天岳先進介紹，公司董事長宗艷民先生率團于2024年8月30日訪問了海信集團，公司家電集團研發(fā)技術負責人與海信空調事業(yè)部負責人等就SiC（碳化硅）半導體材料和器件的技術進展方向，以及SiC功率器件在白色家電上的應用展開了廣泛深度的交流。

來源：天岳先進

近幾年來，在全球推行節(jié)能減碳的趨勢下，各國相繼頒布更高的能效規(guī)范，各行各業(yè)在發(fā)展過程中對提高能效的重視程度不斷提升。

以家電領域的空調為例，家用空調新能效標準在2020年實施，因此提高產品能效成為空調產品升級的重要方向，而SiC器件因其耐高溫、耐高壓、高功率、高頻率等優(yōu)異的性能和突出的“節(jié)能”效果受到空調等白色家電領域的廣泛關注，已成為白色家電領域技術創(chuàng)新重點方向之一，應用包括電機驅動、電源轉換、逆變器等多種場景。

具體來看，SiC可通過提高效率，減少空調散熱器的尺寸和熱管理成本；同時，通過更高的開關頻率，降低磁性元件的成本和尺寸，實現更高的功率密度；此外，SiC低電磁干擾的特性可減少電磁干擾濾波器和相關研發(fā)的成本。結合這些優(yōu)勢，SiC可幫助客戶提升系統(tǒng)性能、降低系統(tǒng)成本。

英飛凌、Wolfspeed、三菱電機、羅姆等SiC產業(yè)鏈相關廠商一直以來也在積極開拓白色家電市場。其中，Wolfspeed在2022年便公開介紹過其在空調等家電市場的布局和進展。據當時介紹，其SiC二極管已用于家用和商用空調行業(yè)，系統(tǒng)優(yōu)勢相比于傳統(tǒng)的快恢復二極管更高。在空調壓縮機的驅動上，當時也已有客戶在使用Wolfspeed的SiC MOSFET替代原有的IGBT方案，以實現更高的效率和功率密度。

三菱電機也在其空調產品中引入了基于SiC的功率半導體模塊，用在空調的逆變器中，大幅提高了系統(tǒng)的能效，同時減小了功率模塊的體積和重量。

除了空調之外，SiC在其他家電產品中的應用前景也備受看好。比如，Wolfspeed同步拓展了SiC在電視機等更多白色家電產品中的應用場景，此前已經與重點客戶合作應用SiC MOSFET和SiC二極管。

盡管目前SiC在家電領域也仍然未到大規(guī)模應用的階段，但其技術成熟度以及成本效益已經有了較大的提升，接下來有望進一步打開空調、電視機、微波爐等更多家電產品的市場。

就天岳先進與海信的合作來看，天岳先進目前已是SiC技術推廣、產品應用及產能擴充等各方面的主要力量之一，而海信旗下有海信（Hisense）、東芝電視（Toshiba TV）、容聲（Ronshen）、gorenje、ASKO等多個品牌，家電產品系列多元化，加上其在產業(yè)發(fā)展上，正在向產業(yè)高端和高端產業(yè)上推進，具備充分的條件導入SiC技術。未來，雙方的合作有望助力SiC加速滲透白色家電市場。（集邦化合物半導體Jenny整理）

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值得注意的是，這次昂瑞微第二次沖刺IPO。2023年2月26日，昂瑞微便與中信建設簽署了輔導協(xié)議，并向北京監(jiān)管局報送了輔導備案登記材料，但在2023年輔導結束后撤回輔導備案。據悉，撤回申請主要是受到監(jiān)管IPO政策收緊影響，暫停了近半年時間的新股受理之后已重新啟動，昂瑞微順勢打算重啟上市計劃。

昂瑞微曾獲華為哈勃、小米集團投資

官網顯示，昂瑞微成立于2012年，是一家深耕射頻前端和無線通信領域、多元化前瞻布局的復合型芯片設計公司，國家重點專精特新小巨人企業(yè)。公司總部位于北京，在北京、大連、廣州設有研發(fā)中心，在深圳、上海、西安、韓國設有銷售/技術支持中心，在蘇州設有生產運營中心。

企查查官網顯示，昂瑞微成立至今已完成7輪融資，其中2020年共完成兩輪戰(zhàn)略融資，分別由小米集團及華為哈勃投資，持股比例均為4.1626%。

來源：企查查

昂瑞微擁有基于CMOS、GaAs、SiGe、SOI、GaN等多種工藝的芯片設計和大規(guī)模量產經驗，核心產品線涵蓋三大類：射頻前端芯片、無線連接芯片、模擬類芯片，主要應用于智能手機、汽車電子、儲能、工業(yè)、高性能計算、物聯網、智能穿戴等領域。據悉，昂瑞微每年芯片的出貨量超過10億顆。

據悉，昂瑞微的產品拓展已進入全線突破階段，射頻前端系列產品客戶包括榮耀、小米、三星、摩托羅拉、中興、聯想、OPPO、vivo、傳音、華勤、龍旗、聞泰等已進入的知名品牌和方案商。

射頻前端市場國產化替代加速推進

射頻前端行業(yè)涵蓋了射頻功率放大器、濾波器、射頻開關、射頻低噪聲放大器等產品，該市場目前仍被美國Skyworks、Qorvo、Broadcom、Qualcomm等和日本Murata壟斷，集中度很高。

不過，在5G技術的推動及國家政策的支持下，國內射頻前端技術正加速縮小與國際先進水平的差距。隨著5G通信技術的廣泛應用和物聯網的發(fā)展，射頻前端芯片的市場需求將持續(xù)增長，這為國內廠商提供了巨大的市場機遇。

據悉，國內射頻前端廠商通過技術創(chuàng)新和產品升級，在5G相關的射頻前端器件需求方面取得了進展，尤其是在5G手機射頻前端方案方面，國內廠商已取得一些突破，例如在Sub-6GHz UHB L-PAMiF產品中的競爭力逐漸增強。

目前，國內射頻前端主要玩家包括唯捷創(chuàng)芯、卓勝微、飛驤科技等，前兩家已是A股上市公司，飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請已到問詢狀態(tài)。其中，唯捷創(chuàng)芯在國產化率較低的射頻放大器領域占據國產主要份額。

近日，唯捷創(chuàng)芯及卓勝微已披露了2024年上半年業(yè)績。

唯捷創(chuàng)芯上半年實現營收10.71億元，同比增長20.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1126.86萬元，同比扭虧為盈。報告期內，唯捷創(chuàng)芯滲透新的客戶群體，高集成度模組L-PAMiD產品和接收端產品市場規(guī)模逐步擴大，推動營收同比增長。

