華微特取得功率器件模塊端子焊接工裝專利

4 月 19 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳吉華微特電子有限公司取得一項名為“功率器件模塊端子焊接工裝”的專利，授權(quán)公告號 CN222767588U，申請日期為 2024 年 6 月。

source：集邦化合物半導體截圖

專利摘要顯示，本實用新型公開一種功率器件模塊端子焊接工裝，涉及半導體功率器件模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域，該種功率器件模塊端子焊接工裝包括夾具單元，該夾具單元包括第一夾具、第二夾具、第三夾具、固定件和限位支撐組件，該第一夾具、第二夾具和第三夾具依次由下至上分布，該固定件與第二夾具連接；功率器件模塊端子焊接后具有模塊底板、絕緣襯底和模塊端子，該限位支撐組件由下至上依次豎向貫穿第一夾具、模塊底板和第二夾具，通過限位支撐組件將模塊底板限位于第一夾具和第二夾具之間；采用本申請?zhí)峁┑墓β势骷K端子焊接工裝可以保障產(chǎn)品外觀質(zhì)量提升，模塊端子鍍層表面劃傷、漏銅率降低，產(chǎn)品封裝良率提升，保證模塊端子焊接后符合產(chǎn)品需求。

4、江蘇天科合達取得碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置專利

4月21日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇天科合達半導體有限公司;北京天科合達半導體股份有限公司取得一項名為“一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置”的專利，授權(quán)公告號CN222775303U，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本實用新型提供的一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置，包括：卡塞固定座，所述卡塞固定座上具有用于固定卡塞的固定卡槽；搖擺裝置，所述搖擺裝置包括托盤和驅(qū)動所述托盤擺動的擺動驅(qū)動組件，所述卡塞固定座設(shè)置于所述托盤上。本實用新型通過卡塞固定座對卡塞進行固定，卡塞用于插裝碳化硅晶圓，從而可將待清洗或待干燥的碳化硅晶圓通過卡塞固定在卡塞固定座上。而卡塞固定座固定在搖擺裝置的托盤上，搖擺裝置能夠帶動卡塞固定座以及卡塞固定座上的碳化硅晶圓往復(fù)擺動，使得在清洗或干燥過程中，變換碳化硅晶圓的位置，能夠提高清洗和干燥的均勻性。

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當前，全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)競速與市場擴張的關(guān)鍵階段，中國企業(yè)通過持續(xù)的研發(fā)投入和專利布局，逐步在散熱優(yōu)化、封裝創(chuàng)新、制造工藝等細分領(lǐng)域建立競爭優(yōu)勢。然而，面對國際巨頭在材料純度、器件可靠性等方面的長期積累，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍需加強產(chǎn)學研協(xié)同，推動核心專利向?qū)嶋H生產(chǎn)力的高效轉(zhuǎn)化。

未來，隨著5G基站、智能電網(wǎng)等新基建領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽w需求的釋放，具備自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)將成為企業(yè)參與全球競爭的重要籌碼。這場圍繞第三代半導體的“芯”賽道上，創(chuàng)新專利不僅是技術(shù)實力的見證，更是產(chǎn)業(yè)升級的基石。（集邦化合物半導體 niko 整理）