Author Archives: huang, Mia

深重投國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺亮相
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 15 日 17:57 | 分類 功率
11月15日，深重投集團投建的國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺在中國國際高新技術(shù)成果交易會（簡稱：高交會）上，召開建成發(fā)布會。 source：高交會 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設(shè)計及試制能力。 深圳綜合平臺主要由三...  [詳內(nèi)文]

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分類 功率
據(jù)外媒報道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，天科合達北京二期項目正式開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:53 | 分類 功率
11月12日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）“第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目”開工儀式在北京順利舉行。 source：天科合達 據(jù)集邦化合物半導體此前報道，二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項...  [詳內(nèi)文]

康佳進軍第三代半導體封測
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 12 日 14:55 | 分類 企業(yè)
11月8日，據(jù)鹽城網(wǎng)消息，康佳芯云半導體科技(鹽城)有限公司（下文簡稱“康佳芯云”）負責人在接受采訪時表示，公司正在推動對第三代半導體相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)，并增加投資以拓展產(chǎn)品線。 資料顯示，康佳芯云為康佳子公司，主攻存儲領(lǐng)域。旗下項目總投資20億元，占地100畝，總建筑面積10萬平方...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、Coherent等4家碳化硅相關(guān)廠商公布最新業(yè)績
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 08 日 14:23 | 分類 企業(yè)
近日，Wolfspeed、Coherent、Axcelis和世界先進4家廠商相繼公布了最新業(yè)績。其中，Coherent、Axcelis表現(xiàn)良好。 Wolfspeed：獲高額增資 Wolfspeed在2025財年第一季度，實現(xiàn)營收約為1.95億美元（折合人民幣約13.96億元），...  [詳內(nèi)文]

納微半導體、環(huán)球晶圓披露Q3業(yè)績
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 18:15 | 分類 企業(yè)
今日，納微半導體、環(huán)球晶圓披露了2024年第三季度營收。 納微半導體：氮化鎵產(chǎn)品在多領(lǐng)域取得進展 納微2024年第三季度總收入為2170萬美元（折合人民幣約1.55億元），相較2023年第三季度的2,200萬美元和2024年第二季度的2,050萬美元有所變化。 本季度的GAAP營...  [詳內(nèi)文]

安世半導體與德國汽車零件供應商達成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 18:15 | 分類 企業(yè)
11月6日，安世半導體宣布與德國汽車供應商KOSTAL（科世達）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽車應用嚴苛要求的寬禁帶(WBG)器件。 根據(jù)合作條款，安世半導體將開發(fā)、制造和供應由KOSTAL設(shè)計和驗證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動汽車（EV）、車載...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)實現(xiàn)6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分類 企業(yè)
近日，松山湖材料實驗室第三代半導體團隊與西安電子科技大學郝躍院士課題組張進成教授、李祥東教授團隊，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)，成功基于2~6英寸AlN單晶復合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。 得益于AlN單晶復合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯密度居于2×108 cm-2數(shù)量級...  [詳內(nèi)文]

MACOM牽頭碳化硅基氮化鎵項目
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:11 | 分類 功率
11月4日，美國半導體企業(yè)MACOM宣布，將引領(lǐng)一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應用領(lǐng)域。 項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]

意法半導體、愛思強披露最新業(yè)績
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 05 日 15:42 | 分類 企業(yè)
近日，意法半導體、愛思強披露了2024年Q3業(yè)績。 意法半導體：加快碳化硅產(chǎn)能升級 意法半導體前三季實現(xiàn)凈營收99.5億美元（折合人民幣約706.3億元），同比下降23.5%；毛利率39.9%；營業(yè)利潤率13.1%，凈利潤12.2億美元（折合人民幣約86.6億元）。 2024年第...  [詳內(nèi)文]