01、賽米控丹佛斯與中車時代半導體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時代半導體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開發(fā)與供應領(lǐng)域展開深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車時代半導體則將提供先進的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開展功率模塊芯片的研發(fā)項目，優(yōu)化芯片設(shè)計與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場資源與中車時代半導體的國內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢，加速功率模塊芯片在中國及全球市場的推廣與應用。

客戶服務：通過雙方的技術(shù)支持與服務網(wǎng)絡，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應用場景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們在為中國客戶提供先進、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過與中車時代半導體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開發(fā)與應用。”

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時，國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個方面展開深度合作：

產(chǎn)品開發(fā)：共同開發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢與美的廚熱的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗，優(yōu)化 GaN 功率器件的應用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場推廣：通過雙方的市場渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應用，提升市場認可度。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司相信，他是恩智浦總裁兼首席執(zhí)行官的理想人選，能夠?qū)崿F(xiàn)公司在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)終端市場邊緣智能系統(tǒng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導地位的愿景。
最新財報顯示，今年一季度，恩智浦營收28.4億美元，高于市場預期的28.3億美元，但較去年同期31.3億美元要低。

恩智浦在財報中表示，受國際形勢劇烈變化影響，公司正處于“非常不確定的環(huán)境”中。恩智浦對未來市場持“謹慎樂觀”態(tài)度，并預測第二季度的收入將下降到28億到30億美元。

source：NXP

資料顯示，恩智浦功率半導體業(yè)務是其半導體解決方案的核心組成部分，聚焦于高效能源管理，廣泛應用于汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備及通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

其中，恩智浦在第三代半導體領(lǐng)域尤其是氮化鎵領(lǐng)域已經(jīng)形成全面業(yè)務布局。核心技術(shù)方面，恩智浦采用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，結(jié)合SiC優(yōu)異的導熱性和GaN的高功率密度、低損耗特性，適用于高頻、高壓場景。該技術(shù)已應用于5G基站射頻功率放大器（PA）及軍事雷達系統(tǒng)，顯著提升器件性能。

此外，針對消費電子和工業(yè)電源市場，恩智浦開發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)，利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降低成本并提高產(chǎn)能。

2025年以來，由于國際形勢以及部分市場汽車需求疲軟，功率半導體廠商業(yè)績遭受挑戰(zhàn)。稍早之前，意法半導體今年一季度財報顯示，該公司第一季度凈營收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個基點。凈利潤下跌89.1%，為5600萬美元。

source：意法半導體

財報會議上，意法半導體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務的發(fā)展，從長遠趨勢來看，意法半導體在碳化硅市場中的整體份額將至少保持在30%以上。此外，意法半導體位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預計將于2025年第四季度開始生產(chǎn)，全面落成后預計年產(chǎn)能可達72萬片，進一步鞏固意法半導體在碳化硅市場的地位。（集邦化合物半導體 奉穎嫻 整理）

source：集邦化合物半導體截圖

根據(jù)公告，計劃選址于無錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產(chǎn)品150萬片產(chǎn)能。擴建項目完成后，上汽英飛凌無錫分公司的年產(chǎn)能將從現(xiàn)有的260萬個提升至420萬個。

公開資料顯示，上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司由上汽集團（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無錫工廠的擴建項目內(nèi)，在2018下半年開始批量生產(chǎn)。

英飛凌無錫工廠則成立于1995年，前身為西門子半導體無錫工廠，專注于半導體后道封裝測試、功率半導體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產(chǎn)。
今年3月，英飛凌舉行了“無錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動，歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。

source：英飛凌

回顧英飛凌無錫工廠發(fā)展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無錫增資，設(shè)立了英飛凌半導體（無錫）有限公司，生產(chǎn)IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。

英飛凌《年產(chǎn)180萬個汽車功率半導體產(chǎn)品無錫分公司項目》環(huán)評文件顯示，2019年該項目取得無錫市新吳區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護局批復，完成第一階段驗收，實現(xiàn)年產(chǎn)汽車功率半導體70萬個生產(chǎn)能力。

