公告顯示，中瓷電子與國(guó)聯(lián)之芯于2024年7月26日簽署了《河北中瓷電子科技股份有限公司與北京國(guó)聯(lián)之芯企業(yè)管理中心（有限合伙）關(guān)于北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司之股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》。國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾為中瓷電子前次重大資產(chǎn)重組的標(biāo)的公司之一，且為配套募集資金投資項(xiàng)目“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”及“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”的實(shí)施主體。本次交易完成后，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾將成為中瓷電子的全資子公司。

去年3月，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購(gòu)買(mǎi)博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。

中瓷電子還同時(shí)宣布擬向不超過(guò)35名特定對(duì)象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過(guò)25億，投向“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”、“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”等4個(gè)項(xiàng)目。

其中，“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”將在國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾已有碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)線基礎(chǔ)上，搭建碳化硅功率模塊封測(cè)線，建設(shè)滿足車(chē)規(guī)級(jí)、風(fēng)力發(fā)電、高壓電網(wǎng)等應(yīng)用的碳化硅功率模塊產(chǎn)品產(chǎn)能。

“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”擬圍繞碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，制定了3300V碳化硅MOSFET芯片窄線條溝槽刻蝕技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅MOSFET芯片柵極氧化技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅MOSFET芯片晶圓減薄技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅高壓功率模塊封裝技術(shù)研發(fā)四個(gè)研發(fā)課題，滿足3300V碳化硅高壓功率模塊對(duì)柵極氧化技術(shù)、刻蝕技術(shù)、減薄技術(shù)和封裝技術(shù)等方面的要求，最終實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)的目標(biāo)。

目前，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾碳化硅功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，其中，車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET模塊已向國(guó)內(nèi)一線車(chē)企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬(wàn)只。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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資料顯示，中瓷電子專(zhuān)業(yè)從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，公司主要產(chǎn)品包括光通信器件外殼、無(wú)線功率器件外殼、5G通信終端模塊外殼等，應(yīng)用于光通信、無(wú)線通信、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

據(jù)稱(chēng)，公司電子陶瓷外殼類(lèi)產(chǎn)品是高端半導(dǎo)體元器件中實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁，對(duì)半導(dǎo)體元器件性能具有重要作用和影響。公司已經(jīng)可以設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)400G光通信器件外殼，與國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品技術(shù)水平相當(dāng)。

據(jù)中瓷電子介紹，公司無(wú)線功率器件外殼可用于封裝Si、GaAs、GaN等芯片的分立器件和模塊，種類(lèi)覆蓋Bipolar、LDMOS、GaN和大功率晶體管等功率器件。

目前，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)一片火熱，中瓷電子業(yè)務(wù)布局也正在向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傾斜。

2023年3月，中瓷電子宣布擬向不超過(guò)35名特定對(duì)象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過(guò)25億，投向GaN微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目以及SiC高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。

通過(guò)實(shí)施上述四大項(xiàng)目，中瓷電子有望實(shí)現(xiàn)GaN通信射頻芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試和銷(xiāo)售的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，并具備SiC功率模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售能力。

目前，在SiC進(jìn)展方面，中瓷電子子公司北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾)電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功正在交客戶上車(chē)驗(yàn)證中，有小批量銷(xiāo)售。

據(jù)悉，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾現(xiàn)有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，未來(lái)擬攻關(guān)高壓SiC功率模塊領(lǐng)域。目前，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊已向國(guó)內(nèi)一線車(chē)企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬(wàn)只。

GaN進(jìn)展方面，中瓷電子子公司博威集成電路擴(kuò)建工程第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已建成并投入使用，項(xiàng)目主要產(chǎn)品為GaN通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬(wàn)只/年。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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芯聯(lián)集成車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET已量產(chǎn)

12月8日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)芯聯(lián)集成）在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司應(yīng)用于車(chē)載主驅(qū)逆變大功率模組的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET已量產(chǎn)，最新一代產(chǎn)品的技術(shù)性能達(dá)到全球先進(jìn)水平。

資料顯示，芯聯(lián)集成成立于2018年3月，是一家專(zhuān)注于功率、傳感和傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，提供模擬芯片及模塊封裝的代工服務(wù)的制造商。公司以晶圓代工為起點(diǎn)，向下延伸到模組封裝，為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式代工解決方案，為功率、傳感和傳輸?shù)阮I(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品公司提供完整生產(chǎn)制造平臺(tái)，支持客戶研發(fā)以及大規(guī)模量產(chǎn)。

以代工制造為主營(yíng)業(yè)務(wù)的芯聯(lián)集成，正在向SiC領(lǐng)域傾斜。今年10月24日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱(chēng)，公司新設(shè)立的合資公司——芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)芯聯(lián)動(dòng)力）已完成工商注冊(cè)登記手續(xù)，并取得營(yíng)業(yè)執(zhí)照。

據(jù)悉，芯聯(lián)動(dòng)力是車(chē)規(guī)級(jí)SiC制造及模組封裝的一站式系統(tǒng)解決方案提供商，創(chuàng)始股東包括芯聯(lián)集成、芯聯(lián)合伙、博原資本、小鵬星航資本、上汽尚頎資本和恒旭資本、寧德晨道投資、陽(yáng)光電源等，其中芯聯(lián)集成投資2.55億元，為控股股東。

根據(jù)芯聯(lián)集成2023半年報(bào)顯示，新能源汽車(chē)及工控業(yè)務(wù)成為其核心收入來(lái)源，上半年，該類(lèi)業(yè)務(wù)營(yíng)收占比達(dá)81.5%，其中新能源汽車(chē)板塊業(yè)務(wù)收入占總營(yíng)收比例為51.86%，工控（光伏儲(chǔ)能）業(yè)務(wù)占比29.6%。

