Source: 氮矽科技
根據(jù)TrendForce 集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。
報告指出，消費電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領(lǐng)域。TrendForce集邦咨詢認為，功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時刻，幾大潛力應用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。
此次由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10，專為需要深度抗衰人群設(shè)計的新品，支持淺層提拉淡紋、中層嘭彈緊致、深層塑形抗垂三種工作模式，其外形結(jié)構(gòu)精巧，尺寸為52.9*53.42*210mm, 額定輸入為12V3A，內(nèi)部結(jié)構(gòu)更為精密，包含3塊PCB小板以及雙電機，其中，一塊板子區(qū)域內(nèi)采用的是2顆100V低壓氮化鎵驅(qū)動集成方案DXC3510S2CA (GaN PIIP IC)，具體集成了100V E-mode GaN HEMT和氮化鎵柵極驅(qū)動器，具備低電壓、小電阻和大電流以及0-20V 寬范圍輸入耐壓能力。這些特性極大地簡化了外圍電路設(shè)計，并為超聲波的高強度聚焦與高頻能量穩(wěn)定輸出提供了可靠的技術(shù)支持。
氮矽科技向集邦化合物半導體表示“DXC3510S2CA 產(chǎn)品支持超高開關(guān)頻率，有助于提升系統(tǒng)功率密度和響應速度。與傳統(tǒng)的低壓MOS管相比，GaN 方案擁有更低的開關(guān)損耗和零反向恢復損耗特性，有效優(yōu)化了開關(guān)噪音，完美契合了消費類護膚產(chǎn)品對高可靠性的需求。
Source: 氮矽科技
將氮化鎵驅(qū)動集成方案應用于個護產(chǎn)品是行業(yè)內(nèi)的首次嘗試，期間面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。氮矽科技及其授權(quán)代理商深圳凌海創(chuàng)電子與 Ulike 的深度合作，專注于前沿電子方案的凌海電子在雙方合作中扮演關(guān)鍵橋梁作用，在客戶解決實際問題中有著豐富的在場應用技術(shù)協(xié)調(diào)能力，加速原廠產(chǎn)品導入終端應用市場。透過此次三方緊密合作，共同克服了功率GaN元件導入到精巧超聲美容儀產(chǎn)品的技術(shù)障礙，經(jīng)過多次實驗室調(diào)試于優(yōu)化，最終確保了高性能、高品質(zhì) GaN 方案在該美容儀產(chǎn)品中的穩(wěn)定應用。(文：TrendForce/Christine)
其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V 雙向器件（VGaN）、大功率合封氮化鎵 ISG6121TD、2kW四相交錯Buck、4.2kW服務器電源方案以及在數(shù)據(jù)中心和人形機器人應用中的多款解決方案。
source：英諾賽科
英諾賽科公開介紹道， 其中一款100V GaN產(chǎn)品，全球首款量產(chǎn)，先進的雙面散熱 En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)的封裝相比，導熱率高出 65%。
INV100FQ030C是英諾賽科全球首款100V 雙向器件（VGaN），支持雙向?qū)ê碗p向關(guān)斷，采用FCQFN4x6封裝，具備超低導通電阻和更寬的SOA邊界，可在48V BMS系統(tǒng)、48V總線負載開關(guān)中實現(xiàn)電池保護。
大功率合封氮化鎵 ISG6121TD是一款行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，集成了柵極驅(qū)動和短路保護的GaN功率IC，采用TO-247-4L封裝，能夠幫助設(shè)計人員開發(fā)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關(guān)方案，可應用于數(shù)據(jù)中心/AI服務器PSU，車載OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，實現(xiàn)功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。
2kW四相交錯Buck是2025年全新發(fā)布的方案，該方案采用四相交錯Buck拓撲，每相使用1顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實現(xiàn)功率傳輸，具備靈活的拓展性，效率超98%。
4.2kW服務器電源方案是英諾賽科與客戶合作開發(fā)，與傳統(tǒng)電源相比，其輕中載電能損耗可減少至少30%，實現(xiàn)超過96%的轉(zhuǎn)換效率。
此外，本月早些英諾賽科發(fā)布公告宣布其自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本。
作為氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒，英諾賽科致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造。此次多款突破性產(chǎn)品的集中亮相，不僅印證了氮化鎵材料在高頻、高效場景中的核心價值，更彰顯了英諾賽科通過技術(shù)深耕推動產(chǎn)業(yè)升級的戰(zhàn)略定力。
（集邦化合物半導體 niko 整理）