2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無錫分公司擴建《260 萬個汽車功率半導體產(chǎn)品項目》。英飛凌對無錫全廠生產(chǎn)線生產(chǎn)能力進行重新調(diào)配，將原環(huán)評審批的年產(chǎn)汽車功率半導體180萬個生產(chǎn)規(guī)模擴產(chǎn)至年產(chǎn)260萬個汽車功率半導體產(chǎn)品。該項目已于2024 年5月取得新吳區(qū)行政審批局的立項備案意見。

2025年1月，無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行一季度重大項目，其中提到，英飛凌功率半導體器件項目引進暨無錫生產(chǎn)基地擴產(chǎn)項目正在加緊建設(shè)，總投資15.5億元。據(jù)無錫市人民政府消息，英飛凌無錫基地還在不斷擴大規(guī)模，引進全球最新的第三代功率半導體器件產(chǎn)品，打造國內(nèi)最具規(guī)模、國際技術(shù)一流的先進功率半導體器件生產(chǎn)基地。

值得注意的是，上汽英飛凌的HybridPACK Drive功率模塊兼具高功率密度、低能量損耗的特點，采用英飛凌最先進的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù)。

公開資料顯示，英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%以上。該技術(shù)已獲認可并向客戶發(fā)布。另外，英飛凌已成功開發(fā)出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術(shù)。利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率，推動GaN市場的快速增長。（集邦化合物半導體 王奇 整理）

1、寧德時代取得功率半導體器件和散熱裝置專利

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，寧德時代新能源科技股份有限公司取得一項名為“功率半導體器件和散熱裝置”的專利，授權(quán)公告號 CN 222764192 U，申請日期為2025年1月。

source：集邦化合物半導體截圖

專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種功率半導體器件和散熱裝置，其中，功率半導體器件包括：器件主體；設(shè)置在所述器件主體的第一側(cè)的第一散熱裝置；其中，所述第一散熱裝置包括液冷散熱組件和翅片散熱結(jié)構(gòu)；所述液冷散熱組件與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)位于所述器件主體的第一側(cè)，所述翅片散熱結(jié)構(gòu)與所述液冷散熱組件配合安裝，所述器件主體與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)分布在所述液冷散熱組件的兩側(cè)；所述翅片散熱結(jié)構(gòu)包括：散熱板和葉脈散熱器；所述液冷散熱組件安裝在所述散熱板的第一面，所述葉脈散熱器安裝在所述散熱板的第二面。

2、江蘇尊陽電子取得超高效散熱性能功率模塊專利

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇尊陽電子科技有限公司取得一項名為“一種超高效散熱性能的包括獨立封裝器件的功率模塊”的專利，授權(quán)公告號CN222775316U，申請日期為2024年7月。

source：集邦化合物半導體截圖

專利摘要顯示，本實用新型涉及一種超高效散熱性能的包括獨立封裝器件的功率模塊，包括管殼、基板和至少一個單元模塊；單元模塊包括至少一個獨立封裝器件和導電散熱件；獨立封裝器件包括導電支架、至少一個芯片和塑封體；至少一個芯片通過導電介質(zhì)倒扣貼裝在導電支架上，并與導電支架上相對應的引腳電性連接；塑封體包覆住整個獨立封裝器件，且所有芯片的背面以及導電支架上的引腳均暴露在塑封體外；導電散熱件通過導電介質(zhì)貼裝在所有芯片的背面，且與芯片電性連接。本實用新型每個獨立封裝器件單獨封裝，且芯片均倒扣封裝，所有種類的芯片均按此種方案獨立封裝；所有獨立封裝器件根據(jù)電性要求安裝到模塊內(nèi)，電性的輸出使用導電構(gòu)件進行連接并引出。