卓勝微實現營收22.85億元，同比增長37.20%；實現歸屬于上市公司股東的凈利潤3.54億元，同比下降3.32%。上半年，卓勝微擴大了對射頻模組產品的市場開拓力度，其中，濾波器模組在產品中成長速度位居第一，是其業(yè)績增長的根本驅動因素。

目前，昂瑞微暫未披露業(yè)績相關數據，但從獲得華為哈勃和小米集團等投資可見，其發(fā)展?jié)撃苁艿缴漕l前端市場以及資本市場的認可，未來發(fā)展值得期待。

長遠來看，隨著射頻前端市場國產化替代加速進行，包括昂瑞微等在內的國內廠商在技術、市場、資本等多方面均取得了積極的進展，未來隨著5G技術的進一步普及和應用，國產射頻前端廠商有望獲得更多的市場機會。（集邦化合物半導體Jenny整理）

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據了解，基本半導體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等，產品服務于全球電動汽車、光伏儲能、軌道交通、工業(yè)控制和智能電網等領域客戶。

賀利氏電子是電子封裝材料應用領域的材料及匹配材料解決方案專家，滿足市場對功率模塊高效率和可靠性的需求。

基本半導體表示，采用賀利氏電子材料的車規(guī)級碳化硅模塊產品已在幾個國內主流車企批量應用，出貨量進入全球碳化硅模塊新能源車市場前列，基本半導體成為了國內第一批量產上車的碳化硅行業(yè)頭部企業(yè)。

通過本次合作，基本半導體將與賀利氏共同應對電動汽車、光伏儲能等市場日益增長的需求。（來源：基本半導體、集邦化合物半導體整理）

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三安光電：上半年SiC營收超5億元

上半年，三安光電實現營業(yè)收入76.79億元，同比增長18.70%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.84億元，同比增長8.44%。按行業(yè)劃分，三安光電上半年LED外延芯片主營業(yè)務收入實現同比增長13.61%，集成電路業(yè)務營收同比增長16.85%。

集成電路業(yè)務包含射頻前端、電力電子及光技術三大板塊。報告期內，湖南三安主導的碳化硅及氮化鎵等電力電子業(yè)務實現營收5.12億元，凈利潤為299萬元。

據披露，湖南三安目前8英寸襯底已小批量試生產并在客戶端驗證。產能方面，目前其擁有碳化硅配套產能16,000 片/月，硅基氮化鎵產能2,000片/月。

碳化硅功率模塊方面，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導體一期產線實現通線，全橋功率模塊C樣已交付，預計將在今年下半年完成產品驗證，2025 年有望迎來模塊批量生產。

另外，湖南三安與意法半導體在重慶合資建設的8英寸碳化硅晶圓廠生產設備將在三季度陸續(xù)進場安裝和調試，預計11月份將實現通線，通線后將逐步釋放產能。合資公司規(guī)劃產能將于2028 年達產，達成后產能為48萬片/年。

而配套在重慶建設的8英寸襯底廠預計8月底將實現襯底廠的點亮通線。未來，湖南三安的全資子公司重慶三安將匹配生產碳化硅襯底供應給湖南三安與意法半導體在重慶設立的合資公司安意法（生產碳化硅外延、芯片）。

硅基氮化鎵方面，湖南三安面向消費電子、工業(yè)及汽車應用領域均有新的進展。其中，在車用領域，其已完成低壓（60-200V）器件技術平臺的定型，下一步將開發(fā)針對車載激光雷達、動力電池系統(tǒng)等特定應用場景的典型產品。

北方華創(chuàng)：上半年半導體設備市占率穩(wěn)步攀升

上半年，北方華創(chuàng)實現營收123.35億元，同比增長46.38%；實現歸屬于上市公司股東的凈利潤27.81億元，同比增長54.54%。

北方華創(chuàng)立足于半導體基礎產品領域，形成了半導體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大核心業(yè)務板塊。在半導體裝備領域，北方華創(chuàng)提供包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等關鍵工藝裝備，服務于集成電路、功率半導體、三維集成和先進封裝、化合物半導體、新型顯示、新能源光伏和襯底材料等多個制造領域。

目前，其擁有單晶硅、多晶硅、SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等多種材料的外延生長技術能力，可滿足不同領域的應用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已推出20余款量產型外延設備，并已累計出貨超過1000腔。

據其在業(yè)績預告中披露，上半年其應用于集成電路領域的刻蝕、薄膜沉積、清洗、爐管和快速退火等工藝裝備工藝覆蓋度及市場占有率持續(xù)穩(wěn)步攀升，收入同比穩(wěn)健增長。報告期內，隨著營收規(guī)模持續(xù)擴大，規(guī)模效應逐漸顯現；智能制造助力運營水平有效提升；成本費用率穩(wěn)定下降，使得歸母凈利潤同比持續(xù)增長。

連城數控：上半年驗收設備數量同比增長

上半年，連城數控實現營收25.3億元，同比增長33.79%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為3.21億元，同比增長38.21%

連城數控立足于光伏及半導體行業(yè)，是提供晶體材料生長、加工設備及核心技術等多方面業(yè)務支持的集成服務商。上半年，連城數控拓展晶體生長及加工設備、電池片設備等產品的銷售業(yè)務，驗收設備數量同比增長，主營業(yè)務實現穩(wěn)健發(fā)展。

在碳化硅方面，連城數控于2020年底開始對碳化硅晶體生長爐進行研發(fā)立項、2021年9月開始對碳化硅等超硬材料多線切割機研發(fā)立項。

今年1 月，連城數控下屬子公司連科半導體與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)人民政府就“連科第三代半導體設備研發(fā)制造及總部基地項目”舉行簽約儀式。該項目計劃投資不超過10.5億元建設半導體大硅片長晶和加工設備、碳化硅長晶和加工設備的研發(fā)和生產制造基地。

新產品方面，其下屬子公司連科半導體、連強智能在今年SEMICON CHINA展會上展出了8英寸碳化硅專用切片機等系列產品和解決方案。

聞泰科技：上半年半導體業(yè)務營收70.4億元

上半年，聞泰科技實現營收335.89億元，同比增長15.01%；實現歸屬于上市公司股東的凈利潤1.4億元，同比下降88.78%。

聞泰科技主營業(yè)務分為半導體與產品集成兩大方向。其中，半導體業(yè)務采用IDM垂直整合制造模式，產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD 保護器件、MOSFET 器件、氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。

今年上半年，聞泰科技半導體業(yè)務實現營收70.4億元，同比下降7.90%，業(yè)務毛利率 34.95%，實現凈利潤10.8億元，同比下降 22.40%。值得注意的是，第二季度收入與利潤環(huán)比實現增長，毛利率水平較第一季度大幅度改善。