source：深圳平湖實驗室
通過展示和交流，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺能夠更好的發(fā)揮自身在科研、中試、分析檢測、設(shè)計仿真等領(lǐng)域的綜合優(yōu)勢，協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴開展深度合作，打造第三代及第四代功率半導體的技術(shù)創(chuàng)新高地。
資料顯示，根據(jù)科技部統(tǒng)一部署，深圳市從2021年開始承接國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺建設(shè)任務，2022年設(shè)立深圳平湖實驗室作為建設(shè)和運營主體， “一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)動”為建設(shè)原則，聚焦第三代半導體領(lǐng)域器件物理研究、材料研究、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品中試，第四代半導體材料器件前沿研究，致力于打造世界領(lǐng)先的第三代及第四代功率半導體創(chuàng)新、中試及共享的平臺。
2024年11月，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺正式建成發(fā)布。
目前，該綜合平臺已在碳化硅、氧化鎵等多個領(lǐng)域取得了重要進展。
SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域
SiC由于莫氏硬度高達9.5，是很難加工的材料。1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產(chǎn)出晶片30片，單片材料損耗率達到46%。為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝。其工藝過程示意圖如下所示：
source：深圳平湖實驗室
激光剝離工藝與多線切割工對照：
source：深圳平湖實驗室
深圳平湖實驗室表示，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。
氧化鎵理論研究方面
深圳平湖實驗室第四代材料與器件課題組針對氧化鎵價帶能級低和p-型摻雜困難等問題，采用銠固溶方式理論開發(fā)了新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導體。該成果已在《Advanced Electronic Materials》期刊上發(fā)表并受邀提供期刊封面設(shè)計。該文章也被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。
半導體材料的功率特性（巴利加優(yōu)值）與其帶隙的立方成正比。氧化鎵具有超寬的帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，是功率器件的理想材料。
然而，已有氧化鎵器件的功率特性仍顯著低于材料的理論極限，原因在于氧化鎵價帶頂能級低，能帶色散關(guān)系平坦。雜質(zhì)摻雜受主能級多在1電子伏以上，難以實現(xiàn)有效的p-型導電。目前氧化鎵器件多基于肖特基勢壘或與其他氧化物(如氧化鎳)形成p-n異質(zhì)結(jié)。較低的肖特基勢壘及p-n異質(zhì)結(jié)的高界面態(tài)限制了氧化鎵器件的功率特性。如何實現(xiàn)氧化鎵的p-型摻雜成為當下研究的一個關(guān)鍵問題。
source：深圳平湖實驗室（β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖）
本工作基于第一性原理考察了銠固溶氧化鎵結(jié)構(gòu)。由于銠的原子半徑與鎵接近，銠固溶氧化鎵具有較低的混合焓，固溶構(gòu)型具有高穩(wěn)定性。這種現(xiàn)象在實驗上也得到了證實，采用Pt-Rh坩堝生長氧化鎵晶體時，銠易進入氧化鎵晶格?；谀軒ЫY(jié)構(gòu)分析，銠固溶氧化鎵仍是寬禁帶半導體，其價帶頂由銠和鄰近的氧原子軌道雜化形成，對應能級較氧化鎵價帶頂顯著上升。
此外，價帶頂附近能帶色散曲率增加，這與沿[010]晶向離域的電子態(tài)密度密切相關(guān)，故該工作作者建議在氧化鎵[010]晶向襯底外延生長銠固溶氧化鎵外延層。具體地，銠固溶摩爾比濃度在0-50%范圍內(nèi)，固溶體的半導體帶隙在3.77和4.10電子伏之間，其價帶頂能級相較于氧化鎵上升了至少1.35電子伏。銠摩爾比為25%時，其空穴有效質(zhì)量僅為氧化鎵的52.3%，這有助于實現(xiàn)p型摻雜，擴展材料應用范圍和改進器件的性能。
source：深圳平湖實驗室（圖中(a)和(b)分別為銠固溶摩爾比為25%時的晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖，(c) 銠固溶氧化鎵β-(RhxGa1-x)2O3在不同摩爾濃度x下的能帶對齊圖）
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
1、聞泰科技：AI賦能，功率半導體迎來新機遇
聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導體和通信技術(shù)公司，業(yè)務涵蓋半導體、光學、無線和功率器件等領(lǐng)域。2024年，公司繼續(xù)在半導體領(lǐng)域加大研發(fā)投入，特別是在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料方面取得了顯著進展。