3、深圳吉華微特取得功率器件模塊端子焊接工裝專利

4 月 19 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳吉華微特電子有限公司取得一項名為“功率器件模塊端子焊接工裝”的專利，授權(quán)公告號 CN222767588U，申請日期為 2024 年 6 月。

source：集邦化合物半導體截圖

專利摘要顯示，本實用新型公開一種功率器件模塊端子焊接工裝，涉及半導體功率器件模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域，該種功率器件模塊端子焊接工裝包括夾具單元，該夾具單元包括第一夾具、第二夾具、第三夾具、固定件和限位支撐組件，該第一夾具、第二夾具和第三夾具依次由下至上分布，該固定件與第二夾具連接；功率器件模塊端子焊接后具有模塊底板、絕緣襯底和模塊端子，該限位支撐組件由下至上依次豎向貫穿第一夾具、模塊底板和第二夾具，通過限位支撐組件將模塊底板限位于第一夾具和第二夾具之間；采用本申請?zhí)峁┑墓β势骷K端子焊接工裝可以保障產(chǎn)品外觀質(zhì)量提升，模塊端子鍍層表面劃傷、漏銅率降低，產(chǎn)品封裝良率提升，保證模塊端子焊接后符合產(chǎn)品需求。

4、江蘇天科合達取得碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置專利

4月21日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇天科合達半導體有限公司;北京天科合達半導體股份有限公司取得一項名為“一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置”的專利，授權(quán)公告號CN222775303U，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本實用新型提供的一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置，包括：卡塞固定座，所述卡塞固定座上具有用于固定卡塞的固定卡槽；搖擺裝置，所述搖擺裝置包括托盤和驅(qū)動所述托盤擺動的擺動驅(qū)動組件，所述卡塞固定座設(shè)置于所述托盤上。本實用新型通過卡塞固定座對卡塞進行固定，卡塞用于插裝碳化硅晶圓，從而可將待清洗或待干燥的碳化硅晶圓通過卡塞固定在卡塞固定座上。而卡塞固定座固定在搖擺裝置的托盤上，搖擺裝置能夠帶動卡塞固定座以及卡塞固定座上的碳化硅晶圓往復擺動，使得在清洗或干燥過程中，變換碳化硅晶圓的位置，能夠提高清洗和干燥的均勻性。

source：集邦化合物半導體截圖

當前，全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)競速與市場擴張的關(guān)鍵階段，中國企業(yè)通過持續(xù)的研發(fā)投入和專利布局，逐步在散熱優(yōu)化、封裝創(chuàng)新、制造工藝等細分領(lǐng)域建立競爭優(yōu)勢。然而，面對國際巨頭在材料純度、器件可靠性等方面的長期積累，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍需加強產(chǎn)學研協(xié)同，推動核心專利向?qū)嶋H生產(chǎn)力的高效轉(zhuǎn)化。

未來，隨著5G基站、智能電網(wǎng)等新基建領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽w需求的釋放，具備自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)將成為企業(yè)參與全球競爭的重要籌碼。這場圍繞第三代半導體的“芯”賽道上，創(chuàng)新專利不僅是技術(shù)實力的見證，更是產(chǎn)業(yè)升級的基石。（集邦化合物半導體 niko 整理）

據(jù)悉，該項目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路，總投資5100余萬元，建筑面積約25000多平方米。項目由龍游經(jīng)濟開發(fā)區(qū)下屬國資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門衛(wèi)、材料庫及室外附屬配套組成，建筑層數(shù)共計5層。

該項目的竣工標志著龍游縣在半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅實的一步，也為國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

據(jù)悉，芯盟項目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項目建成后，預計年產(chǎn)300萬只高等級功率半導體模塊。這將顯著提升我國在高等級功率半導體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進一步推動國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。

該項目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進一步助力國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。下一步，開發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設(shè)施，推動企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，為開發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個研發(fā)出垂直溝道三維存儲器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC鍵合技術(shù)可以實現(xiàn)線寬0.9μm，讓芯片之間連接點數(shù)超過100萬個，3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

source：微龍游

近期，芯盟科技接連申請了兩項技術(shù)專利。

3月19日，芯盟科技向國家知識產(chǎn)權(quán)局申請了一項名為“動態(tài)隨機存儲器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專利，公開號為CN119626287A。該專利通過優(yōu)化DRAM設(shè)計，引入多個存儲單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項名為“半導體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號為CN113629011B。這項專利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導體器件的耐用性和能效，廣泛應用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費電子等領(lǐng)域。