在第三代半導體領域，2023年，聞泰科技實現了GaN產品D-M系列產品工業(yè)和消費領域的銷售，同時E-M產品通過所有測試認證，于2024年開始銷售。SiC方面，聞泰科技實現了SiC整流管的工業(yè)消費級的量產和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證，以及SiC MOS產品線的建立，推動產品進入1200V高壓市場，拓展新的增長空間。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、SiC和GaN）和模塊等的研發(fā)。

聞泰科技指出，上半年，新能源汽車行業(yè)仍面臨去庫存和價格競爭的挑戰(zhàn)。面對汽車功率半導體的庫存調整周期，公司半導體業(yè)務在亞太地區(qū)的市場表現較好地抵消了歐美市場需求的疲軟。工業(yè)、消費電子市場逐漸復蘇，AI 數據中心、服務器等應用領域的增速較快，同時也加快了在國產新能源頭部企業(yè)的市場開拓，產品供應量和單車價值都穩(wěn)步提升。

聞泰科技表示，盡管上半年整體業(yè)績承壓，公司也通過一系列措施，力爭在下半年實現業(yè)績的環(huán)比大幅度改善。

卓勝微：上半年濾波器模組產品增速第一

上半年，卓勝微實現營收22.85億元，同比增長37.20%；實現歸屬于上市公司股東的凈利潤3.54億元，同比下降3.32%。

卓勝微立足于射頻集成電路領域，主要產品包括射頻開關、射頻低噪聲放大器、射頻濾波器、射頻功率放大器等射頻前端分立器件及各類模組產品解決方案，同時還對外提供低功耗藍牙微控制器芯片。

上半年，卓勝微擴大射頻模組產品的市場開拓力度，其中，濾波器模組在產品中成長速度位居第一，是其業(yè)績增長的根本驅動因素。報告期內，射頻模組占總營收比例已達到42.29%，創(chuàng)下有史以來最高比例，卓勝微預計占比將在未來持續(xù)增長。

拓荊科技：第二季度凈利潤環(huán)比大幅改善

上半年，拓荊科技實現營收12.67億元，同比增長26.22%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.29億元，同比增長3.64%。其中，第二季度營收達7.95億元，同比增長32.22%，環(huán)比增長68.53%；實現歸屬于上市公司股東的凈利潤1.19億元，同比增長67.43%，環(huán)比增長1,032.79%。

拓荊科技專注于研發(fā)和生產高端半導體專用設備，是國內薄膜沉積行業(yè)頭部廠商之一，產品線包括離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三大系列。產品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯芯、燕東微電子等國內主流晶圓廠產線。

上半年，受益于公司持續(xù)高強度的研發(fā)投入，在推進產品產業(yè)化和各產品系列迭代升級的過程中取得了重要成果，超高深寬比溝槽填充CVD設備、PE-ALD SiN工藝設備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設備等新產品及新工藝經下游用戶驗證導入，拓荊科技收入穩(wěn)步增長。

值得一提的是，今年3月，拓荊科技宣布擬投資11億元建設“高端半導體設備產業(yè)化基地建設項目”。該項目擬在沈陽市渾南區(qū)購置土地建設新的產業(yè)化基地，包括生產潔凈間、立體庫房、測試實驗室等。建成后，公司產能將進一步提高，以支撐其PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導體設備產品未來的產業(yè)化需求，從而推動業(yè)務規(guī)模持續(xù)增長，提升整體競爭力和盈利能力。

民德電子：SiC外延片等高價值產品陸續(xù)量產

上半年，民德電子實現營收1.61億元，同比下降12.16%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為-770萬元。
民德電子主要從事條碼識別設備的研發(fā)、生產和銷售業(yè)務，以及半導體設計和分銷業(yè)務。其中，半導體設計和分銷業(yè)務包括功率半導體設計業(yè)務和電子元器件分銷業(yè)務。上半年，民德電子營收主要來源于信息識別及自動化產品業(yè)務和半導體業(yè)務。

目前，民德電子正在構建功率半導體的smart IDM生態(tài)圈，以晶圓代工+超薄背道代工為主干，上游獲取設備、晶圓原材料、掩模版、電子氣體等原料供給，下游與設計公司合作，開發(fā)出多樣化的產品。

報告期內，民德電子功率半導體smart IDM生態(tài)圈核心環(huán)節(jié)企業(yè)產能不斷提升：晶圓代工廠廣芯微電子自上年12 月量產以來，產品系列不斷豐富，產能逐步提升；超薄背道代工廠芯微泰克已得到國內多家知名半導體設計公司和晶圓廠客戶的認可，多款產品實現批量產出；晶圓原材料企業(yè)晶睿電子保持持續(xù)擴產，外延片產銷量快速增長，特種傳感器用硅片、SOI、MEMS 傳感器用雙拋片、SiC外延片等高價值產品陸續(xù)量產。

芯導科技：上半年毛利率同比增長2.16個百分點

上半年，芯導科技實現營收1.55億元，同比增長18.79%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為5221.45萬元，同比增長36.44%。

芯導科技專注于模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售，產品廣泛應用于移動終端、網絡通信、安防工控、儲能、汽車電子、光伏逆變器等應用領域。

在功率器件領域，芯導科技針對第三代半導體GaN HEMT產品開發(fā)了高壓P-GaN HEMT技術平臺。2023年，其650V GaN HEMT產品已初步形成產品系列化，形成110mR-900mR范圍，采用DFN5060、DFN8080、TO252、TO220、TO220F等多種封裝形式的產品陣容，并在電源、PD快充適配等領域重點推廣，部分客戶當時已進入小批量運行階段。同時，中低壓GaN HEMT產品的改進工作也在有序推進中。

在新能源應用場景，芯導科技堅持GaN相關器件及驅動控制器的開發(fā)，高整合度驅動器芯片已在客戶端完成驗證，并實現小批量出貨。

今年上半年下游需求回暖及廠商持續(xù)推進庫存去化，半導體行業(yè)也逐步呈現了復蘇跡象，受益于消費電子市場景氣度回暖，芯導科技主營產品所處的市場需求相較于去年同期有所提升；同時，芯導科技積極推進產品更新迭代，加強供應鏈的合作及開發(fā)，相比上年同期，毛利率增長2.16個百分點。（集邦化合物半導體Jenny整理）

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據了解，三安意法半導體項目包含建設一座8英寸SiC晶圓（芯片）廠和配套的一座8英寸SiC襯底廠，預計總投資約300億元人民幣，將整合8英寸車規(guī)級SiC襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造。

其中，晶圓廠由三安光電與意法半導體合資32億美元成立，雙方為此在重慶設立合資公司安意法半導體有限公司（注冊資本為6.12億美元），三安光電和意法半導體分別持股51%和49%。