4月25日，聞泰科技發(fā)布2024年年報，顯示公司營收達到735.98億元，同比增長20.23%。其中，半導體業(yè)務表現(xiàn)尤為突出，實現(xiàn)營收147.15億元，凈利潤22.97億元，毛利率達37.47%。
source：集邦化合物半導體截圖
值得強調(diào)的是，聞泰科技半導體業(yè)務在中國區(qū)市場表現(xiàn)強勁，收入連續(xù)四個季度實現(xiàn)環(huán)比增長，中國區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%，且在2025年第一季度同比增長約24%。
在第三代半導體領(lǐng)域，聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進展。
碳化硅方面， 公司成功推出了高性能車規(guī)級1200V SiC MOSFET，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能，已廣泛應用于電池儲能、光伏逆變器等工業(yè)場景，展現(xiàn)出強大的市場潛力。
氮化鎵方面， 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時提供D-mode（耗盡型）和E-mode（增強型）GaN器件的企業(yè)，其產(chǎn)品線覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格，并已在消費電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，進一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
為進一步滿足全球客戶對下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品的需求，聞泰科技于2024年6月宣布計劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā)，并將在漢堡工廠建設(shè)相應的生產(chǎn)設(shè)施，彰顯了公司在第三代半導體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。
此外，由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規(guī)級晶圓廠已順利完成車規(guī)認證并實現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標志著聞泰科技在車規(guī)級芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺階，為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國產(chǎn)化進程提供了堅實的保障。
在報告中，聞泰科技指出，AI算力的爆發(fā)為功率半導體開辟了新的增長點。在AI服務器和AI終端中，公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，并實現(xiàn)更小的器件尺寸，從而提高數(shù)據(jù)中心等運算密集型應用的效率。同時，隨著端側(cè)算力的發(fā)展，GaN FET芯片已成功在消費電子快充客戶中實現(xiàn)量產(chǎn)。
2、三安光電：深耕化合物半導體，碳化硅業(yè)務多點開花
三安光電持續(xù)聚焦化合物半導體核心主業(yè)，穩(wěn)步推進LED業(yè)務，并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務。
source：三安光電
根據(jù)最新報告，三安光電在2025年第一季度實現(xiàn)主營收入43.12億元，較上年同期增長21.23%。更為顯著的是，歸屬于母公司的凈利潤達到2.12億元，同比大幅增長78.46%?？鄢墙?jīng)常性損益后的凈利潤為7469萬元，較去年同期激增331.43%，展現(xiàn)出強勁的盈利能力。
回顧2024年，三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入約118.5億元，同比增長約14.61%。盡管年度凈利潤約為2.5億元，同比下降約31.02%，但值得關(guān)注的是，集成電路業(yè)務表現(xiàn)突出，實現(xiàn)主營業(yè)務收入同比增長23.86%，其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強勁的增長勢頭，為公司整體營收增長注入了新的動能。
source：集邦化合物半導體截圖
據(jù)悉，在2024年，三安光電集成電路業(yè)務實現(xiàn)顯著進展，其中碳化硅業(yè)務是三安光電的重點發(fā)展方向，公司圍繞車規(guī)級應用，加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，并穩(wěn)步推進與意法半導體合資的重慶8英寸碳化硅項目落地。湖南三安作為國內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺，已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中，擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來看：
產(chǎn)品布局：湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應用于光伏領(lǐng)域，第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應用于電源領(lǐng)域。