股權(quán)穿透顯示，海馭能科半導體（上海）有限公司由華域汽車旗下華域汽車系統(tǒng)（上海）有限公司、上海國策綠色科技制造私募投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

其中，華域汽車系統(tǒng)是國內(nèi)汽車零部件龍頭企業(yè)，電動系統(tǒng)方面，公司聚焦新能源電驅(qū)動系統(tǒng)、驅(qū)動電機及電力電子箱、電空調(diào)與熱管理系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、新能源電池托盤、電動空調(diào)壓縮機、電子轉(zhuǎn)向機等產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

因此，業(yè)界認為，結(jié)合華域汽車在汽車電子領(lǐng)域的既有布局，海馭能科可能成為其向新能源、智能化汽車產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸的關(guān)鍵載體。

資料顯示，半導體分立器件與電力電子元器件制造屬于半導體產(chǎn)業(yè)鏈中游環(huán)節(jié)。前者涵蓋二極管、晶閘管等基礎(chǔ)元件，后者涉及IGBT、MOSFET等功率半導體器件，均為新能源車電驅(qū)系統(tǒng)、充電樁及工業(yè)變頻設(shè)備的核心組件。（集邦化合物半導體整理）

公開資料顯示，尚鼎芯是一家專注于定制化功率半導體解決方案的供應商，成立于2011年。公司主要產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、GaN MOSFET及SiC MOSFET等，廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制、汽車電子、新能源及儲能、醫(yī)療設(shè)備等多個領(lǐng)域。在今年1月16日，該公司被正式認定為高新技術(shù)企業(yè)。

在商業(yè)模式上，公司采用無晶圓廠模式，專注于產(chǎn)品設(shè)計和研發(fā)，將制造流程外包給專業(yè)代工廠和封裝廠。

從財務數(shù)據(jù)來看，尚鼎芯近年來的營收和利潤有所波動。2022年、2023年和2024年的營收分別為1.67億元、1.13億元和1.22億元人民幣；毛利分別為9329萬元、6215萬元和6921萬元；年內(nèi)盈利分別為5361萬元、3102萬元和3511萬元。盡管2023年營收有所下滑，但2024年有所回升。

在業(yè)務構(gòu)成方面，尚鼎芯的消費電子業(yè)務收入在持續(xù)下滑，而工業(yè)控制業(yè)務收入則逐漸上升。2024年，消費電子業(yè)務收入占比56.1%，工業(yè)控制業(yè)務收入占比33.6%，汽車電子和新能源及儲能業(yè)務收入分別占比3.2%和7.1%。（集邦化合物半導體整理）

本土化產(chǎn)品是指英飛凌將根據(jù)中國需求進行產(chǎn)品定義。

本土化生產(chǎn)方面，英飛凌指出，公司汽車業(yè)務目前已有多種產(chǎn)品完成本土化量產(chǎn)并計劃于2027年覆蓋主流產(chǎn)品的本土化，將涵蓋微控制器、高低壓功率器件、模擬混合信號、傳感器及存儲器件等產(chǎn)品。

其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調(diào)降稼動率（產(chǎn)能利用率），上季（2024年10-12月）稼動率降至3成左右。而瑞薩原先計劃在2025年初期利用甲府工廠量產(chǎn)功率半導體，不過該量產(chǎn)計劃也已延期。

全球電動汽車市場成長放緩，各家功率半導體廠庫存增加，上季日美歐7大廠的平均庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為99天，較去年同期增加18%。

中國廠商崛起也是原因之一，據(jù)悉， 比亞迪電動汽車用功率半導體工廠在2024年初全面投產(chǎn)。報道指出，比亞迪此前是向瑞薩等廠商采購，日本廠商表示，和中國廠商之間的性能差異，在數(shù)年前就沒了。 SEMI Japna的青木慎一表示，「中國功率半導體已能夠穩(wěn)定生產(chǎn)、進入回收投資的階段」。（集邦化合物半導體整理）

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