日前，三安光電在半年報中披露，安意法生產設備將在今年Q3陸續(xù)進場安裝和調試，預計11月份將實現通線，通線后將逐步釋放產能，未來將主要生產8英寸SiC外延和芯片，銷售給意法半導體。合資公司規(guī)劃產能將于2028 年達產，達成后產能為8英寸車規(guī)級SiC MOSFET功率芯片48萬片/年，面向新能源汽車主驅逆變器、充電樁和車載充電器等應用。

作為配套，三安光電在重慶同步建設一座8英寸襯底廠，并為此設立了重慶三安半導體有限責任公司（湖南三安的全資子公司），注冊資本為18億元。該工廠預計總投資額為70億人民幣，占地276畝，達產后預計8英寸SiC襯底48萬片/年。據半年報披露，該襯底廠預計8月底將實現點亮通線。未來，重慶三安將匹配生產碳化硅襯底供應給安意法

值得一提的是，意法半導體正在推進旗下晶圓廠從6英寸向8英寸過渡，而湖南三安項目的加快建設將一定程度上助推意法半導體加速向8英寸轉型。

根據6月消息顯示，意法半導體計劃明年第三季度意大利卡塔尼亞的SiC晶圓廠將過渡到8英寸；新加坡的晶圓廠隨后也將過渡到8英寸；而在中國的合資工廠安意法則預計明年第四季度開始生產8英寸SiC晶圓。按照最新進度，8英寸晶圓廠預計年底通線后將逐步釋放產能，而8英寸襯底廠提前到本月底投產，表明湖南三安已提前做好準備，匹配后續(xù)安意法對襯底材料的需求。

市場需求方面，根據TrendForce集邦咨詢《2024 全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢預測，2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元。

未來，隨著兩座工廠產能的釋放以及下游需求的持續(xù)增長，湖南三安的SiC業(yè)務有望實現產銷兩旺，帶動三安光電整體業(yè)績進一步增長。就今年上半年來看，三安光電實現營業(yè)收入76.79億元，同比增長18.70%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.84億元，同比增長8.44%。其中，湖南三安實現營收5.12億元，凈利潤為299萬元。（集邦化合物半導體Jenny整理）

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本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，導入離子注入技術于異質磊晶生長的同質結氧化鎵PN二極管元件中，結果展示出優(yōu)異的電性表現。氧化鎵 (Gallium Oxide, Ga2O3) 在高壓及高溫應用領域的強大潛力，為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。這一研究成果已發(fā)表于國際頂級材料科學期刊Materials Today Advances。

(圖示：各式半導體材料的理論導通電阻與崩潰電壓關系，以氧化鎵 (Ga2O3) 為代表的第四代半導體在高壓、高溫應用領域展現出優(yōu)越性能，為功率電子器件開辟新途徑。)

第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優(yōu)異的性能，被視為下一代半導體材料的代表，擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8 MV/cm) 等特性，較現有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等材料具有顯著優(yōu)勢。這些特性使得氧化鎵特別適用于電動車、電網系統(tǒng)、航空航天等高功率應用場景。

此次鴻海研究院與陽明交大電子所通力合作，以創(chuàng)新的離子布植技術成功制造出具備優(yōu)異電性表現的氧化鎵 PN 二極管 (PN diode)，利用磷離子布植和快速熱退火技術實現了第四代半導體 P 型 Ga2O3 的制造，并在其上重新生長 N 型和 N+ 型 Ga2O3，形成了 PN Ga2O3 二極管。這一突破性技術除了能大幅提升元件的穩(wěn)定性和可靠性，并顯著降低電阻。

(圖示：由鴻海研究院半導體所及陽明交大電子所研究團隊合力制作的氧化鎵 PN 二極管示意圖與元件剖面?zhèn)纫晥D。)

論文詳細闡述了這種新型 Ga2O3 PN 二極管的制作過程和性能特征。實驗結果顯示，該元件具有 4.2 V 的開啟電壓和 900 V 的擊穿電壓，展現出元件優(yōu)異的高壓耐受性能。

氧化鎵元件將有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化硅元件競爭。目前，中國、日本和美國在氧化鎵研究領域處于領先地位。日本已實現4英寸和6英寸氧化鎵晶圓的產業(yè)化，而中國多家科研機構和企業(yè)也在積極推進相關研究與產品開發(fā)。

(圖說：由鴻海研究院半導體所及陽明交大電子所研究團隊合力制作的氧化鎵 PN 二極管元件與電性表現分析， (a) 線性刻度 I-V 曲線；(b) 擊穿 (breakdown) 電性表現行為。)

鴻海表示，隨著氧化鎵技術的進一步發(fā)展，未來可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領域中有更廣泛應用。（來源：鴻海集團）

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據外媒報道，BelGaN現已收到多項競標，其中，一家瑞典-芬蘭財團以位于赫爾辛基的7 Semiconductors Oy為名義給出了15億瑞典克朗（約合人民幣10.5億元）的報價。

作為本項競標的支持者之一，Spirit Ventures風險投資公司Gerard de Bourbon表示，他們?yōu)橹θ鸬湓诎雽w領域重新獲得領先地位已努力了近3年，并透露最初的計劃是在此地建立一家半導體工廠，但后來開始與比利時展開相關討論。在本次給出報價之前，他們先發(fā)出了競購意向書，預計交易金額約15億瑞典克朗。

除了該財團之外，BelGaN此前的所有者也有意收購6英寸和8英寸晶圓代工廠，比利時企業(yè)家Guido Dumarey也提出了報價，但競標金額尚未披露。

據悉，奧德納爾德工廠最早于1983年作為MIETEC成立，隨后相繼被Alcatel和AMI收購，又于2008年出售給安森美半導體（OnSemi）。報道稱，安森美此前在重組過程中試圖出售該CMOS硅晶圓廠，但未能找到買家，最后于2022年將其剝離分拆，BelGaN硅基GaN代工廠由此成立（中國資本）。

在GaN領域，該硅晶圓廠早在2009年開始投入相關技術研發(fā)工作，并于2023年6月推出了首款650V E-Mode eGaN技術，2023年底宣布將生產依托650V eGaN技術的第一代產品，并采購了AIXTRON愛思強的G10-GaN設備。

去年以來，BelGaN在GaN技術和業(yè)務上持續(xù)取得新進展。比如，2023年12月，BelGaN展示了1200V E-Mode GaN-on-Si技術；2024年3月宣布“BEL1 650V eGaN平臺”已獲得多個主要客戶的訂單并準備批量生產，同時披露擴產計劃。

但實際上，該公司一直面臨著現金流短缺的問題，加上由于在需要大量投資以支持轉型的過程中未能成功找到額外投資，最終在7月30日申請破產保護。（集邦化合物半導體Jenny編譯）