SiC MOSFET產(chǎn)品：公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務器電源等工業(yè)級市場，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。
合資項目進展：湖南三安與意法半導體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，規(guī)劃達產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導體一期產(chǎn)線已實現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在2025年一季度實現(xiàn)批量下線。
而在射頻前端領(lǐng)域，該公司構(gòu)建了專業(yè)的射頻代工平臺和產(chǎn)品封裝平臺，提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案，廣泛應用于手機、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場。受益于終端市場需求的回暖以及客戶供應鏈的調(diào)整，公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務營業(yè)收入較上年同期實現(xiàn)了大幅增長，鞏固了其在射頻前端國產(chǎn)供應鏈中的重要地位。
在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域，公司面向通信基站市場提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺，并積極投入消費級射頻及6G應用工藝的研發(fā)，客戶結(jié)構(gòu)實現(xiàn)突破，與國際客戶的合作產(chǎn)品已通過初步驗證。（集邦化合物半導體 竹子 整理）
近年濟南市依托政策扶持、技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)鏈整合，第三代半導體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢。濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)園匯聚山東天岳、山東晶鎵、比亞迪半導體等龍頭企業(yè)，涵蓋材料、芯片、器件、封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
濟南碳化硅領(lǐng)域，以天岳先進、中晶芯源等公司為代表
山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年，是一家專注于碳化硅襯底材料的高科技領(lǐng)軍企業(yè)，2022年成功登陸A股科創(chuàng)板。目前該公司已掌握世界最大尺寸12英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)技術(shù)。在SEMICON China2025展會上，天岳先進全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電p型及12英寸導電n型碳化硅襯底。
source：天岳先進
天岳先進在p型重摻雜、大尺寸碳化硅襯底制備等關(guān)鍵技術(shù)上已取得系列突破，并穩(wěn)固掌握晶體生長、缺陷控制、加工檢測及部件自制等全技術(shù)鏈條。
山東中晶芯源半導體科技有限公司成立于2023年05月19日，注冊地位于山東省濟南市歷城區(qū)彩石街道虎山路889號，該公司專注于碳化硅（SiC）單晶襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其技術(shù)來源于山東大學晶體材料國家重點實驗室，擁有20多年的碳化硅單晶襯底開發(fā)經(jīng)驗。
該公司與山東大學建立了全方位的產(chǎn)學研合作關(guān)系，設(shè)有山東大學晶體材料國家重點實驗室產(chǎn)業(yè)化基地、山東大學研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地和山東大學-中晶芯源碳化硅半導體聯(lián)合實驗室。
氮化鎵領(lǐng)域，以山東晶鎵等公司為代表
山東晶鎵半導體科技有限公司成立于2023年8月，主要從事氮化鎵（GaN）自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
今年4月， 媒體報道山東大學與山東晶鎵半導體有限公司在4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底制備方面取得的重大突破：結(jié)合多孔襯底技術(shù)和應力調(diào)控策略成功獲得了低應力、高質(zhì)量的4英寸GaN單晶襯底。該4英寸GaN襯底在尺寸、晶體質(zhì)量（FWHM平均值為57.91″，位錯密度為~9.6×105cm-2)、應力均一性和表面質(zhì)量方面（無損傷、Ra<0.2 nm）均表現(xiàn)優(yōu)異，達到國際先進水平，為高功率、高頻器件的批量制備奠定了基礎(chǔ)。
source：晶鎵半導體（圖為GaN襯底測試結(jié)果）
展望未來，隨著產(chǎn)業(yè)鏈完善和技術(shù)迭代，濟南有望成為全國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的核心增長極，為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)自主可控貢獻力量。（集邦化合物半導體 秦妍 整理）
