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優(yōu)睿譜獲近億元A輪融資

作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 11 日 17:13 | 分類 碳化硅SiC
近日,優(yōu)睿譜宣布完成近億元A輪融資,由基石浦江領(lǐng)投,渾璞投資、星河資本、中南創(chuàng)投、泓湖資本、杭州盟合、景寧靈岸等跟投。 融資將用于新產(chǎn)品的研發(fā)及量產(chǎn)。同時,該公司宣布啟用無錫技術(shù)中心和上海金橋研發(fā)中心。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 優(yōu)睿譜成立于2021年,是一家半導體前道制程量測...  [詳內(nèi)文]

這家模擬IC上市公司入局SiC

作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 11 日 17:07 | 分類 碳化硅SiC
7月10日午間,模擬及混合信號芯片設(shè)計公司納芯微電子宣布推出1200V系列SiC二極管產(chǎn)品,并正在研發(fā)和驗證1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級驗證,將于近期推出。 據(jù)介紹,納芯微全新推出的1200V系列SiC二極管產(chǎn)品專為光伏、儲能、...  [詳內(nèi)文]

比亞迪入股這家半導體設(shè)備廠

作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 11 日 17:02 | 分類 碳化硅SiC
近日,長三角一體化示范區(qū)(浙江嘉善)嘉芯半導體設(shè)備科技有限公司發(fā)生工商變更,新增股東比亞迪股份有限公司、深圳市創(chuàng)啟開盈創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)(有限合伙);公司注冊資本從3.71億元增加到4.12億元。 2021年,以寧波芯恩為主體攜手掌握離子注入機技術(shù)的萬業(yè)企業(yè),成立嘉芯半導體,萬業(yè)和...  [詳內(nèi)文]

漢天下射頻芯片項目獲新進展

作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 29 日 17:39 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)南太湖發(fā)布消息,漢天下射頻芯片項目相關(guān)負責人表示,目前項目現(xiàn)場建筑單體預制管樁沉樁已基本完成,3號廠房基礎(chǔ)已開挖,計劃今年12月底前廠房主體結(jié)構(gòu)全數(shù)結(jié)頂。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目總投資14億元,項目建成后形成年產(chǎn)2.64億套移動終端及車規(guī)級射頻模塊的生產(chǎn)能力,達產(chǎn)后...  [詳內(nèi)文]

又一GaN研究院成立

作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 29 日 17:39 | 分類 氮化鎵GaN
6月26日,由西安電子科技大學廣州研究院(簡稱西電廣研院)與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd(簡稱ICCT)合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進封裝技術(shù)研究中心”,在廣東-新加坡合作理事會第十三次會議上成功簽約。 據(jù)悉,該研究中心圍繞第三代半導...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵功率芯片廠商元芯半導體獲融資

作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 29 日 17:38 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)消息,杭州元芯半導體科技有限公司(以下簡稱“元芯半導體”)已經(jīng)于近日獲得數(shù)千萬元天使+輪融資,由同創(chuàng)偉業(yè)領(lǐng)投,浙大校友基金會藕舫天使基金跟投。本次融資資金將主要用于核心產(chǎn)品研發(fā)和拓展產(chǎn)品線,以及技術(shù)和運營團隊建設(shè)。 元芯半導體成立于2022年,以第三代半導體器件和系統(tǒng)為核心,致...  [詳內(nèi)文]

化合物半導體下一場黃金賽道鳴槍,國內(nèi)8英寸碳化硅研發(fā)再突破

作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 29 日 17:09 | 分類 碳化硅SiC
6月27日,晶盛機電宣布,已成功研發(fā)出8英寸碳化硅外延設(shè)備。 據(jù)晶盛機電介紹,目前,在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎(chǔ)上,已實現(xiàn)8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試,外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)。 Part 1 碳化硅廠商下一個“黃金賽道” 近年來,在新能...  [詳內(nèi)文]

GaN中高壓應用蓄勢待發(fā),外延結(jié)構(gòu)扮演重要角色

作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:26 | 分類 氮化鎵GaN
GaN開始為人所知是在光電LED市場,廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上,GaN最初在功率半導體領(lǐng)域的目標據(jù)說是新能源汽車市場,而非消費電子市場。 “在新能源汽車領(lǐng)域,SiC發(fā)展得早,而GaN并不是發(fā)展得不早,只是一開始應用在LED上,抑制了GaN的技術(shù)開發(fā)演進...  [詳內(nèi)文]

三星,入局八英寸氮化鎵代工

作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN
在今日舉辦的代工論壇上,三星表示,將從 2025 年起,三星將開始針對消費、數(shù)據(jù)中心和汽車應用的 8 英寸氮化鎵 (GaN) 功率半導體代工服務(wù)。 隨著寬禁帶材料開始在功率電子領(lǐng)域取代硅,氮化鎵在消費市場站穩(wěn)腳跟,這將在今后幾年里帶來這類材料在功率器件市場的大幅增長,尤其是在中國...  [詳內(nèi)文]

英飛凌或在歐洲自行生產(chǎn)SiC晶體

作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:12 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)電子時報消息,英飛凌目前正在美國擴大碳化硅(SiC)器件的生產(chǎn),該公司此前一直采購其它公司制造的碳化硅晶圓。有消息人士稱,英飛凌很可能未來在歐洲自行生產(chǎn)碳化硅晶體,以求供應穩(wěn)定。 近年來,英飛凌不斷擴大在SiC、GaN上的布局。 SiC方面,今年1月,英飛凌官網(wǎng)宣布,他們再一次...  [詳內(nèi)文]