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消費電子市場走向成熟，GaN初闖高功率市場受挫

GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）同為性能優(yōu)異的寬禁帶半導體材料，二者在擊穿電場、高溫性能、高功率處理能力以及化學穩(wěn)定性等方面存在共同之處，但相比之下，GaN在開關頻率和能效上更加突出，因此更適合高頻應用領域，有助于實現高效功率轉換、減少開關損耗、降低熱耗散、縮小元件尺寸等。

按應用劃分，GaN主要面向光電子、射頻通訊、功率半導體三大應用領域，對應消費電子、無線通信、數據中心、汽車、航空航天、國防軍工等細分場景。其中，光電子是GaN最快普及的應用，至今已有很多年的發(fā)展歷史，但GaN真正“火”起來是在近幾年的功率半導體市場，并首先崛起于消費電子快充應用。

根據TrendForce集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場分析報告》數據顯示，2020年全球GaN功率半導體市場規(guī)模為0.5億美金，至2022年成長至1.8億美金，年復合增長率約53%。其中，2022年的市場規(guī)模相比2021年大幅增長了125%。

也就是在這一年，GaN高速滲透快充市場，并開始向家電、智能手機等其他消費場景拓展；與此同時，新能源汽車、光儲充、數據中心等產業(yè)的迭代升級，使得GaN作為更為符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下，GaN廠商從低功率朝向高功率市場延伸便順理成章。

然而，據集邦化合物半導體觀察，一方面，快充、適配器等消費電子市場不斷成熟，可供廠商發(fā)揮的空間、可分的“蛋糕”持續(xù)縮??；另一方面，在汽車、數據中心等高功率應用領域，由于技術可靠性、成本等問題，多數GaN廠商處于產品研發(fā)、驗證、送樣、項目合作階段，真正落地的案例鮮少，這也側面反映GaN打開高功率市場需更多的技術和時間沉淀。

GaN產業(yè)步入整合期，量到質的改變開始顯現

為了突破高壓大功率市場，不少廠商開始嘗試新結構、新工藝路線，其中包括有望全面解鎖GaN優(yōu)良特性的垂直GaN元件，但這條路并不好走。隨著時間的推移，各家廠商面臨前期大量投入難以兌現的壓力，而持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)投入需求則帶來了資金的壓力，多方面承壓之下，退場者隨之出現。據集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，今年1-3月，美國垂直GaN器件廠NexGen Power Systems與Odyssey Semiconductor相繼宣布倒閉、破產。

同樣地，GaN頭部廠商也面臨更進一步發(fā)展以及長遠立足的難題，于是有了GaN Systems并入功率半導體大廠英飛凌（Infineon），Transphorm并入全球半導體芯片大廠瑞薩電子（Renesas），Odyssey Semiconductor并入Power Integrations（PI）。

雖然沒有出現產能過?；驉盒詢r格戰(zhàn)等現象，但GaN功率半導體市場顯然也進入了一輪洗牌調整期。從并購、倒閉破產案可見，未來能夠馳騁GaN“沙場”的定是具備過硬綜合競爭力的廠商，這其實對于GaN產業(yè)而言利大于弊，因為優(yōu)勢資源的不斷集中有利于推動技術加快產業(yè)化，實現量產應用。

在供應鏈資源大整合之際，廠商的技術沉淀與項目開發(fā)進展也到了一個新的階段，隨之而來的便是GaN技術逐步從量到質的改變。

據集邦化合物半導體了解，經過幾年的技術儲備，GaN相關廠商目前在消費電子增量市場、電動汽車、光儲充、數據中心等市場都取得了更多實質性的進展，并逐步收獲成果。

以汽車和新能源應用為例，納微半導體（Navitas）2023年針對車載OBC及路邊充電樁場景引入新的GaNSafe技術（配合其SiC技術），截至今年第二季度，納微22kW車載充電機（OBC）方案已有15個客戶項目在推進至評審階段，其預計電動汽車領域將在2025年底獲得首批由GaN技術帶來的收入。

在太陽能/儲能市場，納微此前已打入美國前五大太陽能設備制造商中三家的供應鏈，截至今年第二季度，納微已有6個相關的客戶項目推進至評審階段，預計將于明年在美國實現GaN基微型逆變器的量產。

國內廠商中，鎵未來（GaNext）實現了國產GaN突破光伏微逆市場，其集成型Cascode 技術GaN功率器件設計已用在微型逆變器龍頭廠商的2000W新型逆變器中；氮矽科技也與全球頭部逆變器設計公司及知名制造商建立了戰(zhàn)略合作關系，共同開發(fā)一款基于GaN技術的新一代微型逆變器。

汽車應用方面，氮矽科技今年發(fā)布了一款超高開關頻率（>100MHz）驅動芯片，適用于高速汽車激光雷達系統(tǒng)；同時，該公司正在推進多款100V集成驅動產品的車規(guī)級驗證，這些產品主要適用于車載無線充和DC-DC；鎵未來目前也正在推進產品的車規(guī)級認證，同步與車廠展開相關項目研究；IDM廠商能華微則在推進1200V產品的車規(guī)級認證······

AI數據中心、人形機器人等引燃，GaN“上大分”

AI數據中心服務器

數據中心領域也是近幾年GaN廠商重點耕耘的方向之一，從相關廠商的進展可見，GaN在數據中心電源市場的應用已經邁出了一大步，而AI技術的興起為該市場再添了一把火。

在AI生態(tài)中，數據中心對高速運算和電力都有著龐大的需求。根據TrendForce集邦咨詢調查，NVIDIA（英偉達） Blackwell平臺將于2025年正式放量，取代既有的Hopper平臺，成為NVIDIA高端GPU（圖形處理器）主力方案，占整體高端產品近83%。在B200和GB200等追求高效能的AI Server機種，單顆GPU功耗可達1,000W以上。

面對高漲的功率需求，每個數據中心機柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW，對于數據中心電源系統(tǒng)來說挑戰(zhàn)極大，而GaN與液冷技術的結合，將成為提升AI 數據中心能效的關鍵。

芯片功耗的大幅上升需要服務器擁有更高的功率密度和效能，GaN能夠降低損耗、提高功率密度，已被視為AI數據中心優(yōu)化能源效率的關鍵技術之一，吸引了英飛凌、德州儀器（TI）、納微、英諾賽科、Transphorm、能華微、氮矽科技、鎵未來等大批GaN玩家加入布局陣列。其中，納微和英飛凌均公布了AI數據中心電源技術路線圖，表明搶占該市場制高點的決心。

