隨著導電型SiC襯底的逐漸量產(chǎn),對工藝的穩(wěn)定性、可重復性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制,爐內(nèi)熱場微小的調(diào)整或漂移,都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。
后期,更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰(zhàn),除了理論和工程的提高外,還需要更先進的熱場材料作為支撐。使用先進材料,長先進晶體。
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全球首發(fā),新一代SiC晶體生長用材料來了 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 04 月 28 日 17:20 | 分類 碳化硅SiC |