英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
4月22日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN
G5中壓晶體管。據(jù)悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。
source：英飛凌官微（圖為集成肖特基二極管的CoolGaN G5晶體管）
據(jù)英飛凌介紹，該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。
英飛凌新推出的 CoolGaN G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解功率損耗問題，適用于服務器和電信中間總線轉(zhuǎn)換器IBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機驅(qū)動等應用場景。
此外，采用這種新型CoolGaN 晶體管后，反向傳導損耗降低，能與更多高邊柵極驅(qū)動器兼容，且由于死區(qū)時間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設(shè)計。
英諾賽科發(fā)布1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品
4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，官宣其自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品并表示已實現(xiàn)量產(chǎn)。
英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。
此外，憑借寬禁帶特性，該款產(chǎn)品在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
華潤微電子發(fā)布新SiC主驅(qū)模塊
4月19日，華潤微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅(qū)模塊。
根據(jù)公司介紹，該系列模塊兼具SiC器件的低導通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。
source：華潤微電子
華潤微電子新款SiC主驅(qū)模塊采用自主設(shè)計的Si3N4 AMB、銀燒結(jié)、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小。并且集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成；6管/8管并聯(lián)，通過對Vth的嚴格分檔提高芯片一致性。
派恩杰半導體推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM
4月16日，派恩杰半導體宣布推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM。派恩杰芯片具有較小的RDSON溫漂特性，在其6并聯(lián)的布局設(shè)計，與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競品方案實現(xiàn)了相近的功率密度，帶來更高效、更可靠的逆變器解決方案。
派恩杰半導體表示，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設(shè)計，從電流均流和寄生電感兩方面提升整體性能，為新能源汽車制造商提供更可靠的選擇。此外，派恩杰的獨特芯片設(shè)計，使得芯片的導通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實際高溫工況下的功率輸出衰減。（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）
source：芯干線科技
AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，經(jīng)過21年到24年近三年的從器件單體到系統(tǒng)集成等多輪多環(huán)境測試，順利通過某全球某一線AI服務器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗證，預計在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。
3C消費電子領(lǐng)域，芯干線為某全球一線手機品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案Q1實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。該方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V增強型(E-mode)氮化鎵功率器件，通態(tài)電阻150mΩ，DFN5x6封裝。
專業(yè)音頻領(lǐng)域，芯干線針對高端音響功放開發(fā)的氮化鎵電源方案，已通過國際一線品牌的認證并實現(xiàn)量產(chǎn)。
新能源儲能領(lǐng)域，芯干線為國內(nèi)某頭部商用儲能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導通電阻，在導通電阻與動態(tài)性能上均實現(xiàn)了相當大的提升。
展望2025，芯干線計劃將研發(fā)投入提升至營收的25%，重點突破車規(guī)級SIC MOSFET與800V高壓快充方案，目標在新能源汽車功率半導體市場實現(xiàn)從0到1的突破。（集邦化合物半導體整理）