英飛凌AI數據中心電源路線圖

英飛凌融合Si、SiC以及GaN的獨特優(yōu)勢，已推出輸出功率為3 kW和3.3 kW的PSU，8 kW PSU預計將于2025年第一季度上市，全新8 kW PSU支持最高輸出功率達300 kW或以上的AI機架。與3 kW PSU的32 W/in3 相比，其效率和功率密度提升至100 W/in3，進一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運營商的成本。

以GaN技術來看，英飛凌的CoolGaN? 解決方案可為PFC拓撲提供超過99%的系統(tǒng)效率。此外，英飛凌收購的GaN Systems則早在2022年就發(fā)布了3.2kW AI服務器電源供應器，并于2023年推出第四代GaN平臺，效率超過鈦金級能效標準，功率密度從100W/in3提升至120W/in3。因此，雙方結合后在GaN領域產生的效應備受看好。

納微去年全新GaNSafe?和Gen-3 Fast碳化硅技術以及納微專用設計中心已設計完成4.5kW CRPS，實現傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度。在此基礎上，納微7月發(fā)布全新的CRPS185 4.5kW AI數據中心服務器電源方案，功率密度達137W/in3，效率超97%。

納微AI數據中心電源路線圖

納微透露，3.2kW和4.5kW電源方案已有超過60個數據中心客戶項目正在研發(fā)中，預計將在2024-2025年間為納微GaN和SiC的營收帶來數百萬美元的增長。據集邦化合物半導體進一步了解，納微預計用于AI數據中心電源方案有望于年底實現小批量生產。

面對AI服務器興起創(chuàng)造的商機，GaN廠商顯然加快了步伐。除了英飛凌和納微之外，其他廠商也在通過各自的發(fā)展路線悶聲謀大事，如TI、EPC（宜普電源轉換）、能華微、鎵未來、氮矽科技等。

TI早在2021年便與全球最大的服務器電源供應商臺達（市占率近5成）就數據中心服務器電源達成合作，基于其GaN技術和C2000 MCU實時控制解決方案，為數據中心開發(fā)設計高效、高功率的企業(yè)用服務器電源供應器（PSU）。基于長期的合作伙伴關系，雙方在AI服務器電源市場的合作成果將備受期待。

鎵未來已與知名院校達成合作，由其提供理論依據和技術支持，共同完成 3.5kW 無風扇服務器電源的開發(fā),通過兩相交錯圖騰柱 PFC及 LLC實現高效率和高功率密度48V電源方案。鎵未來指出，AI 服務器與傳統(tǒng)服務器相比具有功率等級高且長時間滿載工作的特性，對于電源的轉換效率要求更高，因此采用GaN器件的圖騰柱PFC拓撲將是最優(yōu)選擇。

產品開發(fā)方面，EPC將在本月底的PCIM Asia展會展示最新一代GaN FET和IC，涵蓋包括AI服務器、機器人等在內的各種實際應用；氮矽科技多款相關產品已送樣國內頭部知名企業(yè)，并完成了相關的可靠性測試；能華微1200V GaN產品也已經送樣知名服務器電源廠，正在進行可靠性評估。

人形機器人

事實上，不止AI數據中心服務器，更多新興市場正在為GaN產業(yè)注入活力，如今年發(fā)展一樣如火如荼的人形機器人等電機驅動產業(yè)。

人形機器人的系統(tǒng)主要由傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)四部分構成，而GaN的“用武之地”包括激光雷達系統(tǒng)、電機控制器、DC-DC轉換器及電池BMS。其中，電機驅動扮演關鍵角色。

TrendForce集邦咨詢研究顯示，由于自由度急劇上升，人形機器人對電機驅動器的需求量大幅增加，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應的電機驅動器，而GaN能夠滿足這些需求，還可以在熱管理、緊湊設計等方面提高人形機器人的整體性能，優(yōu)化整體設計。

據悉，西門子、安川電機、Elmo等已經在機器人電機中導入了GaN技術，而GaN產業(yè)鏈也正摩拳擦掌。據集邦化合物半導體了解，TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、能華微等正在推動GaN于電機驅動領域的應用。其中，Transphorm已為安川電機的新型伺服電機提供了GaN FET 產品。

TrendForce集邦咨詢表示，未來的機器人定會超乎想象，而精確、快速和強大的運動能力是其中之關鍵，驅動其運動所需的電機也勢必隨之進步，GaN將因此受益。

綜合當前廠商頻繁的動作來看，AI數據中心、人形機器人等新興產業(yè)無疑引燃了GaN市場，相關廠商多年的儲備和積累可望加快變現。譬如，英飛凌預估來自AI電源領域的營收將在2025財年實現同比翻番，同時將在2-3年內突破10億歐元。

GaN功率半導體產業(yè)提速，誰將占據龍頭寶座？

短期而言，消費電子市場仍將是功率GaN的主舞臺，并且，家電、智能手機等更多消費電子應用正在為GaN提供新的發(fā)展空間。但長期而言，電動汽車、數據中心等將成為GaN更重要的增長引擎。

據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，長遠來看，GaN功率半導體市場的主要動力將來自電動汽車、數據中心、電機驅動等場景，受此驅動，全球GaN功率元件市場規(guī)模預估從2023年的2.71億美金左右上升至2030年的43.76億美金，年復合年增長率（CAGR）高達49%。其中，非消費類應用的比例預計將從2023年的23%上升至2030年的48%。

足見，電動汽車、數據中心、電機驅動等應用動能強勁，GaN功率半導體市場未來可期，這也側面解釋了英特爾（Intel）、臺積電（TSMC）等集成電路賽道的大廠同樣青睞GaN的原因。其中，英特爾去年底就透露已集成CMOS硅晶體管與GaN功率晶體管，用于高度集成的48V設備。

從區(qū)域市場層面觀察，GaN正在吸引更多的戰(zhàn)略投資。以中國香港為例，該地在7月底啟動了首條超高真空GaN外延片中試線，由香港科技園公司與GaN外延技術商麻省光子技術(香港)有限公司聯合于7月底舉行了啟動儀式，麻省光子技術預計將在香港投資至少2億港元，帶動當地化合物半導體產業(yè)發(fā)展。

可以預見，未來會有更多玩家和資金涌入GaN功率半導體領域，而市場競爭也將逐步激烈化。然而，市場格局目前撲朔迷離，未來誰能占據龍頭寶座仍是未知數。

TrendForce集邦咨詢指出，從產業(yè)發(fā)展進程來看，Fabless（無晶圓廠）公司在過去一段時間里表現較為活躍，但隨著產業(yè)不斷整合以及應用市場逐步打開，未來傳統(tǒng)IDM大廠的話語權有望顯著上升，為產業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數。

當前，從商業(yè)模式劃分，GaN玩家包括英飛凌、瑞薩（Transphorm）等傳統(tǒng)綜合型的IDM（集成器件制造）大廠，PI、納微、EPC等Fabless設計廠，英諾賽科、能華微等專業(yè)型IDM廠。

