Author Archives: huang, Mia

世界先進董事長：碳化硅芯片代工沒有降價
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 05 日 15:39 | 分類 企業(yè)
世界先進董座方略宣布，未來公司在化合物半導(dǎo)體端不會缺席，旗下氮化鎵（GaN）今年實現(xiàn)量產(chǎn)，而隨著碳化硅（SiC）襯底價格下降，應(yīng)用會更廣。 方略提到，世界先進的氮化鎵業(yè)務(wù)已經(jīng)運作了7~8年，今年實現(xiàn)量產(chǎn)。在碳化硅方面，隨著襯底價格往下降，其應(yīng)用范圍有望進一步擴大。 值得一提的是，...  [詳內(nèi)文]

價值超30億，美國廠商Pallidus終止碳化硅項目
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 01 日 17:10 | 分類 企業(yè)
10月30日，據(jù)美國先驅(qū)報報道，紐約碳化硅材料廠商Pallidus終止了搬遷及新建工廠計劃。 據(jù)此前報道，2023年2月，Pallidus與約克郡達成協(xié)議，以經(jīng)濟激勵為交換條件搬遷至Rock Hill，工廠占地達30 萬平方英尺。 該公司此前計劃投資4.43億美元（折合人民幣約3...  [詳內(nèi)文]

長飛先進武漢碳化硅基地將提前2個月量產(chǎn)通線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:14 | 分類 功率
10月30日，長飛先進武漢基地相關(guān)負責人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設(shè)備即將進駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預(yù)計2025年5月可以量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。 source:光谷融媒體中心 據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總...  [詳內(nèi)文]

加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化，國內(nèi)2家企業(yè)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分類 企業(yè)
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競爭者。目前，國內(nèi)外企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期，鎵仁半導(dǎo)體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領(lǐng)域有了新突破。 鎵仁半導(dǎo)體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息...  [詳內(nèi)文]

產(chǎn)能增加400%，德州儀器新氮化鎵工廠投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 25 日 16:42 | 分類 企業(yè)
10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產(chǎn)基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體。 隨著會津工廠的投產(chǎn)，加上德州達拉斯現(xiàn)有的氮化鎵生產(chǎn)基地，德州儀器內(nèi)部氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能將增加四倍。 source：德州儀器 德州儀器技術(shù)和制造高級副總裁Mohammad...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)5000萬顆，縱慧芯光化合物半導(dǎo)體芯片項目封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 25 日 16:37 | 分類 企業(yè)
10月23日，常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡稱“縱慧芯光”）正式宣布，公司旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項目”已完成封頂。 據(jù)此前中電三公司與武進日報披露，該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計明年1月投產(chǎn)，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約...  [詳內(nèi)文]

長光華芯氮化鎵子公司再獲融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 25 日 16:06 | 分類 企業(yè)
昨（24）日，鎵銳芯光宣布完成數(shù)千萬元天使輪融資，本輪融資由產(chǎn)業(yè)資本領(lǐng)投，華泰紫金旗下蘇州華泰華芯太湖光子產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱“光子基金”）跟投。 資料顯示，鎵銳芯光成立于2023年5月，是一家氮化鎵基激光芯片的IDM企業(yè)。公司主營產(chǎn)品包括GaN基激光芯片和...  [詳內(nèi)文]

臺灣地區(qū)新增一座碳化硅襯底廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 25 日 16:01 | 分類 功率
據(jù)臺媒消息，10月22日，臺灣碳化硅長晶廠商格棋化合物半導(dǎo)體公司（下文簡稱“格棋”）舉行了中壢新廠落成典禮。 source：格棋 據(jù)介紹，格棋中壢新廠總投資金額達6億元新臺幣（折合人民幣約1.33億元），預(yù)計2024年第四季達到滿產(chǎn)。其中6英寸碳化硅晶片月產(chǎn)能可達5,000片，...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技、德州儀器公布2024Q3財報
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 23 日 17:50 | 分類 企業(yè)
10月22日，揚杰科技、德州儀器披露了公司Q3季度業(yè)績營收。其中，揚杰科技實現(xiàn)了營收凈利雙增長，而德州儀器的表現(xiàn)也超過外界預(yù)期。 揚杰科技：營收達15.58億 揚杰科技表示，報告期內(nèi)，隨著半導(dǎo)體市場需求逐步改善，公司營收規(guī)模進一步擴大，截至報告期末累計達到44.23億元，較去年同...  [詳內(nèi)文]

山東2個氮化鎵襯底項目有新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 22 日 17:50 | 分類 功率
在當今快速發(fā)展的科技時代，半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景，正受到業(yè)界的關(guān)注。近期，山東省的濟南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進展。 濟南：新增一個氮化鎵項目 據(jù)濟南日報消...  [詳內(nèi)文]