source：集邦化合物半導體截圖
Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導體代工的廠商，在半導體制造領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積累和豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗。瑞薩電子則是全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商，在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面具備專業(yè)知識，提供完整的半導體解決方案。
此次雙方達成戰(zhàn)略協(xié)議，Polar Semiconductor 將獲得瑞薩電子的硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)，并在其明尼蘇達州工廠為瑞薩電子和其他客戶制造高壓650V級硅基氮化鎵器件。
據(jù)悉，Polar Semiconductor 明尼蘇達州工廠最近擴建了最先進的加工和自動化設(shè)備，旨在滿足對下一代半導體解決方案日益增長的需求。
Polar Semiconductor 總裁兼首席運營官 Surya Iyer 表示：“這項許可和商業(yè)生產(chǎn)協(xié)議強調(diào)了我們對加強美國半導體生態(tài)系統(tǒng)的承諾。GaN 是電源和射頻領(lǐng)域改變游戲規(guī)則的技術(shù)，與瑞薩電子合作，我們有能力提高商業(yè)生產(chǎn)，推動下一波半導體創(chuàng)新?！?/p>
瑞薩電子電源產(chǎn)品集團高級副總裁兼總經(jīng)理Chris Allexandre說：“我們很高興與Polar合作，將我們經(jīng)過驗證的氮化鎵技術(shù)擴展到200毫米晶圓，并在廣泛的電源轉(zhuǎn)換市場中利用我們的專業(yè)知識，從基礎(chǔ)設(shè)施和人工智能到能源和工業(yè)到電動汽車和電動汽車到高價值物聯(lián)網(wǎng)?！保罨衔锇雽w整理）
source：集邦化合物半導體截圖
公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。
此外，英諾賽科表示該產(chǎn)品已經(jīng)過驗證，已在中大功率電源方面實現(xiàn)量產(chǎn)，下一步將被應用在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
英諾賽科指出，氮化鎵技術(shù)對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。
在不久前，英諾賽科與全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics）簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將共同推動該技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應用。（集邦化合物半導體整理）
核心技術(shù)突破：氮化鎵（GaN）功率器件
“黑豹2.0”的革命性突破在于其電機驅(qū)動系統(tǒng)，其中核心技術(shù)之一是采用了第三代氮化鎵（GaN）功率器件。氮化鎵作為第三代半導體材料的代表，具有高頻、高效、高功率密度等優(yōu)勢，相較于傳統(tǒng)硅基器件，能夠顯著提升電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能。
具體而言，氮化鎵器件的應用使得“黑豹2.0”的電機驅(qū)動系統(tǒng)實現(xiàn)了以下突破：功率密度大幅提升：功率密度提升至15kW/kg，達到行業(yè)新高，驅(qū)動系統(tǒng)更加緊湊高效。
能效轉(zhuǎn)換效率高達95%：氮化鎵器件的高頻開關(guān)特性（可達3MHz）和零反向恢復損耗特性，有效降低了開關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)效率。
控制響應延遲壓縮至2毫秒以內(nèi)：為機器人提供了更快的動態(tài)響應能力，支持其實現(xiàn)10米/秒的極限奔跑速度。
驅(qū)動系統(tǒng)小型化與輕量化：通過減小器件體積，氮化鎵器件助力驅(qū)動系統(tǒng)實現(xiàn)了小型化與輕量化設(shè)計。
浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心人形機器人創(chuàng)新研究院院長王宏濤教授表示：在研發(fā)“黑豹2.0”的過程中，團隊實現(xiàn)了兩大顛覆性突破之一就是設(shè)計出了國際領(lǐng)先的具有高功率密度、高載荷能力的電機驅(qū)動器，為下一代工業(yè)四足機器人的研發(fā)奠定了堅實的基礎(chǔ)。
氮化鎵功率器件的應用不僅提升了“黑豹2.0”的運動性能，還為機器人動力系統(tǒng)的輕量化與能效革新提供了標桿案例。其高頻開關(guān)特性和高功率密度特性，解決了傳統(tǒng)硅基器件在功率密度、熱損耗與響應速度上的瓶頸，助力電機驅(qū)動系統(tǒng)在更高頻率下工作，同時降低功率損耗。
氮化鎵技術(shù)的引入，為機器人產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇。隨著技術(shù)的進一步突破和市場需求增加，氮化鎵有望成為推動機器人領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導體整理）