在消費電子應用仍占大比重的背景下，英諾賽科占據較大的市場份額，加上其努力推廣工業(yè)應用，整體市占率位居前列。據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2023年GaN功率半導體市占率前五大廠商分別是英諾賽科、PI、納微、EPC、英飛凌。

而數據中心、電機驅動、電動汽車、光伏逆變器等更高功率的應用對廠商的集成整合能力以及產業(yè)鏈協(xié)同效應等各方面提出了更高的要求，因此，英飛凌、瑞薩、TI等傳統(tǒng)IDM廠商，以及TI等在這方面的優(yōu)勢將逐步顯現。

據集邦化合物半導體觀察，作為全球最大的功率半導體以及車用半導體廠商，目前英飛凌正在充分發(fā)揮和融合Si、SiC以及GaN的獨有優(yōu)勢，技術創(chuàng)新與集成能力以及綜合成本優(yōu)勢有望逐步凸顯。Fabless廠商中，納微也在發(fā)揮其在SiC、GaN以及驅動技術的集成能力和協(xié)同優(yōu)勢，筑高自身的競爭壁壘。

而英諾賽科、能華微等專業(yè)型廠商技術專注度高、創(chuàng)新速度快、決策鏈條短、市場靈活性高，能夠以深厚的技術積累，適時調整產品線和業(yè)務戰(zhàn)略，快速響應GaN市場新需求。

綜合而言，不同模式下的廠商實力與水平各有千秋，布局策略和發(fā)展路線也有所不同，目前在新興應用賽道上各方都處于前期起跑蓄力階段，勝負未分。不過，英飛凌、TI等廠商今年明顯向GaN傾注了更多資源，均展現出勇奪龍頭寶座之勢。未來，GaN功率半導體的“天平”將傾向哪一方？答案或許將隨之市場的打開逐步揭曉。（文：集邦化合物半導體 陳佳純）

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以SiC/GaN產業(yè)為例，據集邦化合物半導體觀察，今年以來超過10家相關企業(yè)推進上市進程、更新上市狀態(tài)或公布上市計劃。在GaN領域，繼英諾賽科、臺亞半導體子公司之后，近日又一家GaN相關廠商啟動了IPO計劃，進一步反映了GaN功率半導體技術的前景備受看好。

GaN外延材料廠商臺灣IQE計劃上市

昨日（7/31），英國化合物半導體材料廠商IQE宣布，其中國臺灣子公司IQE Taiwan計劃在臺灣證券交易所上市，目的是更好地發(fā)揮子公司的價值，利用GaN功率半導體等未來市場的機會，戰(zhàn)略推動整個集團的成長。

按照計劃，IQE擬推進臺灣子公司上市，并將通過公開發(fā)行出售該子公司的少數股權，但最終仍會保留對其的控制權，持續(xù)發(fā)揮子公司的戰(zhàn)略價值。屆時，IQE整個集團將充分利用此次公開發(fā)行所得，為集團的增長戰(zhàn)略提供資金支持。

目前，臺灣IQE的上市進程尚處于初步階段，為協(xié)助推進上市進程，IQE已聘請臺新證券作為財務顧問。本次上市將分為兩個階段推進，在第一階段，臺灣IQE預計2025年上半年在“新興市場板塊”上市，具體取決于慣常監(jiān)管程序和要求，進一步的交易細節(jié)和信息將酌情披露。

IQE表示，公司正在充分利用包含GaN功率半導體在內的未來發(fā)展機會，而推動臺灣子公司上市有助于加快整個集團對增長戰(zhàn)略的投資。未來，子公司成功上市之后，IQE有望實現資產價值的最大化，并為全球客戶保障供應的可靠性和靈活性。

AI服務器、低空經濟助燃GaN產業(yè)

無論是英諾賽科、臺亞半導體還是IQE，均有一個共同的目標，即以更好的姿態(tài)把握GaN當下與未來的發(fā)展機遇，也意味著GaN技術的應用潛力正在加速被認可和挖掘。

圖片來源：拍信網正版圖庫

根據近兩年來企業(yè)的動態(tài)可見，國內外主要玩家在光伏逆變器、數據中心、車載激光雷達、車載OBC/DC-DC等GaN市場的發(fā)展陸續(xù)取得實質性的進展，預示著GaN技術正在加速滲透工業(yè)、汽車等高功率領域，為廠商打開了更大的增量空間。而在此基礎上，隨著AI、低空經濟等新興產業(yè)的發(fā)展，市場及產業(yè)對GaN的期待值進一步提升。

具體而言，由于AI數據中心對電力和算力的需求激增，該領域對高效、低能耗的電力解決方案有著迫切的需求，而GaN則是目前減少功率損耗的最佳解決方案。因此，英飛凌、TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、臺亞半導體等GaN產業(yè)鏈廠商以及臺積電、環(huán)球晶等晶圓代工大廠正在加快開發(fā)相關技術和解決方案的步伐。

例如，英飛凌已公布了為AI數據中心提供先進的高能效電源裝置產品路線圖，而其收購的GaN Systems此前已針對AI服務器推出了GaN電源解決方案；納微不久之前也正式發(fā)布了全新4.5kW服務器電源方案······

低空經濟方面，該產業(yè)的發(fā)展離不開5G-A和未來6G網絡來實現通感一體，對于高頻率和高能效的射頻技術有著明確的需求，而GaN技術在其中扮演者關鍵角色。同時，基于GaN的功率器件能夠提高電源轉換效率，滿足無人機、小型飛行器等低空經濟應用對高能效電源管理的需求，并且還能滿足小型化、輕量化的產品設計需求，目前也備受低空經濟領域的青睞。國內外GaN相關廠商已相繼入局，跨界合作案例也開始增多，例如，國內GaN初創(chuàng)企業(yè)東漸氮化鎵已與上海海神機器人達成戰(zhàn)略合作。

由此可見，在新興產業(yè)的推動下，GaN又一次被推到了鎂光燈之下，新一輪群雄逐鹿已經開始。而當前的產業(yè)環(huán)境和發(fā)展趨勢對于規(guī)劃上市的廠商而言無疑是一大利好，若能成功上市，相關廠商有望通過上市后綜合競爭力的提升，更好地搶占市場紅利。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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據集邦化合物半導體觀察，SiC封裝材料領域近期傳來了兩個積極的消息：燒結銀材料廠商深圳芯源新材料有限公司（以下簡稱“芯源新材料”）獲得比亞迪獨家投資；半導體封裝環(huán)氧塑封料廠商江蘇中科科化新材料股份有限公司（以下簡稱“中科科化”）啟動IPO輔導。

