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30億投資，安世半導(dǎo)體封測廠擴(kuò)建項(xiàng)目摘牌
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 13 日 17:22 | 分類 碳化硅SiC
昨日，安世半導(dǎo)體（中國）有限公司封測廠擴(kuò)建項(xiàng)目成功摘牌。 據(jù)悉，項(xiàng)目總投資30億元，從事產(chǎn)業(yè)內(nèi)容包括但不限于分立器件、模擬&邏輯ICs、功率MOSFETs。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 2022年10日，安世半導(dǎo)體與東莞市黃江鎮(zhèn)人民政府簽署了《安世半導(dǎo)體（中國）有限公司封...  [詳內(nèi)文]

向8英寸進(jìn)擊，拿下SiC的天王山
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 13 日 17:20 | 分類 碳化硅SiC
6月7日，平地一聲驚雷，一則合資建廠的消息震動(dòng)整個(gè)SiC市場，三安光電和意法半導(dǎo)體兩位主角宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC器件廠，在此基礎(chǔ)上，三安光電再配套建一座襯底廠。根據(jù)意法半導(dǎo)體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)50億美元的SiC營收，作為對比，2...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】集邦咨詢：2023全球第三代半導(dǎo)體市場機(jī)遇與挑戰(zhàn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵被視為后摩爾時(shí)代材料創(chuàng)新的關(guān)鍵角色。近年來，汽車、光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用帶動(dòng)碳化硅市場迅速擴(kuò)大，氮化鎵功率元件于消費(fèi)電子市場率先放量，工業(yè)、汽車應(yīng)用潛力巨大。 目前，全球能源技術(shù)革命已經(jīng)開啟，并向材料領(lǐng)域滲透，第三代半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的過程中發(fā)揮怎樣的...  [詳內(nèi)文]

又一實(shí)驗(yàn)室揭牌，瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體EDA領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 17:28 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，九峰山-華大九天聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室“神舟實(shí)驗(yàn)室”正式揭牌。該實(shí)驗(yàn)室由九峰山實(shí)驗(yàn)室和北京華大九天科技股份有限公司共同組建，由北京華大九天科技股份有限公司研發(fā)副總朱能勇、九峰山實(shí)驗(yàn)室無線互聯(lián)首席專家吳暢共同擔(dān)任主任。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 “神舟實(shí)驗(yàn)室”將針對化合物半導(dǎo)體EDA軟...  [詳內(nèi)文]

聚焦芯片研發(fā)，上汽通用五菱與電科芯片簽署協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
近日，上汽通用五菱與電科芯片舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽署儀式。 上汽通用五菱官方消息顯示，雙方將以此次為戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約為契機(jī)，基于用戶使用場景，在芯片研發(fā)領(lǐng)域深入開展合作，以全面“2C”為導(dǎo)向，堅(jiān)持走自主創(chuàng)新的道路，攜手助力芯片國產(chǎn)化，推動(dòng)“一二五工程”項(xiàng)目成果實(shí)現(xiàn)新突破。 上汽通用五...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】芯聚能半導(dǎo)體：車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 15:54 | 分類 碳化硅SiC
在市場對節(jié)能減排和駕駛舒適性的更高要求下，新能源汽車逐步走向時(shí)代舞臺(tái)中央，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體需求隨之逐漸攀升。 SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，具有比硅更優(yōu)越的性能。不僅禁帶寬度較大，還兼具熱導(dǎo)率高、飽和電子漂移速率高、抗輻射性能強(qiáng)、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性，成為了新能源汽車領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

中電化合物半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 15:52 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)寧波前灣新區(qū)發(fā)布消息，中電化合物半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目計(jì)劃于今年9月完成廠房裝修并投產(chǎn)。 中電化合物成立于2019年，是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司（央企）旗下華大半導(dǎo)體有限公司主導(dǎo)投資的一家致力于開發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料的高科技企業(yè)。 公司注冊資本4.7億，主要聚焦在大尺寸、高性...  [詳內(nèi)文]

新能源車SiC-MOSFET發(fā)展分析
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 15:52 | 分類 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體包含功率集成電路和功率分離式組件。功率集成電路安裝在驅(qū)動(dòng)電路板上，以發(fā)送信號(hào)控制功率組件/模塊進(jìn)行開關(guān)。 功率組件是一種只用于電力轉(zhuǎn)換和控制的電子組件，分為二極管（整流和保護(hù)電路）、晶體管（負(fù)責(zé)開關(guān)）與閘流體（電路驅(qū)動(dòng)）。其中晶體管是電能轉(zhuǎn)換損耗的主要來源，因此是功率組...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心落地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 15:50 | 分類 碳化硅SiC
6月6日，在東南大學(xué)建校121周年紀(jì)念日上，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”。 基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進(jìn)行深層次合作，開發(fā)世界級(jí)水平、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、符合市場與應(yīng)用需求的功...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 08 日 17:12 | 分類 碳化硅SiC
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備。 該新結(jié)構(gòu)芯片有望幫助實(shí)現(xiàn)鐵路牽引等電氣系統(tǒng)的小型化和節(jié)能化，促進(jìn)直流輸...  [詳內(nèi)文]