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中瓷電子子公司1200V SiC MOSFET芯片正在進(jìn)行客戶驗(yàn)證

12月11日，河北中瓷電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)中瓷電子）在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司子公司北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾)電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功交客戶上車(chē)驗(yàn)證中，有小批量銷(xiāo)售。

據(jù)悉，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾目前產(chǎn)品布局比較全面，供貨量較大。據(jù)中瓷電子介紹，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾現(xiàn)有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，未來(lái)擬攻關(guān)高壓SiC功率模塊領(lǐng)域。目前，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊已向國(guó)內(nèi)一線車(chē)企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬(wàn)只。

為提高充電功率和縮短充電時(shí)間，各大主流車(chē)企競(jìng)相投入開(kāi)發(fā)SiC 800V高壓快充車(chē)型。為保障車(chē)企需求，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾車(chē)載充電器（OBC）用SiC MOSFET芯片月產(chǎn)能已達(dá)5kk只以上。

與此同時(shí)，中瓷電子也在積極進(jìn)軍氮化鎵（GaN）領(lǐng)域。11月27日，中瓷電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司子公司博威集成電路擴(kuò)建工程第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已建成并投入使用，項(xiàng)目主要產(chǎn)品為氮化鎵（GaN）通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬(wàn)只/年。

值得一提的是，11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線，意味著中汽創(chuàng)智有更強(qiáng)的SiC MOSFET產(chǎn)品實(shí)力與新能源汽車(chē)廠商合作。未來(lái)，各大半導(dǎo)體廠商有望推出更多契合車(chē)企需求的高壓SiC MOSFET產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中瓷電子稱(chēng)，博威公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻芯片與器件等。

資料顯示，中瓷電子成立于2009年，從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，公司電子陶瓷外殼類(lèi)產(chǎn)品是高端半導(dǎo)體元器件中實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁，對(duì)半導(dǎo)體元器件性能具有重要作用和影響。

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據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波射頻器件具有高輸出功率、高效率、高頻率、大帶寬、低熱阻、抗輻照能力強(qiáng)等優(yōu)良特性，是非常理想的微波功率器件，因此成為4G/5G移動(dòng)通信系統(tǒng)中首選的核心微波射頻器件，推廣應(yīng)用前景可期。整個(gè)產(chǎn)業(yè)來(lái)看，根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

今年以來(lái)，作為陶瓷產(chǎn)品廠商，中瓷電子從收購(gòu)博威公司股權(quán)開(kāi)始，直接跨界布局氮化鎵，也是看中了氮化鎵發(fā)展?jié)摿?。今?月，中瓷電子發(fā)布公告，宣布擬募集資金不超過(guò)25億元，用于向中國(guó)電科十三所購(gòu)買(mǎi)其持有的博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債，同時(shí)，擬購(gòu)買(mǎi)北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司94.60%股權(quán)。

而募集資金在支付本次重組相關(guān)費(fèi)用后也基本都用于第三代半導(dǎo)體功率器件相關(guān)項(xiàng)目，包括博威公司的“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”、“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”以及國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾的“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”等。

中瓷電子主營(yíng)業(yè)務(wù)并非第三代半導(dǎo)體功率器件，涉足該領(lǐng)域最直接的方式之一便是并購(gòu)相關(guān)廠商，而博威第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目投產(chǎn)，意味著中瓷電子親自入場(chǎng)，成為賽道又一位強(qiáng)有力的玩家。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾主要從事氮化鎵射頻芯片和碳化硅功率模塊的設(shè)計(jì)、測(cè) 試、銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片、碳化硅功率模塊等，氮化鎵通信基站射頻芯片主要客戶為安譜隆等射頻器件廠商，應(yīng)用于 5G 通信基站建設(shè)；碳化硅功率模塊主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，目前已與比亞迪、智旋等重要客戶簽訂供貨協(xié)議并供貨。

同日，中瓷電子在互動(dòng)平臺(tái)表示，子公博威集成電路有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“博威公司”）5G通信基站用GaN功放產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目按計(jì)劃進(jìn)行建設(shè)，現(xiàn)已完成項(xiàng)目驗(yàn)收并投產(chǎn)，2023年相關(guān)產(chǎn)品的訂單飽滿，產(chǎn)能利用率維持在較高水平。

博威公司5G通信基站用GaN功放產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目于2019年備案建設(shè)，2022年3月通過(guò)竣工驗(yàn)收，總投資3000萬(wàn)元，建立了高效可信自動(dòng)化第三代半導(dǎo)體GaN基站功放測(cè)試系統(tǒng)，形成了年產(chǎn)1700萬(wàn)只GaN功放產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

今年6月，石家莊鹿泉區(qū)宣傳部官方公眾號(hào)“精彩鹿泉”發(fā)文稱(chēng)，石家莊市政府發(fā)布《關(guān)于2022年度高新技術(shù)成果落地獎(jiǎng)獎(jiǎng)勵(lì)的決定》，位于鹿泉區(qū)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)的河北博威集成電路有限公司5G通信用GaN基站功放產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目獲得市高新技術(shù)成果落地獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)。

今年3月，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購(gòu)買(mǎi)博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。
交易情況如下：

據(jù)悉，中瓷電子成立于2009年，2021年在深交所上市。目前，中瓷電子的主營(yíng)業(yè)務(wù)為電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。

當(dāng)時(shí)交易價(jià)格已經(jīng)是中瓷電子凈資產(chǎn)的3倍有余，中瓷電子以“蛇吞象”的姿態(tài)邁進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。
目前看，中瓷電子在第三代半導(dǎo)體賽道開(kāi)始發(fā)力了，在SiC和GaN方面的產(chǎn)業(yè)都有了一定得進(jìn)展，后續(xù)如何，讓人拭目以待。
（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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