比亞迪獨家投資芯源新材料

昨日（7/30），芯源新材料宣布完成B輪融資，本輪融資由比亞迪獨家投資。

據了解，芯源新材料專注于以納米金屬產品為代表的半導體用散熱封裝材料的研發(fā)、生產、銷售和技術服務，面向功率半導體封裝、先進集成電路封裝提供高散熱、高可靠的解決方案。2022年，該公司創(chuàng)新推出了低溫燒結銅材料，成功將低溫燒結關鍵技術擴展至其他金屬材料，預計2024年底實現量產。

在第三代半導體SiC領域，芯源新材料主要提供燒結銀等材料，據稱是國內第一家燒結銀上車的供應商，已成功進入比亞迪等頭部車企車型供應鏈中。該公司預計到2024年底，終端客戶裝車總量將突破80萬臺。

據企查查顯示，作為2022年成立的初創(chuàng)企業(yè)，芯源新材料至今已完成四輪融資，投資方包含中南創(chuàng)投、深創(chuàng)投以及本次的比亞迪等。

今年6月，芯源新材料宣布將投資約9000萬元擴產燒結銀產品，包括產線投入和產能升級，預計2025年底將投入使用，屆時產能可滿足3000萬輛車/年的需求，并且，燒結銀膏和銅線鍵合銅片價格預計會下調50~80%。

中科科化開啟IPO輔導

7月24日，中科科化在江蘇證監(jiān)局進行IPO輔導備案登記，輔導機構為招商證券股份有限公司。據官方披露，中科科化擬在科創(chuàng)板上市。

中科科化成立于2011年，位于江蘇省泰州市海陵工業(yè)園區(qū)，由北京科化新材料科技有限公司（“北京科化”）創(chuàng)建（持股比例64.57%），其他股東包括國科投資、中化資本等。

值得注意的是，北京科化由中國科學院化學研究所于1984年創(chuàng)建，先后推出了化學所原創(chuàng)技術的國產502膠水、降溫母粒、環(huán)氧塑封料等十余類產品，其中，環(huán)氧塑封料技術已全部注入中科科化。

中科科化主要從事半導體封裝材料環(huán)氧塑封料產品的研發(fā)、生產和銷售，在北京、泰州分別設立研發(fā)中心，研發(fā)重點聚焦高密度集成電路先進封裝、汽車電子、第三代半導體等應用領域。此外，該公司還與中科院化學所建立了“電子封裝材料聯合實驗室”，簽訂了長期《產學研合作協(xié)議》。

從產品類別來看，中科科化的環(huán)氧塑封料產品涵蓋分立器件用、IC封裝用、先進封裝用、第三代半導體封裝用及模組封裝用環(huán)氧塑封料，超高導熱率環(huán)氧塑封料，車規(guī)工規(guī)等級環(huán)氧塑封料等。其中，第三代半導體的產品系列具有低模量、高粘接、高可靠性等特點，適用于SiC/GaN芯片封裝。據悉，目前公司的下游客戶包括華天科技、通富微電、長電科技、華潤微電子、日月新集團等國內外封裝企業(yè)。

產能部分，中科科化現有8條環(huán)氧塑封料生產線，年產能超1.8萬噸。2023年9月，中科科化總投資5.2億元的二期工程竣工投產，項目主要建設12條環(huán)氧塑封料生產線，全部投產后環(huán)氧塑封料總產能將達3萬噸/年。

資本市場布局方面，中科科化于2022年引入戰(zhàn)略投資（3.1億元融資），完成股份制改制，如今在此基礎上開啟上市輔導，為在科創(chuàng)板上市做好準備，表明其正在深化資本市場布局，側面反映公司的研發(fā)實力、業(yè)務開拓能力及經營情況積極向好。

SiC材料廠站上國產替代、降本增效風口

僅就SiC等第三代半導體產業(yè)來看，芯源新材料、中科科化兩家材料廠商所在的環(huán)節(jié)雖然不是產業(yè)鏈的主要環(huán)節(jié)，但重要性正在不斷凸顯，尤其是在國產替代進程加速以及SiC產業(yè)鏈降本增效需求不斷增長的背景下，這也意味著相關廠商將迎來可觀的增量空間。

國產替代方面，中科科化從事的環(huán)氧塑封料將在半導體封裝國產替代歷史時期下迎來加速發(fā)展的機會。據悉，環(huán)氧塑封料作為一種熱固性化學材料，是由環(huán)氧樹脂為基體，加入固化劑、填料及多種助劑混配而成，主要為芯片提供隔絕、保護、散熱等作用。目前，絕大部分微電子器件都采用環(huán)氧塑封料，其在芯片封裝材料成本中的占比為10-20%。

在第三代半導體應用中，SiC芯片通常是在高壓、高溫等嚴苛環(huán)境下工作，尤其是車規(guī)級SiC芯片，這對于封裝材料在電氣絕緣性能、抗電弧能力、熱管理能力、機械強度以及成本效益等方面提出了挑戰(zhàn)的同時，也帶來了持續(xù)的需求。

目前，除了中科科化之外，國內相關廠商也在積極開拓SiC用環(huán)氧塑封料市場，搶抓國產替代的機會。例如，上海道宜半導體材料有限公司今年2月便完成了數千萬元PreA++輪融資，該公司目前多款用于功率模塊封裝、QFN、BGA等領域的封裝材料已在多個國際客戶完成測試并實現首次國產替代。針對電動汽車市場，道宜半導體近年來積極推進基于車規(guī)級IGBT和SiC功率模塊開發(fā)的環(huán)氧模塑封料，持續(xù)加大研發(fā)投入并推動擴產。

至于芯源新材料提供的燒結銀材料，在SiC領域的降本方面扮演著重要的角色，而且目前國內燒結銀材料也有“卡脖子”難題，相關廠商的布局正在緊鑼密鼓推進中。

據芯源新材料介紹，燒結銀材料是SiC芯片的“最佳搭檔”，而其自主研發(fā)的產品可幫助客戶實現SiC模塊的雙面銀燒結技術（在散熱性能、可靠性上表現出色）。此外，其提供的芯片級銀膏可以實現在裸銅DBC/AMB上進行芯片燒結，能夠簡化制程，降低客戶成本。

在燒結銀材料領域，國際市場上以賀利氏為代表。該公司去年底通過收購SiC襯底供應商Zadient的多數股份，正式進軍SiC市場。

除了國產替代的機遇和降本的大勢所趨之外，結合SiC襯底和芯片等環(huán)節(jié)的擴產計劃以及SiC往8英寸發(fā)展的趨勢來看，燒結銀材料、環(huán)氧塑封料等封裝材料都將迎來可持續(xù)增長的需求，相關廠商有望在此機遇下擴大規(guī)模和市占率。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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